一种通过一次下变频实现高镜频抑制的电路制造技术

本发明专利技术提供一种通过一次下变频实现高镜频抑制的电路，该电路包括IQ混频器(2)、90

【技术实现步骤摘要】
一种通过一次下变频实现高镜频抑制的电路


[0001]本专利技术涉及高镜频抑制电路领域，尤其是涉及一种通过一次下变频实现高镜频抑制的电路。

技术介绍

[0002]雷达工作时，接收机除了接收到有用的频率分量，还会接收到其他干扰频率分量，镜像频率分量便是其中一种。经过下变频后，镜像频率分量与本振下变频得到的信号会叠加在中频信号上，造成的干扰无法通过普通的中频带通滤波器滤除，因此对镜频的抑制一直是雷达接收机的关键技术。
[0003]近几年国内的雷达技术发展迅速，雷达体积也是越来越小，同时对镜频抑制的要求也越来越高。目前获得镜频抑制的方案有两种：一个是采用二次下变频，该方法会增加器件数量和接收机体积，对镜频的抑制度大概为70dB左右；另一个方案是采用一次正交混频，该方法的镜频抑制度有限，对镜频的抑制度大概为25dB左右，无法满足镜频抑制度的高指标要求。因此，设计一种可实现一次下变频的高镜频抑制电路显得十分必要。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于：针对现有技术存在的问题，提供一种通过一次下变频实现高镜频抑制的电路，解决二次下变频的体积问题和一次下变频指标低的问题，实现接收机的小型化，同时保证指标。
[0005]本专利技术的专利技术目的通过以下技术方案来实现：
[0006]一种通过一次下变频实现高镜频抑制的电路，该电路包括IQ混频器2、90
°
电桥3、三个单刀双掷开关4、两个负载5、低通滤波器6以及频率源7，所述IQ混频器2分别与90
°
电桥3和频率源7连接，所述90
°
电桥3通过三个单刀双掷开关4分别与两个负载5和低通滤波器6连接。
[0007]作为进一步的技术方案，在IQ混频器2之前增加了一级镜频滤波器1。
[0008]作为进一步的技术方案，所述镜频滤波器1dB带宽大于等于BW，小于等于BW+IF。
[0009]作为进一步的技术方案，通过频率源7将本振信号分为低本振和高本振两段，低本振适用于射频信号低端，高本振适用于射频信号高端。
[0010]作为进一步的技术方案，通过频率源7将本振信号分为低本振和高本振两段，分别为：LOL＝(F0
‑
0.5
×
BW
‑
IF)～(F0
‑
IF)和LOH＝(F0+IF)～(F0+0.5
×
BW+IF)，其中：F0为中心频率、BW为射频信号的带宽，IF为通过混频得到中频频率；当射频信号频率RFL＝(F0
‑
0.5
×
BW)～F0时，采用低本振进行混频；当射频信号频率为RFH＝F0～(F0+0.5
×
BW)时，采用高本振进行混频。
[0011]作为进一步的技术方案，射频信号先通过90
°
电桥(3)，再通过两个单刀双掷开关根据低本振和高本振的状态进行移相通道的选择，最后通过一个单刀双掷开关进行主通道的选择。
[0012]作为进一步的技术方案，通过中频的低通滤波器(6)滤除混频得到的远端高频分量。
[0013]作为进一步的技术方案，镜频滤波器1用1个低通滤波器和1个高通滤波器替代。
[0014]作为进一步的技术方案，低通滤波器6用带通滤波器替代。
[0015]作为进一步的技术方案，三个单刀双掷开关4替换为1个双刀双掷开关。
[0016]与现有技术相比，本专利技术其能够解决两次下变频带来的器件和体积的增加，易于实现产品小型化；并且此专利技术可以简化接收机排版，与两次下变频相比降低了成本，提高了效率。
附图说明
[0017]图1为本专利技术电路原理图；
[0018]图2为本专利技术工作流程图。
具体实施方式
[0019]下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。
[0020]实施例
