本实用新型专利技术提供了一种MOS管控制开关的过压保护电路，包括：第一分压检测电路、开关电路以及第二分压检测电路，所述第一分压检测电路连接直流输入端，所述第二分压检测电路连接负载，所述开关电路分别连接所述第一分压检测电路和所述第二分压检测电路；所述开关电路包括MOS管和三极管，所述MOS管的栅极、所述三极管的集电极串联后并与所述第一分压检测电路连接，所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极连接所述负载，所述第二分压检测电路连接在所述三极管的基极和发射极之间。本实用新型专利技术的输出电压保护效果好，电压调节方便，电路可靠性高。电路可靠性高。电路可靠性高。
【技术实现步骤摘要】
一种MOS管控制开关的过压保护电路
[0001]本技术涉及过压保护电路
，尤其涉及一种MOS管控制开关的过压保护电路。
技术介绍
[0002]随着电源技术的不断发展，开关电源的小型化和高效化越来越得到重视。其中的DC/DC变换器的耐用性和可靠性逐渐成为人们所关心的问题。在DC/DC 变换器中最常见也是最危险的故障就是模块输出电压过高的故障，会烧毁整个应用电路，产生严重的后果。输出过压保护是开关电源中一个非常重要的组成部分，特别是对于降压型直流开关变换器,可以将一种直流电源变换成另一种具有不同输出特性的直流电源。如果在工作时，开关电源的功率管因为某种原因突然损坏，那么输出电压可能立即上升到未稳压的直流电源电压值，直接加到低压逻辑器件的两端可能会使某些逻辑器件直接烧毁，造成巨大的损失，安全性差。
技术实现思路
[0003]针对以上相关技术的不足，本技术提出一种在DC转DC电路中电压保护效果好的MOS管控制开关的过压保护电路。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种MOS管控制开关的过压保护电路，包括：第一分压检测电路、开关电路以及第二分压检测电路，所述第一分压检测电路连接直流输入端，所述第二分压检测电路连接负载，所述开关电路分别连接所述第一分压检测电路和所述第二分压检测电路；
[0005]所述开关电路包括MOS管和三极管，所述MOS管的栅极、所述三极管的集电极串联后并与所述第一分压检测电路连接，所述MOS管的源极接地，所述MOS 管的漏极连接所述负载，所述第二分压检测电路连接在所述三极管的基极和发射极之间。
[0006]优选的，所述第一分压检测电路包括第一电阻和与所述第一电阻串联的第二电阻，所述第一电阻的第一端连接所述直流输入端，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接所述MOS管的源极，所述MOS管的栅极连接在所述第一电阻和所述第二电阻之间。
[0007]优选的，所述三极管的集电极连接在所述第一电阻和所述第二电阻之间。
[0008]优选的，所述第一电阻的阻值大小为20K欧姆，所述第二电阻的阻值大小为20K欧姆。
[0009]优选的，所述第二分压检测电路包括第三电阻和与所述第三电阻串联的第四电阻，所述第三电阻的第一端连接所述负载，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述三极管的发射极连接并接地，所述三极管的基极连接在所述第三电阻和所述第四电阻之间。
[0010]优选的，所述过压保护电路还包括稳压二极管，所述稳压二极管的第一端连接所
述三极管的基极，所述稳压二极管的第二端连接在所述第三电阻和所述第四电阻之间。
[0011]优选的，所述第三电阻的阻值大小为20K欧姆，所述第四电阻的阻值大小为20K欧姆。
[0012]与相关技术相比，本技术通过将第一分压检测电路连接直流输入端，第二分压检测电路连接负载，开关电路分别连接第一分压检测电路和第二分压检测电路；将MOS管的栅极、三极管的集电极串联后并与第一分压检测电路连接，MOS管的源极接地，MOS管的漏极连接负载，第二分压检测电路连接在三极管的基极和发射极之间；利用第一分压检测电路和第二分压检测电路进行分压检测，通过MOS管和三极管连接在第一分压检测电路和第二分压检测电路之间可以随意设定输出过压保护值，防止电路出现故障后输出电压变高导致烧坏输出设备，电路的过压保护效果好。
附图说明
[0013]下面结合附图详细说明本技术。通过结合以下附图所作的详细描述，本技术的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：
[0014]图1为本技术MOS管控制开关的过压保护电路的电路图。
具体实施方式
[0015]下面结合附图详细说明本技术的具体实施方式。
