一种防反接的低边位控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种防反接的低边位控制电路，包括主开关模块、控制模块和负载R_Load；主开关模块用于接收控制模块发出的信号，然后产生相应开关动作，并且具有防反接功能；控制模块又包含启动和停止按钮，用于传输、驱动或指示给下一级对应的电路。本实用新型专利技术提供的一种防反接的低边位控制电路，克服了现有技术的缺陷，电压适应范围较宽，应用在不同电压范围的控制电路时不需要过多考虑电平转换电路，还可以防止直流电源反接，并给电气控制领域增添了一个即能实现启动、保持（自锁）和停止功能，又能够同时满足结构简单、成本低、体积小、功耗低和通用性强的技术应用方面选项。功耗低和通用性强的技术应用方面选项。功耗低和通用性强的技术应用方面选项。

【技术实现步骤摘要】
一种防反接的低边位控制电路


[0001]本技术涉及直流电气控制领域，特别是涉及一种防反接的低边位控制电路。

技术介绍

[0002]采用启动、保持（自锁）和停止功能的控制电路在电气控制领域应用广泛，它设置有明显的、利于操作的启动和停止按钮，用来接通和分断所控制的电路，就像应用在计算机中的RAM一样，具有“失电易失、得电不易失”的“记忆保持”功能， 即当控制电路在失电后会自动断开所控制的电路，在复电后须重新由人工优先干预来实现操作，此时按下启动按钮后，会“记忆”保持为得电的启动工作状态；此时再按下停止按钮后，会“记忆”保持为失电的停止工作状态；正因为有了这样可靠的安全优势，从诞生之日起，一直被广大业者普遍应用。
[0003]现阶段采用直流控制电路实现启动、保持（自锁）和停止功能的控制电路与交流控制电路不同，它具有正负极性，不允许反接；另外，直流控制电路又分为高边位的控制方式和低边位的控制方式，即所谓的高边位控制方式是指直流控制电路接在电源和负载之间，而低边位控制方式是指直流控制电路接在负载和电源地之间。
[0004]专利技术人在实现本技术实施例过程中发现：
[0005]1）现阶段采用低边位控制方式的电路，电压范围适应较窄，其应用在不同电压范围的控制电路中需要增加电平转换电路，且通用性较差；若采用纯电磁继电器控制，虽然简单可靠，但是体积大、功耗大而且成本相对较高；
[0006]2）现阶段采用低边位控制方式的电路是直流电源供电，其直流电源有正负极性要求，甚至其直流负载也有正负极性的限制，因此必须考虑防反接的问题，否则可能会烧坏电源或电路中有极性要求的器件。

