显示设备及制造显示设备的方法技术

本公开提供一种显示设备和一种制造显示设备的方法。所述显示设备包括：基底；像素电路，设置在所述基底上方并且包括薄膜晶体管和存储电容器；绝缘层，覆盖所述像素电路；桥电极，设置在所述绝缘层上方并且通过形成在所述绝缘层中的接触孔电连接到所述像素电路；像素电极，设置在所述绝缘层上方并且电连接到所述桥电极；像素限定层，设置在所述像素电极上方并且限定与所述像素电极的一部分重叠的开口；对电极，在所述像素电极上方；以及发射层，设置在所述像素电极与所述对电极之间，其中，在平面图中所述像素电极不与所述绝缘层的所述接触孔重叠。触孔重叠。触孔重叠。

【技术实现步骤摘要】
显示设备及制造显示设备的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并且要求于2021年4月19日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0050741号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0003]一个或多个实施例涉及一种显示设备及一种制造显示设备的方法。

技术介绍

[0004]显示设备向用户提供诸如图像或视频的视觉信息。随着诸如计算机和大型电视机(TV)的各种电子设备的发展，已经开发了适用于各种电子设备的各种类型的显示设备。近来，基于移动性的电子设备已经被广泛使用，并且诸如移动电话和平板个人计算机(PC)的移动电子设备已经被广泛使用。
[0005]在各种显示设备中，因为有机发光显示设备具有诸如广视角、优异的对比度和高响应率等优点，所以有机发光显示设备已经被广泛使用。通常，在有机发光显示设备中，薄膜晶体管和自身发射光的有机发光二极管形成在基底上方。

