一种将电子芯片(100)从晶片(102)分离的方法包括：在晶片(102)的背侧(106)中围绕待分离的电子芯片的至少一部分形成至少一个沟槽(104)；形成覆盖背侧(106)的至少一部分和所述至少一个沟槽(104)的至少一部分的背侧金属化结构(108)；将带(112)的粘附剂层(110)附接到背侧金属化结构(108)的至少一部分；以及通过沿着包括所述至少一个沟槽(104)的一部分的分离路径(116)从晶片(102)的前侧(114)去除材料分离电子芯片(100)，使得在分离期间，粘附剂层(110)在背侧(106)填充所述至少一个沟槽(104)的至少一部分并且填充到背侧金属化结构(108)的高度水平上方。的高度水平上方。的高度水平上方。
【技术实现步骤摘要】
受背侧沟槽和背侧沟槽中的粘附剂支持的芯片分离
[0001]本专利技术涉及一种将电子芯片从晶片分离的方法以及一种电子芯片。
技术介绍
[0002]封装体可以表示为具有从包封材料中延伸出并安装到例如印刷电路板上的外围电子装置的电连接结构的包封的电子芯片。在封装之前，将一个半导体晶片单个化分割成多个电子芯片。在将晶片单个化分割成单个化分割的电子芯片之后，可以随后拾取晶片的电子芯片以进行进一步处理。
[0003]可以通过从晶片的前侧切割晶片来实现单个化分割。特别是在存在背侧金属化结构的情况下，单个化分割的电子芯片的随后拾取可能需要不期望的高的拾取力。这可能使得特别是非常薄的电子芯片易于损坏，并且可能以不期望的方式延长从分离的晶片顺序地拾取电子芯片所需的拾取时间。此外，拾取能力通常是涉及待操纵的电子芯片的最小厚度和/或最大尺寸的限制因素。
技术实现思路
[0004]可能需要以相当小的拾取力来操纵晶片的电子芯片。
[0005]根据一个示例性实施例，提供了一种将电子芯片从晶片分离的方法，其中，所述方法包括：在所述晶片的背侧中围绕待分离的电子芯片的至少一部分形成至少一个沟槽；形成覆盖所述背侧的至少一部分和所述至少一个沟槽的至少一部分的背侧金属化结构；将带的粘附剂层附接到所述背侧金属化结构的至少一部分；以及通过沿着包括所述至少一个沟槽的一部分的分离路径从所述晶片的前侧去除材料来分离所述电子芯片，使得在分离期间，所述粘附剂层在所述背侧填充所述至少一个沟槽的至少一部分并且填充到所述背侧金属化结构的高度水平上方。
[0006]根据另一个示例性实施例，提供了一种电子芯片，所述电子芯片包括：半导体本体，所述半导体本体的前侧处的有源区域，所述半导体本体的背侧处的背侧金属化结构，半导体本体的位于所述半导体本体的背侧与侧壁之间的周边拐角处的周边凹口，以及选择性地在所述半导体本体的邻近所述周边凹口的区域中的掺杂剂。
[0007]根据一个示例性实施例，电子芯片可以以可以实现单个化分割之后的小的拾取力的方式从晶片分离。这可以通过在单个化分割之前从晶片的背侧开槽来完成，所述单个化分割又可在形成背侧金属化结构之后执行。优选地但非必须地，可以随后通过选择性地掺杂晶片的沟槽区域、然后以与非掺杂区域的蚀刻速率相比更高的蚀刻速率来蚀刻掺杂区域来完成沟槽形成。仍然在单个化分割之前，临时带或切割带的粘附剂层可以附接到开槽的晶片上的开槽的背侧金属化结构。利用这种方法，由于先前的沟槽形成，例如使用切割刀片或通过激光烧蚀从相反的前侧进行随后的单个化分割可能会使得所获得的电子芯片的结构化的背侧金属化结构的边缘具有向上弯曲的配置。这可以抑制紧邻分离路径(例如切割线)的向下突出的毛刺的形成(特别是在使用切割刀片进行单个化分割时)或产生重铸(特
别是在通过激光烧蚀进行单个化分割时)，并且可以避免增加毛刺或重铸与带之间的爬行效应的不期望的拾取力。所提到的爬行效应可以如此强而使得它决定了必要的拾取力，因此爬行效应可能是允许电子芯片越来越薄的一个限制因素。有利地，带的粘附剂层可以填充沟槽的至少一部分并填充到延伸超过沟槽区域中的背侧金属化结构的高度水平的程度。优选地，在形成分离路径期间，所述沟槽的至少一部分被所述带的粘附剂层的粘附剂填充到基线水平上方——所述基线水平可以被定义为对应于所述沟槽外部的背侧金属化结构与晶片之间的界面的水平高度。因此，胶合物支撑背侧金属化结构以防止裂纹和破损。因此，可以用相当小的拾取力从粘性的带上拾取无缺陷的分离的电子芯片，以用于随后的处理，例如在组装方面的处理。描述性地说，与分离路径相邻的背侧金属化结构的基于沟槽的向上弯曲以及背侧金属化结构和邻近分离路径的晶片材料的确保的机械完整性促进了完好的各个电子芯片从带的粘附剂层的轻松提起。示例性实施例可以可靠地保护特别是非常薄的电子芯片免受损坏，并且可以显著缩短从分离的晶片顺序拾取电子芯片的拾取时间。利用根据示例性实施例的制造架构，可以增加待操纵的电子芯片的最小厚度和/或最大尺寸方面的拾取能力。
[0008]作为所描述的涉及沟槽形成的制造架构的一个独特方面，根据一个示例性实施例的电子芯片可以在背侧具有沿着电子芯片的周边拐角延伸的周边凹口。此外，掺杂剂残留物可能存在于与周边凹口相邻的半导体材料中。相应配置的电子芯片可以用较小的拾取力拾取，并且在制造期间得到适当的保护以免受不期望的损伤，即使在极薄的情况下也不会受到不期望的损坏。
[0009]进一步示例性实施例的描述
[0010]在下面，将解释所述方法和所述电子芯片的进一步示例性实施例。
[0011]在本申请的上下文中，术语“晶片”可以特别表示已经被处理以在晶片的有源区域中形成多个集成电路元件并且可以被单个化分割成多个分离的电子芯片的半导体衬底。例如，晶片可以具有盘状并且可以包括成行和列形式的电子芯片的矩阵状布置。晶片可能具有圆形几何形状或多边形几何形状(例如矩形几何形状或三角形几何形状)。
[0012]在本申请的上下文中，术语“电子芯片”可以特别地表示裸露的裸片，即由加工过的半导体制成的未封装的(例如未模制的)芯片，例如单个化分割后的半导体晶片。然而，半导体芯片也可以是已经封装的(例如模制或层合的)裸片。一个或多个集成电路元件(例如MEMS、二极管、晶体管等)可以形成在半导体芯片内。这种半导体芯片可以在前侧(对应于有源区域)和/或背侧上配备有金属化结构、特别是配备有一个或多个焊盘。
