一种板坯结晶器的调整方法技术

本发明专利技术公开了一种板坯结晶器的调整方法，在将结晶器的上沿和下沿循环调整宽度过程中，获取浸入式水口的目标深度调整量，并利用所述目标深度调整量对所述浸入式水口进行调整，使得调整后的所述浸入式水口的实际深度与所述结晶器调整后的宽度匹配；在所述结晶器的调整宽度完成之后，将所述浸入式水口的深度调整至原始深度。本发明专利技术公开的板坯结晶器的调整方法，能够精确控制结晶器液面波动，从而降低浇铸过程铸坯表面缺陷发生率。铸过程铸坯表面缺陷发生率。铸过程铸坯表面缺陷发生率。

【技术实现步骤摘要】
一种板坯结晶器的调整方法


[0001]本专利技术涉及冶金工业连铸
，特别涉及一种板坯结晶器的调整方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，为提高板坯连铸生产率，当板坯宽度发生变化时，采用结晶器在线宽窄调整的方式实现坯型转换。而结晶器是通过水冷铜壁进行强制冷却导出钢液的热量，使其出结晶器时成为具有一定厚度坯壳的铸坯。由于结晶器内带有液心的铸坯其坯壳很薄，故在结晶器宽度调整过程中，常因热应力、拉坏阻力以及钢水静压力的作用导致铸坯减薄，严重时会坏壳拉裂而造成漏钢事故。
[0003]而在现有技术中，为了降低铸坯减薄的概率，通常是对在结晶器宽窄调整过程的精确控制，例如使用板坯结晶器调宽传动装置来精确控制结晶器或者通过与结晶器窄边的背板连接的两个调宽装置来精确控制结晶器，从而亟需一种在浇铸工艺设计与控制方面的结晶器的调整方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种板坯结晶器的调整方法，能够精确控制结晶器液面波动，从而降低浇铸过程铸坯表面缺陷发生率。
[0005]本专利技术实施例提供一种板坯结晶器的调整方法，所述方法包括：
[0006]在将结晶器的上沿和下沿循环调整宽度过程中，获取浸入式水口的目标深度调整量，并利用所述目标深度调整量对所述浸入式水口进行调整，使得调整后的所述浸入式水口的实际深度与所述结晶器调整后的宽度匹配；
[0007]在所述结晶器的调整宽度完成之后，将所述浸入式水口的深度调整至原始深度。
[0008]可选的，在将结晶器的上沿和下沿循环调整宽度过程中，所述方法还包括：
[0009]每次调整宽度过程中的宽度调整值为
‑
300mm至300mm之间，所述深度调整量为
‑
30mm至30mm之间。
[0010]可选的，所述在将结晶器的上沿和下沿循环调整宽度过程中，获取浸入式水口的目标深度调整量，并利用所述目标深度调整量对所述浸入式水口进行调整，包括：
[0011]在将所述结晶器的上沿和下沿循环调宽过程中，获取所述浸入式水口的第一深度调整量，并利用所述第一深度调整量对所述浸入式水口进行调整，所述第一深度调整量表征将所述浸入式水口向上移动的距离；
[0012]在将所述结晶器的上沿和下沿循环调窄过程中，获取所述浸入式水口的第二深度调整量，并利用所述第二深度调整量对所述浸入式水口进行调整，所述第二深度调整量表征将所述浸入式水口向下移动的距离，其中，所述目标深度调整量包括所述第一深度调整量和所述第二深度调整量。
[0013]可选的，在将所述结晶器的上沿和下沿循环调宽过程中，获取所述浸入式水口的第一深度调整量，并利用所述第一深度调整量对所述浸入式水口进行调整，包括：
[0014]在首次将所述结晶器的上沿和下沿循环N次调宽时，获取所述浸入式水口的第一调整子量，并利用所述第一调整子量对所述浸入式水口进行调整，其中，N为大于1的整数；
[0015]在第二次将所述结晶器的上沿和下沿循环N次调宽时，获取所述浸入式水口的第二调整子量，并利用所述第二调整子量对所述浸入式水口进行调整，其中，所述第一深度调整量包括所述第一调整子量和所述第二调整子量。
[0016]可选的，在首次将所述结晶器的上沿和下沿循环N次调宽时，获取所述浸入式水口的第一调整子量，并利用所述第一调整子量对所述浸入式水口进行调整，包括：
[0017]若N＝3，将所述结晶器的上沿调宽5％至15％；
[0018]再将所述结晶器下沿调宽5％至15％；
[0019]以及将所述结晶器上沿调宽5％至15％；
[0020]将所述结晶器下沿调宽5％至15％；
[0021]将所述结晶器上沿调宽5％至15％；
[0022]将所述结晶器下沿调宽5％至15％；
[0023]获取所述第一调整子量为5mm至15mm，将所述浸入式水口上移，其上移数值为所述第一调整子量。
[0024]可选的，在第二次将所述结晶器的上沿和下沿循环N次调宽时，获取所述浸入式水口的第二调整子量，并利用所述第二调整子量对所述浸入式水口进行调整，包括：
[0025]若N＝3，将所述结晶器的上沿调宽15％至25％；
[0026]再将所述结晶器下沿调宽15％至25％；
[0027]以及将所述结晶器上沿调宽15％至25％；
[0028]将所述结晶器下沿调宽15％至25％；
[0029]将所述结晶器上沿调宽15％至25％；
[0030]将所述结晶器下沿调宽15％至25％；
[0031]获取所述第二调整子量为5mm至15mm，将所述浸入式水口上移，其上移数值为所述第二调整子量。