技术实现思路

[0006]然而，可能存在外部光从显示设备的表面反射并且然后被用户视觉识别的问题。为了最小化这个问题，显示设备可以包括偏振层等；然而，这可能导致显示设备的厚度增加或显示设备的光效率降低等。
[0007]为了解决包括上述问题在内的各种问题，一个或多个实施例包括一种显示设备和一种制造所述显示设备的方法，其中在所述显示设备的表面处的外部光反射率降低。然而，这些问题仅是示例并且本公开的范围不限于此。
[0008]另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得明显，或者可以通过所呈现的实施例的实践被获知。
[0009]根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底；像素电路，设置在所述基底上方并且包括薄膜晶体管和存储电容器；绝缘层，覆盖所述像素电路；桥电极，设置在所述绝缘层上方并且通过形成在所述绝缘层中的接触孔电连接到所述像素电路；像素电极，设置在所述绝缘层上方并且电连接到所述桥电极；像素限定层，设置在所述像素电极上方并且限定与所述像素电极的一部分重叠的开口；对电极，在所述像素电极上方；以及发射层，设置在所述像素电极与所述对电极之间，其中，在平面图中所述像素电极不与所述绝缘层的所述接触孔重叠。
[0010]根据本实施例，在平面图中所述桥电极的至少一部分可以与所述像素限定层的所述开口重叠。
[0011]根据本实施例，所述桥电极可以包括透明导电氧化物。
[0012]根据本实施例，在平面图中所述桥电极的面积可以大于所述像素电极的面积。
[0013]根据本实施例，所述桥电极的所述至少一部分可以设置在所述像素电极上方。
[0014]根据本实施例，所述像素电极可以包括：导电层，包括透明导电氧化物；和反射层，设置在所述导电层上方并且包括金属，其中，所述桥电极的所述至少一部分可以接触所述像素电极的所述反射层的上表面。
[0015]根据本实施例，所述像素电极可以包括：下导电层，包括透明导电氧化物；反射层，设置在所述下导电层上方并且包括金属；以及上导电层，设置在所述反射层上方并且包括透明导电氧化物，其中，所述桥电极的所述至少一部分可以接触所述像素电极的所述上导电层的上表面。
[0016]根据本实施例，所述桥电极的所述至少一部分可以设置在所述绝缘层与所述像素电极之间。
[0017]根据本实施例，所述像素电极可以包括：反射层，包括金属；和导电层，设置在所述反射层上方并且包括透明导电氧化物，其中，所述桥电极的所述至少一部分可以接触所述像素电极的所述反射层的下表面。
[0018]根据本实施例，所述像素电极可以包括：下导电层，包括透明导电氧化物；反射层，设置在所述下导电层上方并且包括金属；以及上导电层，设置在所述反射层上方并且包括透明导电氧化物，其中，所述桥电极的所述至少一部分可以接触所述像素电极的所述下导电层的下表面。
[0019]根据本实施例，所述桥电极可以包括：第一桥电极层，设置在所述绝缘层与所述像素电极之间；第二桥电极层，设置在所述第一桥电极层上，其中，所述像素电极可以设置在所述桥电极的所述第一桥电极层与所述第二桥电极层之间。
[0020]根据本实施例，所述像素电极可以包括：反射层，包括金属，并且所述第一桥电极层可以接触所述像素电极的所述反射层的下表面。
[0021]根据本实施例，所述像素电极还可以包括：导电层，设置在所述反射层上方并且包括透明导电氧化物，并且所述第二桥电极层可以接触所述像素电极的所述导电层的上表面。
[0022]根据本实施例，所述像素限定层可以包括光阻挡材料。
[0023]根据一个或多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：在基底上方形成包括薄膜晶体管和存储电容器的像素电路；形成覆盖所述像素电路并且包括至少一个接触孔的绝缘层；形成设置在所述绝缘层上方并且通过所述绝缘层的所述至少一个接触孔电连接到所述像素电路的桥电极；形成设置在所述绝缘层上方并且电连接到所述桥电极的像素电极；形成设置在所述像素电极上方并且限定与所述像素电极的一部分重叠的开口的像素限定层；在所述像素电极上方形成发射层；并且在所述发射层上方形成对电极，其中，所述像素电极的形成包括：形成像素电极材料层；和图案化所述像素电极材料层，使得在平面图中所述像素电极不与所述绝缘层的所述接触孔重叠。
[0024]根据本实施例，所述桥电极的形成可以包括：形成桥电极材料层；和图案化所述桥电极材料层，使得在平面图中所述桥电极的至少一部分可以与所述像素限定层的所述开口重叠。
[0025]根据本实施例，所述桥电极可以包括透明导电氧化物。
[0026]根据本实施例，所述像素电极可以包括：导电层，包括透明导电氧化物；和反射层，
设置在所述导电层上方并且包括金属，其中，所述桥电极的所述至少一部分可以设置在所述像素电极上方并且可以接触所述像素电极的所述反射层的上表面。
[0027]根据本实施例，所述像素电极可以包括：下导电层，包括透明导电氧化物；反射层，设置在所述下导电层上方并且包括金属；以及上导电层，设置在所述反射层上方并且包括透明导电氧化物，其中，所述桥电极的所述至少一部分可以设置在所述像素电极上方并且可以接触所述像素电极的所述上导电层的上表面。
[0028]根据本实施例，所述像素电极可以包括：反射层，包括金属；和导电层，设置在所述反射层上方并且包括透明导电氧化物，其中，所述桥电极的所述至少一部分可以设置在所述绝缘层与所述像素电极之间并且可以接触所述像素电极的所述反射层的下表面。
[0029]根据本实施例，所述像素电极可以包括：下导电层，包括透明导电氧化物；反射层，设置在所述下导电层上方并且包括金属；以及上导电层，设置在所述反射层上方并且包括透明导电氧化物，其中，所述桥电极的所述至少一部分可以设置在所述绝缘层与所述像素电极之间并且可以接触所述像素电极的所述下导电层的下表面。
[0030]根据一个或多个实施例，一种制造显示设备的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：基底；像素电路，设置在所述基底上方并且包括薄膜晶体管和存储电容器；绝缘层，覆盖所述像素电路；桥电极，设置在所述绝缘层上方并且通过形成在所述绝缘层中的接触孔电连接到所述像素电路；像素电极，设置在所述绝缘层上方并且电连接到所述桥电极；像素限定层，设置在所述像素电极上方并且限定与所述像素电极的一部分重叠的开口；对电极，在所述像素电极上方；以及发射层，设置在所述像素电极与所述对电极之间，其中，在平面图中所述像素电极不与所述绝缘层的所述接触孔重叠。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在平面图中所述桥电极的至少一部分与所述像素限定层的所述开口重叠。3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述桥电极的所述至少一部分设置在所述像素电极上方。4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述像素电极包括：导电层，包括透明导电氧化物；和反射层，设置在所述导电层上方并且包括金属，并且其中，所述桥电极的所述至少一部分接触所述像素电极的所述反射层的上表面。5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述像素电极包括：下导电层，包括透明导电氧化物；反射层，设置在所述下导电层上方并且包括金属；以及上导电层，设置在所述反射层上方并且包括透明导电氧化物，并且其中，所述桥电极的所述至少一部分接触所述像素电极的所述上导电层的上表面。6.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述桥电极的所述至少一部分设置在所述绝缘层与所述像素电极之间。7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述像素电极包括：反射层，包括金属；和导电层，设置在所述反射层上方并且包括透明导电氧化物，并且其中，所述桥电极的所述至少一部分接触所述像素电极的所述反射层的下表面。8.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述像素电极包括：下导电层，包括透明导电氧化物；反射层，设置在所述下导电层上方并且包括金属；以及上导电层，设置在所述反射层上方并且包括透明导电氧化物，并且其中，所述桥电极的所述至少一部分接触所述像素电极的所述下导电层的下表面。9.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述桥电极包括：第一桥电极层，设置在所述绝缘层与所述像素电极之间；和第二桥电极层，设置在所述第一桥电极层上方，并且
其中，所述像素电极设置在所述桥电极的所述第一桥电极层与所述第二桥电极层之间。10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述像素电极包括包括金属的反射层，并且其中，所述第一桥电极层接触所述像素电极的所述反射层的下表面。11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述像素电极还包括设置在所述反射层上方并且包括透明导电氧化物的导电层，并且其中，所述第二桥电极层接触所述像素电极的所述导电层的上表面。12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述桥电极包括透明导电氧化物。13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在平面图中所述桥电极的面积大于所述像素电极的面积。14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素限定层包括光阻挡材料。15.一种制造显示设备的方法，其中，所述方法包括：在基底上方形成包括薄膜晶体管和存储电容器的像素电路；形成覆盖所述像素电路并且包括至少一个接触孔的绝缘层；形成设置在所述绝缘层上方并且通过所述绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：李骏熙，柳慜烈，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：