技术实现思路

[0007]为了克服上述现有技术的不足，本技术提供了一种防反接的低边位控制电路，具体技术方案是：
[0008]一种防反接的低边位控制电路，包括主开关模块、控制模块和负载R_Load；
[0009]所述的主开关模块包含偏置电阻R3、偏置电阻R4、MOSFET管Q2和MOSFET管Q3；所述MOSFET管Q2和MOSFET管Q3均为N沟道MOSFET管；
[0010]所述的控制模块又包含启动按钮S1、停止按钮S2、偏置电阻R1、偏置电阻R2、偏置电阻R5、电容C1、电容C2、三极管Q1；所述三极管Q1为NPN型BJT管；其中所述启动按钮S1是常闭按钮，所述停止按钮S2是常开按钮；
[0011]主开关模块中的MOSFET管Q2和MOSFET管Q3反向串联，用于防止直流电源反接，即MOSFET管Q2的源极与MOSFET管Q3的源极相连，而MOSFET管Q2的栅极和MOSFET管Q3的栅极相连，MOSFET管Q2的漏极与电源地相连，MOSFET管Q3的漏极与所述的负载R_Load的一端相连；偏置电阻R3的一端与电源地相连，其另一端与偏置电阻R4的一端相连，其连接点与MOSFET
管Q2的栅极或MOSFET管Q3的栅极相连；
[0012]控制模块中的偏置电阻R1的一端与电源VCC相连，偏置电阻R1的另一端与三极管Q1的集电极、电容C2的一端、偏置电阻R4的另一端和停止按钮S2的一端相连，电容C2的另一端与电源地相连，三极管Q1的发射极与电源地相连，三极管Q1的基极与偏置电阻R2的一端和电容C1的一端相连，电容C1的另一端与电源地相连，偏置电阻R2的另一端不仅与停止按钮S2的另一端相连，还与启动按钮S1的一端相连，启动按钮S1的另一端与偏置电阻R5的一端相连，偏置电阻R5的另一端与MOSFET管Q3的漏极相连；
[0013]负载R_Load的另一端与电源VCC相连。
[0014]本技术的有益效果是，本技术提供的一种防反接的低边位控制电路，克服了现有技术的缺陷，电压适应范围较宽，应用在不同电压范围的控制电路时不需要过多考虑电平转换电路，还可以防止直流电源反接，并给电气控制领域增添了一个即能实现启动、保持（自锁）和停止功能，又能够同时满足结构简单、成本低、体积小、功耗低和通用性强的技术应用方面选项。
附图说明
[0015]图1为本技术一种防反接的低边位控制电路典型示意图。
[0016]图2为本技术一种防反接的低边位控制电路的一个具体实例。
[0017]图3为本技术一种防反接的低边位控制电路的一个防反接具体实例。
具体实施方式
[0018]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本技术的具体实施方式做详细说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施的限制。
[0019]附图1所示，为本技术一种防反接的低边位控制电路典型示意图，包括主开关模块、控制模块和负载R_Load；
[0020]所述的主开关模块包含偏置电阻R3、偏置电阻R4、MOSFET管Q2和MOSFET管Q3；所述MOSFET管Q2和MOSFET管Q3均为N沟道MOSFET管；
[0021]所述的控制模块又包含启动按钮S1、停止按钮S2、偏置电阻R1、偏置电阻R2、偏置电阻R5、电容C1、电容C2、三极管Q1；所述三极管Q1为NPN型BJT管；其中所述启动按钮S1是常闭按钮，所述停止按钮S2是常开按钮；
[0022]主开关模块中的MOSFET管Q2和MOSFET管Q3反向串联，用于防止直流电源反接，即MOSFET管Q2的源极与MOSFET管Q3的源极相连，而MOSFET管Q2的栅极和MOSFET管Q3的栅极相连，MOSFET管Q2的漏极与电源地相连，MOSFET管Q3的漏极与所述的负载R_Load的一端相连；偏置电阻R3的一端与电源地相连，其另一端与偏置电阻R4的一端相连，其连接点与MOSFET管Q2的栅极或MOSFET管Q3的栅极相连；
[0023]控制模块中的偏置电阻R1的一端与电源VCC相连，偏置电阻R1的另一端与三极管Q1的集电极、电容C2的一端、偏置电阻R4的另一端和停止按钮S2的一端相连，电容C2的另一
端与电源地相连，三极管Q1的发射极与电源地相连，三极管Q1的基极与偏置电阻R2的一端和电容C1的一端相连，电容C1的另一端与电源地相连，偏置电阻R2的另一端不仅与停止按钮S2的另一端相连，还与启动按钮S1的一端相连，启动按钮S1的另一端与偏置电阻R5的一端相连，偏置电阻R5的另一端与MOSFET管Q3的漏极相连；
[0024]负载R_Load的另一端与电源VCC相连。
[0025]整个工作过程可以分为四个状态：
[0026]（1）初始状态，刚上电时，启动按钮S1和停止按钮S2均未按下，虽然会有短暂的冲击电压窜入，但是偏置电阻R1与电容C2组成一个RC缓冲电路， R_Load负载、偏置电阻R5、启动按钮S1、偏置电阻R2与电容C1组成另一个RC缓冲电路，这两个RC缓冲电路均能够防止主开关模本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防反接的低边位控制电路，其特征在于，包括主开关模块、控制模块和负载R_Load；所述的主开关模块包含偏置电阻R3、偏置电阻R4、MOSFET管Q2和MOSFET管Q3；所述MOSFET管Q2和MOSFET管Q3均为N沟道MOSFET管；所述的控制模块又包含启动按钮S1、停止按钮S2、偏置电阻R1、偏置电阻R2、偏置电阻R5、电容C1、电容C2、三极管Q1；所述三极管Q1为NPN型BJT管；其中所述启动按钮S1是常闭按钮，所述停止按钮S2是常开按钮；主开关模块中的MOSFET管Q2和MOSFET管Q3反向串联，用于防止直流电源反接，即MOSFET管Q2的源极与MOSFET管Q3的源极相连，而MOSFET管Q2的栅极和MOSFET管Q3的栅极相连，MOSFET管Q2的漏极与电源地相连，MOSFET管...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明，易鸣，李坚，王心跃，李术，何淼，欧阳枫，
申请(专利权)人：长沙电力设计院有限公司，
类型：新型
国别省市：