[0021]本专利技术主要针对目前小型化、高指标要求的雷达，是一种只通过一次下变频既能实现高镜频抑制的电路，可应用于雷达系统的接收通道。本专利技术涉及一种通过一次下变频即可实现高镜频抑制的电路，用于解决在小型化雷达上实现接收机的小型化且满足高镜频抑制度的要求。
[0022]本专利技术通过以下技术方案予以实现：如图1和图2所示，要将中心频率为F0、带宽为BW的射频信号，通过混频得到中频频率IF，电路组成包括镜频滤波器(1)、IQ混频器(正交混频器)(2)、90
°
电桥(3)、单刀双掷开关(4)、负载(5)、低通滤波器(6)以及频率源(7)。IQ混频器(2)分别与90
°
电桥(3)和频率源(7)连接，所述90
°
电桥(3)通过三个单刀双掷开关(4)分别与两个负载(5)和低通滤波器(6)连接。
[0023]本专利技术中首先通过频率源(7)将混频所需的本振信号分为低本振和高本振两段，分别为：LOL＝(F0
‑
0.5
×
BW
‑
IF)～(F0
‑
IF)和LOH＝(F0+IF)～(F0+0.5
×
BW+IF)。当射频信号频率为RFL＝(F0
‑
0.5
×
BW)～F0时，采用低本振进行混频；当射频信号频率为RFH＝F0～(F0+0.5
×
BW)时，采用高本振进行混频。
[0024]下面分别对低本振和高本振混频过程进行描述：
[0025]a)低本振
[0026]设射频信号RFL幅度为A时，本振信号LOL幅度为1，镜频信号IML幅度为B。
[0027]则进入IQ混频器(2)之前，信号为：
[0028]fL(t)＝AcosωRFL
×
t+BcosωIML
×
t
[0029]通过IQ混频器(2)后，与低本振混频得到的I(同相信号)和Q(正交信号)两路信号分别为：
[0030][0031][0032]通过90
°
电桥(3)对I路信号进行90
°
移相后，得到中频信号为：
[0033][0034]则输出中频为：
[0035][0036]b)高本振
[0037]设射频信号RFH幅度为A时，本振信号LOH幅度为1，镜频信号IMH幅度为B。
[0038]则进入IQ混频器(2)之前，信号为：
[0039]fH(t)＝AcosωRFH
×
t+BcosωIMH
×
t
[0040]通过IQ混频器(2)后，与低本振混频得到的I(同相信号)和Q(正交信号)两路信号分别为：
[0041][0042][0043]通过90
°
电桥(3)对Q路信号进行90
°
移相后，得到中频信号为：
[0044][0045]则输出中频为：
[0046][0047]此时，A sin(ωRFH+ωLO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过一次下变频实现高镜频抑制的电路，其特征在于，该电路包括IQ混频器(2)、90
°
电桥(3)、三个单刀双掷开关(4)、两个负载(5)、低通滤波器(6)以及频率源(7)，所述IQ混频器(2)分别与90
°
电桥(3)和频率源(7)连接，所述90
°
电桥(3)通过三个单刀双掷开关(4)分别与两个负载(5)和低通滤波器(6)连接。2.根据权利要求1所述的一种通过一次下变频实现高镜频抑制的电路，其特征在于，在IQ混频器(2)之前增加了一级镜频滤波器(1)。3.根据权利要求2所述的一种通过一次下变频实现高镜频抑制的电路，其特征在于，所述镜频滤波器1dB带宽大于等于BW，小于等于BW+IF。4.根据权利要求1所述的一种通过一次下变频实现高镜频抑制的电路，其特征在于，通过频率源(7)将本振信号分为低本振和高本振两段，低本振适用于射频信号低端，高本振适用于射频信号高端。5.根据权利要求4所述的一种通过一次下变频实现高镜频抑制的电路，其特征在于，通过频率源(7)将本振信号分为低本振和高本振两段，分别为：LOL＝(F0
‑
0.5
×
BW
‑
IF)～(F0
‑
I...

【专利技术属性】
技术研发人员：马莞迪，
申请(专利权)人：成都辰天信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：