[0013]在本申请的上下文中，术语“分离”可以特别表示将多个分离的电子芯片从一体的晶片单个化分割为之前的晶片的多个区段的过程。这种分离或单个化分割可以特别通过锯切或通过激光切割来完成。
[0014]在本申请的上下文中，术语“沟槽”可以特别表示形成在晶片的本体、特别是半导体本体中的凹口、细长凹部或凹痕。例如，所述沟槽或凹口可以围绕或沿着待从晶片分离的电子芯片的周边周向上封闭。例如，所述沟槽可以在周向方向上具有矩形形状。在进入晶片的半导体本体的延伸方向上，所述沟槽的横截面可以优选地具有凹形圆滑的形状。
[0015]在本申请的上下文中，术语“前侧”可以特别表示晶片或电子芯片的主表面，在所述主表面中和/或所述主表面上，可以单片地集成至少一个集成电路元件(例如晶体管或二
极管)。因此，前侧可以对应于的晶片或电子芯片的具有有源区域的主表面。
[0016]在本申请的上下文中，术语“背侧”可以特别表示晶片或电子芯片的与其前侧相反或背离其前侧的主表面。例如，晶片或电子芯片的背侧可以没有单片集成的电路元件。
[0017]在本申请的上下文中，术语“分离路径”可以特别表示晶片的材料沿着其被去除以用于将单独的电子芯片从晶片复合物分离的轨迹。例如，分离路径可以是在芯片分离期间切割刀片或刀(或替代性地激光束)沿着其移动和去除晶片的材料的切割路径。
[0018]在本申请的上下文中，术语“有源区域”可以特别表示晶片或电子芯片的半导体本体的表面区域，在所述表面区域中和/或在所述表面区域中形成至少一个单片集成的电路元件。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种将电子芯片(100)从晶片(102)分离的方法，其中，所述方法包括：
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在所述晶片(102)的背侧(106)中围绕待分离的电子芯片(100)的至少一部分形成至少一个沟槽(104)；
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形成覆盖所述背侧(106)的至少一部分和所述至少一个沟槽(104)的至少一部分的背侧金属化结构(108)；
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将带(112)的粘附剂层(110)附接到所述背侧金属化结构(108)的至少一部分；以及
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通过沿着包括所述至少一个沟槽(104)的一部分的分离路径(116)从所述晶片(102)的前侧(114)去除材料来分离所述电子芯片(100)，使得：在分离期间，所述粘附剂层(110)在所述背侧(106)填充所述至少一个沟槽(104)的至少一部分并且填充到所述背侧金属化结构(108)的高度水平上方。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括：在所述晶片(102)的背侧(106)中形成两个间隔开的沟槽(104、130)，每个沟槽均围绕所述电子芯片(100)的至少一部分延伸。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法包括：形成彼此平行和/或围绕共同的中心的两个间隔开的沟槽(104、130)。4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，所述方法包括：沿着包括所述两个间隔开的沟槽(104、130)之间的区域的分离路径(116)分离所述电子芯片(100)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：形成围绕着待分离的整个电子芯片(100)周向上封闭的所述至少一个沟槽(104)。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：形成具有小于或等于所述粘附剂层(110)的厚度(D)的深度(d)的所述至少一个沟槽(104)。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：形成具有不超过10μm、特别是在3μm至10μm范围内的深度(d)的所述至少一个沟槽(104)。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：形成具有小于所述分离路径(116)的宽度(W)的宽度(w)的所述至少一个沟槽(104)。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：通过由利用机械刀片(134)切割和激光加工组成的组中的一种来分离所述电子芯片(100)。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述方法包括：通过引导所述机械刀片(134)穿过整个晶片(102)、穿过整个粘附剂层(110)并进入带(112)的位于粘附剂层(110)下方的箔(136)来分离所述电子芯片(100)。11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：以使得所述粘附剂层(110)在分离期间完全填充所述至少一个沟槽(104)的方式分离所述电子芯片(100)。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：通过用图案化掩模(118)覆盖所述晶片(102)的背侧(106)、通过穿过所述图案化掩模(118)掺杂所述晶片(102)以及通过在去除所述图案化掩模(118)之后蚀刻所述晶片...
【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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