量子点发光器件及显示装置制造方法及图纸

量子点发光器件及显示装置，涉及显示技术领域。本申请通过在基底上设置第一电极和像素界定层，像素界定层包括像素开口以及围设形成像素开口的第一像素分隔体，在像素开口内设置有发光功能层，第二电极覆盖发光功能层，且第一像素分隔体的材料包括导热材料，导热材料为绝缘材料，且导热材料的导热系数大于25W/(m

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种量子点发光器件及显示装置。

技术介绍

[0002]QD(Quantum dot，量子点)发光器件具有发光强度高、单色性好、色彩饱和度高和稳定性好等优点，因此，量子点发光器件在显示领域有良好的应用前景。
[0003]但是，量子点发光器件在发光时会产生热量，产生的热量会导致量子点发光器件的温度升高，从而影响量子点发光器件的寿命和稳定性。

技术实现思路

[0004]本申请一些实施例提供了如下技术方案：
[0005]第一方面，提供了一种量子点发光器件，包括：
[0006]第一电极，位于基底上；
[0007]像素界定层，位于所述基底上，所述像素界定层包括暴露出所述第一电极的像素开口以及围设形成所述像素开口的第一像素分隔体；
[0008]发光功能层，位于所述像素开口内；
[0009]第二电极，覆盖所述发光功能层；
[0010]其中，所述第一像素分隔体的材料包括导热材料，所述导热材料为绝缘材料，且所述导热材料的导热系数大于25W/(m
·
K)。
[0011]可选的，所述第一像素分隔体的材料包括像素分隔材料和所述导热材料，所述导热材料掺杂在所述像素分隔材料内，且所述导热材料的导热系数大于所述像素分隔材料的导热系数；或者，
[0012]所述第一像素分隔体的材料仅包括所述导热材料。
[0013]可选的，所述第一像素分隔体包括层叠设置的第一分隔部和第二分隔部，所述第二分隔部位于所述第一分隔部远离所述基底的一侧；
[0014]其中，所述第一分隔部的导热系数小于所述第二分隔部的导热系数。
[0015]可选的，所述第一分隔部和所述第二分隔部的材料均包括所述像素分隔材料和所述导热材料；
[0016]所述第一分隔部内的所述导热材料与所述第二分隔部内的所述导热材料相同，且所述第一分隔部内的所述导热材料的质量百分比，小于所述第二分隔部内的所述导热材料的质量百分比。
[0017]可选的，所述第一分隔部包括的导热材料与所述第二分隔部包括的导热材料不同，所述第一分隔部包括的导热材料的导热系数小于所述第二分隔部包括的导热材料的导热系数。
[0018]可选的，所述第一分隔部和所述第二分隔部的材料均包括所述像素分隔材料和所述导热材料；
[0019]所述第一分隔部内的导热材料的质量百分比，等于或小于所述第二分隔部内的导热材料的质量百分比。
[0020]可选的，位于所述发光功能层的第一侧面处的所述第一分隔部和所述第二分隔部，沿垂直于所述基底所在平面的横截面的形状包括矩形；所述第一侧面为所述发光功能层中与所述基底所在平面垂直的任意一个表面。
[0021]可选的，所述发光功能层包括层叠设置的第一功能层、量子点发光层和第二功能层，所述第一功能层、所述量子点发光层和所述第二功能层依次远离所述第一电极设置；
[0022]所述量子点发光层靠近所述基底一侧的表面到所述基底的距离，大于所述第二分隔部靠近所述基底一侧的表面到所述基底的距离。
[0023]可选的，所述发光功能层包括层叠设置的第一功能层、量子点发光层和第二功能层，所述第一功能层、所述量子点发光层和所述第二功能层依次远离所述第一电极设置；
[0024]在所述第一像素分隔体中，与所述第二功能层和所述量子点发光层接触的部位沿平行于所述基底所在平面的横截面的面积，大于与所述第一功能层接触的部位沿平行于所述基底所在平面的横截面的面积。
[0025]可选的，从所述基底指向所述第二电极的方向上，位于所述发光功能层的第二侧面处的所述第一像素分隔体，沿垂直于所述基底所在平面的横截面的形状包括倒梯形。
[0026]可选的，所述像素界定层还包括第二像素分隔体，所述第二像素分隔体位于所述第一像素分隔体远离所述发光功能层的一侧，且所述第二像素分隔体的导热系数小于所述第一像素分隔体的导热系数。
[0027]可选的，所述第二像素分隔体与所述第一像素分隔体之间不存在间隙，且在沿着垂直于所述基底的方向上，所述第二像素分隔体与所述第一像素分隔体的厚度相等。
[0028]可选的，所述像素界定层还包括第三像素分隔体，所述第三像素分隔体位于所述第一像素分隔体远离所述基底的一侧，所述第三像素分隔体的导热系数大于或等于所述第一像素分隔体的导热系数，且所述第三像素分隔体还延伸至所述第二像素分隔体远离所述基底的表面。
[0029]可选的，所述量子点发光器件还包括导热层，所述导热层位于所述第二电极远离所述基底的一侧。
[0030]可选的，所述量子点发光器件还包括封装结构；
[0031]所述导热层位于所述封装结构与所述第二电极之间，且所述导热层的材料为绝缘材料；或者，所述导热层位于所述封装结构远离所述第二电极的一侧。
[0032]可选的，所述导热材料包括氮化硼、氮化铝、氧化铍中的至少一者。
