本实用新型专利技术公开了一种屏蔽装置及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，该屏蔽装置用于半导体设备的工艺腔室，所述工艺腔室具有贯穿其腔室壁的规口通道，真空规组件与所述规口通道密封连接，所述屏蔽装置用于设置在所述规口通道内，以使所述真空规组件能够与所述工艺腔室内部连通，所述屏蔽装置包括屏蔽网、套筒和环形支撑件，所述套筒能够插设于所述规口通道内，且所述套筒的朝向所述工艺腔室内部的一端与所述屏蔽网连接，另一端与所述环形支撑件连接，其中所述屏蔽网用于屏蔽电荷由所述工艺腔室内部进入所述规口通道；解决规口通道静电荷聚集而导致颗粒物聚集影响腔室洁净度的问题。题。题。
【技术实现步骤摘要】
一种屏蔽装置及半导体工艺设备
[0001]本技术属于半导体
，更具体地，涉及一种屏蔽装置及半导体工艺设备。
技术介绍
[0002]等离子体去除残胶基本原理是利用氧气O2等离子体与光刻胶发生反应生成二氧化碳CO2、水H2O等气态分子，从而达到去除残胶的目的。然而在工艺验证过程中，会发现规口通道会偶发放电现象，如图1所示的工艺腔室101，侧壁设有规口通道102，腔室内部通过规口通道102和连接于规口通道102的管道与真空规密封连接。工艺时，等离子体从腔室内壁进入真空规管道中，并在规口通道102内产生静电荷聚集，长时间电荷聚集会对腔室内壁形成轰击效应，破坏腔室壁的氧化薄膜而形成裸铝表面，电荷与裸铝作用会导致辉光放电，长时间的辉光放电会导致整个规口通道内的颗粒物大量聚集，在工艺过程中影响腔室洁净度，进而影响工艺质量，最终可能导致工艺结果不能满足要求。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是提供一种规口通道屏蔽装置及半导体工艺设备，以解决规口通道静电荷聚集而导致颗粒物聚集影响腔室洁净度的问题。
[0004]为了实现上述目的，本技术提供一种屏蔽装置，用于半导体设备的工艺腔室，所述工艺腔室具有贯穿其腔室壁的规口通道，真空规组件与所述规口通道密封连接，所述屏蔽装置用于设置在所述规口通道内，以使所述真空规组件能够与所述工艺腔室内部连通，所述屏蔽装置包括屏蔽网、套筒和环形支撑件，所述套筒能够插设于所述规口通道内，且所述套筒的朝向所述工艺腔室内部的一端与所述屏蔽网连接，另一端与所述环形支撑件连接，其中所述屏蔽网用于屏蔽电荷由所述工艺腔室内部进入所述规口通道。
[0005]可选地，所述环形支撑件包括依次密封连通的环形连接部、环形限位部和环形配合部，所述环形连接部与所述套筒连接且所述环形连接部能够插设于所述规口通道内，所述环形限位部具有向外凸出于所述环形连接部外周壁的环形凸台，所述环形凸台的外径大于所述规口通道的内径，所环形配合部与所述真空规组件配合且两者的尺寸适配。
[0006]可选地，所述环形凸台的外周设有环形凹槽，用于安装密封件，所述密封件在被压紧时能够密封所述规口通道。
[0007]可选地，所述环形支撑件为一体成型结构。
[0008]可选地，所述屏蔽网和所述套筒均能够设置于所述规口通道中。
[0009]可选地，所述套筒的长度比所述工艺腔室的壁厚小12～14mm，所述套筒的壁厚为1～2mm，和/或，
[0010]所述套筒的外周与所述屏蔽网的外周齐平。
[0011]可选地，所述屏蔽网上均布有多个通孔，所述通孔的孔径为0.4～0.8mm。
[0012]可选地，所述屏蔽网的厚度为1.5～3.5mm，和/或，
[0013]所述屏蔽网的外径比所述规口通道的内径小1～3mm。
[0014]本技术还提供一种半导体工艺设备，包括所述工艺腔室和所述真空规组件，所述工艺腔室具有贯穿其腔室壁的所述规口通道，所述真空规组件与所述规口通道密封连接，所述半导体工艺设备还包括上述的屏蔽装置，所述屏蔽装置设置于所述规口通道内，用于连通所述真空规组件和所述工艺腔室内部。
[0015]可选地，所述半导体设备还包括连接组件，所述真空规组件包括真空规管路和管路接头，所述管路接头的一端与所述真空规管路密封连接，另一端通过所述连接组件与所述工艺腔室的外壁密封连接。
[0016]可选地，所述半导体工艺设备还包括环形密封件，所述环形密封件部分设置于所述环形凹槽，所述管路接头套设于所述环形配合部的外周，所述管路接头能够将所述环形密封件压紧于所述工艺腔室的外壁。
[0017]可选地，所述连接组件包括连接法兰和多个连接螺钉，所述连接法兰套设于所述管路接头的外周并将所述管路接头压紧于所述工艺腔室的外壁，多个所述连接螺钉用于将所述连接法兰固定于所述工艺腔室的外壁。
[0018]本技术提供一种屏蔽装置及半导体工艺设备，其有益效果在于：通过在工艺腔室的规口通道内设置屏蔽网，能够有效屏蔽工艺腔室等离子体向真空规管道扩散问题，从而消除规口静电，避免静电荷聚集形成辉光放电，造成颗粒在规口通道内聚集，导致腔室洁净度不达标的问题。