[0032]可选的，在将所述结晶器的上沿和下沿循环调窄过程中，获取所述浸入式水口的第二深度调整量，并利用所述第二深度调整量对所述浸入式水口进行调整，还包括：
[0033]在首次将所述结晶器的上沿和下沿循环M次调窄时，获取所述浸入式水口的第三调整子量，并利用所述第三调整子量对所述浸入式水口进行调整，其中，M为大于1的整数；
[0034]在第二次将所述结晶器的上沿和下沿循环M次调窄时，获取所述浸入式水口的第四调整子量，并利用所述第四调整子量对所述浸入式水口进行调整，其中，所述第二深度调整量包括所述第三调整子量和所述第四调整子量。
[0035]可选的，在首次将所述结晶器的上沿和下沿循环M次调窄时，获取所述浸入式水口的第三调整子量，并利用所述第三调整子量对所述浸入式水口进行调整，包括：
[0036]若M＝3，将所述结晶器下沿调窄10％至30％；
[0037]再将所述结晶器上沿调窄10％至30％；
[0038]将所述结晶器下沿调窄10％至30％；
[0039]将所述结晶器上沿调窄10％至30％；
[0040]将所述结晶器下沿调窄10％至30％；
[0041]将所述结晶器上沿调窄10％至30％；
[0042]获取所述第三调整子量为5mm至15mm，将所述浸入式水口下移，其下移数值为所述第三调整子量。
[0043]可选的，所述在第二次将所述结晶器的上沿和下沿循环M次调窄时，获取所述浸入式水口的第四调整子量，并利用所述第四调整子量对所述浸入式水口进行调整，包括：
[0044]若M＝3，将所述结晶器下沿调窄15％至30％；
[0045]再将所述结晶器上沿调窄15％至30％；
[0046]将所述结晶器下沿调窄15％至30％；
[0047]将所述结晶器上沿调窄15％至30％；
[0048]将所述结晶器下沿调窄15％至30％；
[0049]将所述结晶器上沿调窄15％至30％；
[0050]获取所述第四调整子量为5mm至15mm，将所述浸入式水口下移，其下移数值为所述第四调整子量。
[0051]可选的，所述在所述结晶器的调整宽度完成之后，将所述浸入式水口的深度调整至原始深度，包括：
[0052本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种板坯结晶器的调整方法，其特征在于，所述方法包括：在将结晶器的上沿和下沿循环调整宽度过程中，获取浸入式水口的目标深度调整量，并利用所述目标深度调整量对所述浸入式水口进行调整，使得调整后的所述浸入式水口的实际深度与所述结晶器调整后的宽度匹配；在所述结晶器的调整宽度完成之后，将所述浸入式水口的深度调整至原始深度。2.如权利要求1所述的调整方法，其特征在于，在将结晶器的上沿和下沿循环调整宽度过程中，所述方法还包括：每次调整宽度过程中的宽度调整值为
‑
300mm至300mm之间，所述深度调整量为
‑
30mm至30mm之间。3.如权利要求2所述的调整方法，其特征在于，所述在将结晶器的上沿和下沿循环调整宽度过程中，获取浸入式水口的目标深度调整量，并利用所述目标深度调整量对所述浸入式水口进行调整，包括：在将所述结晶器的上沿和下沿循环调宽过程中，获取所述浸入式水口的第一深度调整量，并利用所述第一深度调整量对所述浸入式水口进行调整，所述第一深度调整量表征将所述浸入式水口向上移动的距离；在将所述结晶器的上沿和下沿循环调窄过程中，获取所述浸入式水口的第二深度调整量，并利用所述第二深度调整量对所述浸入式水口进行调整，所述第二深度调整量表征将所述浸入式水口向下移动的距离，其中，所述目标深度调整量包括所述第一深度调整量和所述第二深度调整量。4.如权利要求3所述的调整方法，其特征在于，在将所述结晶器的上沿和下沿循环调宽过程中，获取所述浸入式水口的第一深度调整量，并利用所述第一深度调整量对所述浸入式水口进行调整，包括：在首次将所述结晶器的上沿和下沿循环N次调宽时，获取所述浸入式水口的第一调整子量，并利用所述第一调整子量对所述浸入式水口进行调整，其中，N为大于1的整数；在第二次将所述结晶器的上沿和下沿循环N次调宽时，获取所述浸入式水口的第二调整子量，并利用所述第二调整子量对所述浸入式水口进行调整，其中，所述第一深度调整量包括所述第一调整子量和所述第二调整子量。5.如权利要求4所述的调整方法，其特征在于，在首次将所述结晶器的上沿和下沿循环N次调宽时，获取所述浸入式水口的第一调整子量，并利用所述第一调整子量对所述浸入式水口进行调整，包括：若N＝3，将所述结晶器的上沿调宽5％至15％；再将所述结晶器下沿调宽5％至15％；以及将所述结晶器上沿调宽5％至15％；将所述结晶器下沿调宽5％至15％；将所述结晶器上沿调宽5％至15％；将所述结晶器下沿调宽5％至15％；获取所述第一调整子量为5mm至15mm，将所述浸入式水口上移，其上移数值为所述第一调整子量。6.如权利要求5所述的调整方法，其特征在于，在第二次将所述结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海波，刘国梁，季晨曦，吕迺冰，初仁生，陈斌，刘洋，刘珍童，俞学成，罗衍昭，何文远，贾刘兵，
申请(专利权)人：首钢集团有限公司，
类型：发明
国别省市：