一种显示面板及其制备方法技术

技术编号:35270393 阅读:14 留言:0更新日期:2022-10-19 10:40
本申请提供一种显示面板及其制备方法,该显示面板至少包括金属层,与金属层同层设置的像素电极,覆盖所述金属层和像素电极的保护层,以及位于保护层上的公共电极。其中,所述金属层上保护层的厚度大于所述像素电极上保护层的厚度,也就是说金属层上保护层的厚度可以设置较大,而像素电极上保护层的厚度可以设置得相对较小。因此可以减小金属层和公共电极之间的寄生电容,同时可以降低像素电极和公共电极之间液晶的开启电压,这两方面都可以降低显示面板的功耗。示面板的功耗。示面板的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种显示面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着化石能源的枯竭和全球变暖的趋势,人们对节能的要求越来越高。对于显示产品同样如此,尤其是移动显示装置,对低功耗的要求更高。
[0003]在常见的FFSLCD显示面板中,其保护层的膜厚一方面影响液晶显示的开启电压,另一方面影响金属层和公共电极之间的电容。保护层越厚,开启电压越高,使得显示的功耗增大。而保护层厚度降低,金属层和公共电极之间的寄生电容增大,同样使显示的功耗增大。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种显示面板及其制备方法,旨在降低液晶的开启电压和减小金属层与公共电极之间的寄生电容,使显示面板的功耗降低。
[0005]一方面,本申请提供一种显示面板,所述显示面板至少包括:
[0006]金属层;
[0007]像素电极,与所述金属层同层设置;
[0008]保护层,覆盖所述金属层和像素电极;
[0009]公共电极,位于所述保护层上;
[0010]其中,所述金属层上保护层的厚度大于所述像素电极上保护层的厚度。
[0011]在一些实施例中,所述保护层包括:
[0012]第一保护层,位于所述金属层上;
[0013]第二保护层,覆盖所述第一保护层和像素电极;
[0014]其中,所述第二保护层在所述第一保护层上的厚度等于所述第二保护层在所述像素电极上的厚度。
[0015]在一些实施例中,所述金属层包括源极、漏极和数据线。
[0016]在一些实施例中,所述金属层搭接在所述像素电极的边缘上,或所述像素电极搭接在所述金属层的边缘上。
[0017]在一些实施例中,所述显示面板还包括:
[0018]基板;
[0019]栅极,位于所述基板上;
[0020]栅绝缘层,位于所述基板上且覆盖所述栅极;
[0021]其中,所述金属层和像素电极位于所述栅绝缘层上。
[0022]另一方面,本申请提供一种显示面板的制备方法,所述制备方法至少包括:
[0023]形成金属层;
[0024]形成与所述金属层同层设置的像素电极;
[0025]形成覆盖所述金属层和像素电极的保护层;
[0026]形成位于所述保护层上的公共电极;
[0027]其中,所述金属层上保护层的厚度大于所述像素电极上保护层的厚度。
[0028]在一些实施例中,所述形成覆盖所述金属层和像素电极的保护层的步骤,包括:
[0029]在所述金属层和像素电极上沉积保护层;
[0030]利用一道光罩去除位于所述像素电极上的部分保护层,以使所述金属层上保护层的厚度大于所述像素电极上保护层的厚度。
[0031]在一些实施例中,所述金属层形成在栅绝缘层上;所述形成覆盖所述金属层和像素电极的保护层的步骤,包括:
[0032]在所述金属层和栅绝缘层上沉积第一保护层;
[0033]利用一道光罩在所述第一保护层上形成图案化光阻;
[0034]利用所述图案化光阻,刻蚀所述第一保护层形成暴露部分栅绝缘层的开口;
[0035]去除所述图案化光阻;
[0036]在所述开口中形成像素电极;
[0037]在所述第一保护层和像素电极上形成第二保护层,所述第二保护层在所述第一保护层上的厚度等于在所述像素电极上的厚度;
[0038]其中,所述保护层包括所述第一保护层和所述第二保护层。
[0039]在一些实施例中,所述在所述开口中形成像素电极的步骤,包括:
[0040]在所述利用所述图案化光阻,刻蚀所述第一保护层形成暴露部分栅绝缘层的开口的步骤之后,在暴露的栅绝缘层上和图案化光阻上沉积像素电极;
[0041]在所述去除所述图案化光阻的步骤时,去除覆盖所述图案化光阻的像素电极,以在所述开口中形成像素电极。
[0042]在一些实施例中,所述形成覆盖所述金属层和像素电极的保护层的步骤,包括:
[0043]在所述金属层和像素电极上沉积第一保护层;
[0044]利用一道光罩去除位于所述像素电极上的第一保护层;
[0045]在所述第一保护层和像素电极上形成第二保护层;
[0046]其中,所述保护层包括所述第一保护层和所述第二保护层。
[0047]本申请的有益效果是:提供一种显示面板及其制备方法,该显示面板至少包括金属层,与金属层同层设置的像素电极,覆盖所述金属层和像素电极的保护层,以及位于保护层上的公共电极。其中,所述金属层上保护层的厚度大于所述像素电极上保护层的厚度,也就是说金属层上保护层的厚度可以设置较大,而像素电极上保护层的厚度可以设置得相对较小。因此可以减小金属层和公共电极之间的寄生电容,同时可以降低像素电极和公共电极之间液晶的开启电压,这两方面都可以降低显示面板的功耗。
附图说明
[0048]下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0049]图1是本申请实施例提供的显示面板的俯视结构示意图;
[0050]图2是本申请实施例提供的图1中显示面板在A

A1处的剖面结构示意图;
[0051]图3是本申请一种实施例提供的图1中显示面板在B

B1处的剖面结构示意图;
[0052]图4是本申请另一种实施例提供的图1中显示面板在B

B1处的剖面结构示意图;
[0053]图5是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图;
[0054]图6a

6c是本申请一种实施例提供的显示面板在制备过程中的结构示意图;
[0055]图7a

7f是本申请另一种实施例提供的显示面板在制备过程中的结构示意图;
[0056]图8a

8c是本申请又一种实施例提供的显示面板在制备过程中的结构示意图。
具体实施方式
[0057]下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
[0058]在本申请的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0059]在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板至少包括:金属层;像素电极,与所述金属层同层设置;保护层,覆盖所述金属层和像素电极;公共电极,位于所述保护层上;其中,所述金属层上保护层的厚度大于所述像素电极上保护层的厚度。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保护层包括:第一保护层,位于所述金属层上;第二保护层,覆盖所述第一保护层和像素电极;其中,所述第二保护层在所述第一保护层上的厚度等于所述第二保护层在所述像素电极上的厚度。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述金属层包括源极、漏极和数据线。4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述金属层搭接在所述像素电极的边缘上,或所述像素电极搭接在所述金属层的边缘上。5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:基板;栅极,位于所述基板上;栅绝缘层,位于所述基板上且覆盖所述栅极;其中,所述金属层和像素电极位于所述栅绝缘层上。6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括:形成金属层;形成与所述金属层同层设置的像素电极;形成覆盖所述金属层和像素电极的保护层;形成位于所述保护层上的公共电极;其中,所述金属层上保护层的厚度大于所述像素电极上保护层的厚度。7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述形成覆盖所述金属层和像素电极的保护层的步骤,包括:在所述金属层和像素电极上沉积保护层;利用一道光罩去除位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴伟
申请(专利权)人:广州华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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