基板清洗装置制造方法及图纸

本申请公开一种基板清洗装置，包括：清洗室；载物单元，其设置在所述清洗室内且用于承载基板；喷射单元，其用于将流体喷射至所述基板；旋转单元，其与所述载物单元连接且用于在旋转时带动所述载物单元旋转；以及阻挡单元，其环绕地设置在所述清洗室的内壁；所述阻挡单元设有朝向所述清洗室的内壁凹陷的空腔。本申请通过阻挡单元的空腔能够有效地阻挡在载物单元旋转时从基板脱离的流体被反弹回基板。单元旋转时从基板脱离的流体被反弹回基板。单元旋转时从基板脱离的流体被反弹回基板。

【技术实现步骤摘要】
基板清洗装置


[0001]本申请涉及半导体器件
，特别涉及一种基板清洗装置。

技术介绍

[0002]在目前的半导体制造工艺中，单晶圆清洗一直是湿法清洗方法的主流方法，因为它具有更好的清洗能力和稳定性。在现有的技术中，用于清洗单晶圆的基板清洗装置主要包括：清洗室、卡盘、喷射单元和旋转单元，其中清洗室包括内壁、挡板和排放或回收流体的通道，卡盘为支撑基板的载物台，喷射单元包括喷嘴和带动喷嘴移动的机械臂，旋转单元包括带动卡盘和基板旋转的电机。
[0003]清洗装置清洗基板的过程为：在卡盘上固定基板，并通过旋转单元带动卡盘和晶圆旋转；再通过喷嘴在基板上喷射各种流体(如化学清洗液、去离子水或N2等)。
[0004]由于基板处于旋转状态，因此在离心力的作用力下，喷射到基板表面的流体会从基板的边缘甩出，被甩出的流体沿着不规则的路径撞击清洗室的环状阻挡构件和/或内壁后，被反弹至基板的表面，造成基板表面污染，从而导致晶圆的性能出现缺陷。
[0005]现有基板清洗装置主要通过调节卡盘与清洗室的内壁之间的距离以及改变环状阻挡构件的角度，期望改善上述问题，然而，由于缺乏容纳流体的空腔，仅仅通过调节卡盘与清洗室的内壁之间的距离以及改变环状阻挡构件的角度，无法完全阻挡流体的反弹。
[0006]因此，需要一种能够解决上述问题的方法。