[0033]第二方面，提供了一种显示装置，包括多个上述的量子点发光器件，且相邻两个所述量子点发光器件共用同一第一像素分隔体。
[0034]第三方面，还提供了一种显示装置，包括多个上述的量子点发光器件，且相邻两个所述量子点发光器件共用同一第二像素分隔体。
[0035]在本申请实施例中，通过在基底上设置第一电极和像素界定层，像素界定层包括暴露出第一电极的像素开口以及围设形成像素开口的第一像素分隔体，在像素开口内设置有发光功能层，量子点发光器件还包括覆盖发光功能层的第二电极，且第一像素分隔体的材料包括导热材料，导热材料为绝缘材料，且导热材料的导热系数大于25W/(m
·
K)。通过采
用包括导热材料的材料作为第一像素分隔体的材料，因此，量子点发光器件在发光时，发光功能层产生的热量会传导至第一像素分隔体内部，再通过第一像素分隔体将热量传导至外界环境，使得包括导热材料的第一像素分隔体可实现将发光功能层产生的热量进行有效导出，避免热量聚集导致量子点发光器件的温度升高，从而提高了量子点发光器件的寿命和稳定性。
附图说明
[0036]图1示出了本申请实施例的第一种量子点发光器件的结构示意图；
[0037]图2示出了本申请实施例的第二种量子点发光器件的结构示意图；
[0038]图3示出了本申请实施例的第三种量子点发光器件的结构示意图；
[0039]图4示出了本申请实施例的第四种量子点发光器件的结构示意图；
[0040]图5示出了本申请实施例的第五种量子点发光器件的结构示意图；
[0041]图6示出了本申请实施例的第六种量子点发光器件的结构示意图；
[0042]图7示出了本申请实施例的一种量子点发光器件的制作方法的流程图；
[0043]图8示出了在基底上形成第一电极后的结构示意图；
[0044]图9示出了在图8所示的结构上形成第一分隔薄膜和第二分隔薄膜后的结构示意图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：第一电极，位于基底上；像素界定层，位于所述基底上，所述像素界定层包括暴露出所述第一电极的像素开口以及围设形成所述像素开口的第一像素分隔体；发光功能层，位于所述像素开口内；第二电极，覆盖所述发光功能层；其中，所述第一像素分隔体的材料包括导热材料，所述导热材料为绝缘材料，且所述导热材料的导热系数大于25W/(m
·
K)。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一像素分隔体的材料包括像素分隔材料和所述导热材料，所述导热材料掺杂在所述像素分隔材料内，且所述导热材料的导热系数大于所述像素分隔材料的导热系数；或者，所述第一像素分隔体的材料仅包括所述导热材料。3.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一像素分隔体包括层叠设置的第一分隔部和第二分隔部，所述第二分隔部位于所述第一分隔部远离所述基底的一侧；其中，所述第一分隔部的导热系数小于所述第二分隔部的导热系数。4.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一分隔部和所述第二分隔部的材料均包括所述像素分隔材料和所述导热材料；所述第一分隔部内的所述导热材料与所述第二分隔部内的所述导热材料相同，且所述第一分隔部内的所述导热材料的质量百分比，小于所述第二分隔部内的所述导热材料的质量百分比。5.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一分隔部包括的导热材料与所述第二分隔部包括的导热材料不同，所述第一分隔部包括的导热材料的导热系数小于所述第二分隔部包括的导热材料的导热系数。6.根据权利要求5所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一分隔部和所述第二分隔部的材料均包括所述像素分隔材料和所述导热材料；所述第一分隔部内的导热材料的质量百分比，等于或小于所述第二分隔部内的导热材料的质量百分比。7.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，位于所述发光功能层的第一侧面处的所述第一分隔部和所述第二分隔部，沿垂直于所述基底所在平面的横截面的形状包括矩形；所述第一侧面为所述发光功能层中与所述基底所在平面垂直的任意一个表面。8.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述发光功能层包括层叠设置的第一功能层、量子点发光层和第二功能层，所述第一功能层、所述量子点发光层和所述第二功能层依次远离所述第一电极设置；所述量子点发光层靠近所述基底一侧的表面到所述基底的距离，大于所述第二分隔部靠近所述基底一侧的表面到所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅文海，张渊明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：