[0019]本技术的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0020]通过结合附图对本技术示例性实施方式进行更详细的描述，本技术的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本技术示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。
[0021]图1示出了现有技术中的工艺腔室的结构示意图；
[0022]图2示出了本技术的一个示例性实施例的屏蔽装置连接于规口通道的结构示意图；
[0023]图3示出了本技术的一个示例性实施例的屏蔽装置与真空规组件连接的结构示意图；
[0024]图4示出了本技术的一个示例性实施例的屏蔽装置与真空规组件连接处局部放大示意图；
[0025]图5示出了本技术的一个示例性实施例的屏蔽装置中密封圈处的局部放大示意图；
[0026]图6示出了本技术的一个示例性实施例的屏蔽装置的结构示意图；
[0027]图7a示出了本技术的一个示例性实施例的屏蔽装置中屏蔽网的结构示意图，图7b示出了屏蔽网的侧视剖视图；
[0028]图8示出了本技术的一个示例性实施例的屏蔽装置中支撑件的剖视图。
[0029]附图标记说明：
[0030]1、工艺腔室；2、规口通道；3、屏蔽网；31、通孔；4、套筒；5、环形密封件；6、环形支撑
件；61、环形连接部；62、环形限位部；63、环形配合部；7、管路接头；8、连接法兰；9、真空规组件；
[0031]101、工艺腔室；102、规口通道。
具体实施方式
[0032]下面将更详细地描述本技术的优选实施方式。虽然以下描述了本技术的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本技术而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本技术更加透彻和完整，并且能够将本技术的范围完整地传达给本领域的技术人员。
[0033]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0034]为解决现有技术存在的问题，如图2至8所示，本技术提供一种屏蔽装置，用于半导体设备的工艺腔室1，工艺腔室1具有贯穿其腔室壁的规口通道2，真空规组件9与规口通道2密封连接，屏蔽装置用于设置在本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种屏蔽装置，用于半导体设备的工艺腔室，所述工艺腔室具有贯穿其腔室壁的规口通道，其特征在于，真空规组件与所述规口通道密封连接，所述屏蔽装置用于设置在所述规口通道内，以使所述真空规组件能够与所述工艺腔室内部连通，所述屏蔽装置包括屏蔽网、套筒和环形支撑件，所述套筒能够插设于所述规口通道内，且所述套筒的朝向所述工艺腔室内部的一端与所述屏蔽网连接，另一端与所述环形支撑件连接，其中所述屏蔽网用于屏蔽电荷由所述工艺腔室内部进入所述规口通道。2.根据权利要求1所述的屏蔽装置，其特征在于，所述环形支撑件包括依次密封连通的环形连接部、环形限位部和环形配合部，所述环形连接部与所述套筒连接且所述环形连接部能够插设于所述规口通道内，所述环形限位部具有向外凸出于所述环形连接部外周壁的环形凸台，所述环形凸台的外径大于所述规口通道的内径，所环形配合部与所述真空规组件配合且两者的尺寸适配。3.根据权利要求2所述的屏蔽装置，其特征在于，所述环形凸台的外周设有环形凹槽，用于安装密封件，所述密封件在被压紧时能够密封所述规口通道。4.根据权利要求1所述的屏蔽装置，其特征在于，所述环形支撑件为一体成型结构。5.根据权利要求1所述的屏蔽装置，其特征在于，所述屏蔽网和所述套筒均能够设置于所述规口通道中。6.根据权利要求5所述的屏蔽装置，其特征在于，所述套筒的长度比所述工艺腔室的壁厚小12～14mm，所述套筒的壁厚为1～2mm，和/或，所述套筒的外周与所述屏蔽网的外周齐平。7.根据权利要求1所述的屏蔽装置，其特征在于，所述屏蔽网上均布有多个通孔，所述通孔的孔径为0.4～0.8mm。8.根据权利要求1所述的屏蔽装置，其特征在于，所述屏蔽网的厚度为1.5～3.5mm，和/或，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭龙飞，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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