技术实现思路

[0007]本申请的主要目的是提出一种基本清洗装置，旨在大大减少被甩出的流体撞击到清洗室的挡板后被反弹至基板的表面的现象。
[0008]实现上述目的，本申请提出一种基本清洗装置，包括：
[0009]清洗室；
[0010]载物单元，其设置在所述清洗室内且用于承载基板；
[0011]喷射单元，其用于将流体喷射至所述基板；
[0012]旋转单元，其与所述载物单元连接且用于在旋转时带动所述载物单元旋转；以及
[0013]阻挡单元，其环绕地设置在所述清洗室的内壁；所述阻挡单元设有朝向所述清洗室的内壁凹陷的多个空腔。
[0014]在本实施例中，通过在该阻挡单元内设置多个空腔，使得该空腔能够有效地阻挡在载物单元旋转时从基板脱离的流体反弹回基板。
[0015]在一实施例中，所述阻挡单元包括环绕所述清洗室的内壁设置的多个挡板，每个挡板包括靠近所述清洗室的内壁的第一侧表面和远离所述清洗室的内壁且与第一侧表面相对的第二侧表面，相邻两个挡板中的一挡板的第一侧表面与另一挡板的第二侧表面构成一个空腔的两个侧壁。
[0016]在一实施例中，所述第一侧表面的弦切角大于所述第二侧表面的弦切角，所述第
一侧表面为外凸面且所述第二侧表面为内凹面。
[0017]在一实施例中，在远离所述清洗室的内壁的方向所述挡板的第一侧表面和第二侧表面逐渐汇聚，以汇聚成所述挡板的尖端部。
[0018]在本实施例中，尖端部可以破碎流体，避免流体撞击尖端部后反弹至基板。
[0019]在一实施例中，所述挡板的第一侧表面和/或第二侧表面设置有多个沟槽，所述沟槽用于将撞击到所述挡板的流体引流。
[0020]在本实施例中，通过在挡板上设置沟槽，使得撞击到挡板的流体能够沿着沟槽壁流下。
[0021]在一实施例中，所述多个挡板沿顺时针或逆时针方向有序地环绕所述载物单元设置，且相邻两个挡板之间的夹角小于或等于60
°
。
[0022]在本实施例中，通过将多个挡板沿顺时针或逆时针方向有序地环绕所述载物单元设置，由于载物单元的旋转产生离心力，流体在该离心力的作用下能够按照载物单元旋转的方向从基板脱离，使得脱离后的流体能够依然按照载物单元旋转的方向移动。由此，脱离后的流体能够很好地撞击在挡板上，以便挡板能够收集流体，从而避免流体反弹回基板。
[0023]在一实施例中，所述基板清洗装置还包括：导流板，所述导流板设置在所述阻挡单元的下方，所述导流板用于接收从所述阻挡单元流下的流体。
[0024]在一实施例中，所述清洗室具有第一开口和第二开口，所述第一开口设置在所述载物单元的上方，所述第一开口和所述第二开口相对；
[0025]所述第一开口用于通过其将所述流体喷射到所述基板上；
[0026]所述第二开口用于所述旋转单元的旋转轴从其进入到所述清洗室内。
[0027]在一实施例中，所述喷射单元包括：设置于所述载物单元上方的喷嘴，所述喷嘴用于将所述流体喷射至所述基板。
[0028]在一实施例中，当在所述基板清洗装置内设置一层所述阻挡单元时，所述阻挡单元位于所述载物单元的上方，或，当在所述基板清洗装置内设置多层所述阻挡单元时至少一层阻挡单元位于所述载物单元的上方。
[0029]在一实施例中，当在所述基板清洗装置内设置多层所述阻挡单元时，所述导流板可设置在所述阻挡单元的上表面上，用于阻挡流体从相邻两个挡板之间的所述空腔上方飞出，其中所述阻挡单元的上表面是指与所述阻挡单元和所述清洗室的内壁接触的接触面相邻的面。
[0030]在一实施例中，在所述载物单元所处的水平面内，所述挡板的边缘与放置在所述载物单元上的基板的边缘之间的水平距离为30
‑
100mm。
[0031]在一实施例中，所述载物单元还包括：用于支撑所述基板的载物台，所述载物台与所述旋转单元连接，以在所述旋转单元旋转时旋转。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0033]图1(a)
‑
(b)示出了本申请一实施例的基板清洗装置的结构示意图；
[0034]图2示出了本申请一实施例的阻挡单元的结构示意图；
[0035]图3示出了本申请一实施例的挡板的边缘与放置在载物单元上的基板的边缘之间的水平距离的结构示意图；
[0036]图4示出了本申请另一实施例的相邻两个挡板的结构示意图；
[0037]图5(a)
‑
(c)示出了本申请另一实施例的挡板的俯视图；
[0038]图6示出了本申请另一实施例的挡板的结构示意图。
[0039]附图标号说明：
[0040]标号名称标号名称100基板清洗装置101清洗室102载物单元103喷射单元104旋转单元105阻挡单元106基板107导流板103a喷嘴108空腔105a挡板105a1第一挡板105a2第二挡板109引流管
[0041]本申请目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0042]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板清洗装置，其特征在于，包括：清洗室；载物单元，其设置在所述清洗室内且用于承载基板；喷射单元，其用于将流体喷射至所述基板；旋转单元，其与所述载物单元连接且用于在旋转时带动所述载物单元旋转；以及阻挡单元，其环绕地设置在所述清洗室的内壁；所述阻挡单元设有朝向所述清洗室的内壁凹陷的多个空腔。2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，所述阻挡单元包括环绕所述清洗室的内壁设置的多个挡板，所述挡板包括靠近所述清洗室的内壁的第一侧表面和远离所述清洗室的内壁且与第一侧表面相对的第二侧表面，相邻两个挡板中的一挡板的第一侧表面与另一挡板的第二侧表面构成一个空腔的两个侧壁。3.根据权利要求2所述的基板清洗装置，其特征在于，所述第一侧表面的弦切角大于所述第二侧表面的弦切角，所述第一侧表面为外凸面且所述第二侧表面为内凹面。4.根据权利要求2或3所述的基板清洗装置，其特征在于，在远离所述清洗室的内壁的方向所述挡板的第一侧表面和第二侧表面逐渐汇聚，以汇聚成所述挡板的尖端部。5.根据权利要求2或3所述的基板清洗装置，其特征在于，所述挡板的第一侧表面和/或第二侧表面设置有多个沟槽，所述沟槽用于将撞击到所述挡板的流体引流。6.根据权利要求2或3所述的基板清洗装置，其特征在于，所述多个挡板...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴侑勋，郑元进，林清山，
申请(专利权)人：广州集成电路技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：