[0016]在此记载的具体实施方式/实施例为本技术的特定的具体实施方式，用于说明本技术的构思，均是解释性和示例性的，不应解释为对本技术实施方式及本技术范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书和说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案，都在本技术的保护范围之内。
[0017]本技术提供一种MOS管控制开关的过压保护电路100。
[0018]请参考图1所示，其中，图1为本技术MOS管控制开关的过压保护电路的电路图。
[0019]具体的，MOS管控制开关的过压保护电路100包括：第一分压检测电路10、开关电路20以及第二分压检测电路30，所述第一分压检测电路10连接直流输入端，所述第二分压检测电路30连接负载，所述开关电路20分别连接所述第一分压检测电路10和所述第二分压检测电路30。通过第一分压检测电路10用于对直流输入端输入的直流电源电压进行分压检测，第二分压检测电路30用于对直流输出端输出的负载电压进行分压检测，将所述开关电路20分别连接所述第一分压检测电路10和所述第二分压检测电路30，通过开关电路20实现过压保护的效果。
[0020]所述开关电路20包括MOS管Q15和三极管Q9，所述MOS管Q15的栅极、所述三极管Q9的集电极串联后并与所述第一分压检测电路10连接，所述MOS 管Q15的源极接地，所述MOS管Q15的漏极连接所述负载，所述第二分压检测电路30连接在所述三极管Q9的基极和发射极之间。正常情况下MOS管Q15导通，直流电源电压经第一分压检测电路10流经MOS管Q15至三极管Q9中，通过三极管Q9从第二分压检测电路30实现负载供电。当输入的直流电源电压
过高时，MOS管Q15关断，过压保护电路断开，以保证后续输出设备的负载电路不被损坏，提升了输出设备中过压保护电路的可靠性。
[0021]在本实施例中，所述第一分压检测电路10包括第一电阻R53和与所述第一电阻R53串联的第二电阻R55，所述第一电阻R53的第一端连接所述直流输入端，所述第一电阻R53的第二端连接所述第二电阻R55的第一端，所述第二电阻R55的第二端连接所述MOS管Q15的源极，所述MOS管Q15的栅极连接在所述第一电阻R53和所述第二电阻R55之间。在直流输入端输入电压时，通过第一电阻R53和第二电阻R55使得其之间的电压比较低，达不到MOS管Q15的导通电压，MOS管Q15处于截止状态。此时直流输入电源输出至三极管Q9的集电极上，用以正常为输出设备的负载电路供电。
[0022]在本实施例中，所述三极管Q9的集电极连接在所述第一电阻R53和所述第二电阻R55之间。使得电路的可靠性增强。
[0023]在本实施例中，所述第一电阻R53的阻值大小为20K欧姆，所述第二电阻 R55的阻值大小为20K欧姆。第一电阻R53和第二电阻R55的阻值相同，可以保证连接在第一电阻R53和第二电阻R55之间的MOS管Q15和三极管Q9的电路本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOS管控制开关的过压保护电路，其特征在于，包括：第一分压检测电路、开关电路以及第二分压检测电路，所述第一分压检测电路连接直流输入端，所述第二分压检测电路连接负载，所述开关电路分别连接所述第一分压检测电路和所述第二分压检测电路；所述开关电路包括MOS管和三极管，所述MOS管的栅极、所述三极管的集电极串联后并与所述第一分压检测电路连接，所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极连接所述负载，所述第二分压检测电路连接在所述三极管的基极和发射极之间。2.如权利要求1所述的MOS管控制开关的过压保护电路，其特征在于，所述第一分压检测电路包括第一电阻和与所述第一电阻串联的第二电阻，所述第一电阻的第一端连接所述直流输入端，所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接所述MOS管的源极，所述MOS管的栅极连接在所述第一电阻和所述第二电阻之间。3.如权利要求2所述的MOS管控制开关的过压保护电路，其特征在于，所述三极管的集...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑录古，
申请(专利权)人：佛山市锐霸电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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