发光二极管制造技术

提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发射层，设置在第一电极与第二电极之间并且包括由式1表示的多环化合物，从而表现出高发光效率和改善的寿命特性，[式1]其中，在式1中，X1至X4、a至d、R1至R4和L均与说明书中所定义的相同。相同。相同。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管
[0001]本申请要求于2021年4月6日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0044667号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]公开在此涉及在发射层中包括新型多环化合物的发光二极管。

技术介绍

[0003]对于有机电致发光显示装置等作为图像显示装置继续积极开发。有机电致发光显示装置是包括所谓的自发光发光二极管的显示装置，在自发光发光二极管中，分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，使得发射层中的发光材料发射光以实现显示。
[0004]在将发光二极管应用于显示装置时，需要具有低驱动电压、高发光效率和长寿命的发光二极管，并且需要对能够稳定地获得这样的特性的发光二极管的材料不断开发。
[0005]近年来，为了实现高效率的发光二极管，正在开发涉及使用三重态能量的磷光发射或使用其中通过三重态激子的碰撞产生单重态激子的三重态
‑
三重态湮灭(TTA)的延迟荧光的技术，并且正在开发使用延迟荧光现象的热激活延迟荧光(TADF)材料。
[0006]将理解的是，技术部分的该
技术介绍
部分地旨在提供用于理解技术的有用的
技术介绍
。然而，技术部分的该
技术介绍
也可以包括不是相关领域技术人员在在此公开的主题的相应有效提交日之前已知或领会的一部分的想法、构思或认识。

技术实现思路

[0007]公开提供了一种表现出优异的发光效率和长寿命特性的发光二极管。
[0008]实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管可以包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发射层，设置在第一电极与第二电极之间。第一电极和第二电极可以均独立地包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn、它们的氧化物、它们的化合物或它们的混合物，并且发射层可以包括由式1表示的多环化合物。
[0009][式1][0010][0011]在式1中，X1至X4可以均独立地为B(R
a
)、N(R
b
)、C(R
c
)(R
d
)、O、S或Se，并且a至d可以均独立地为从0至4的整数。R
a
至R
d
和R1至R4可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且L可以是取代或未取代的二价三蝶烯基团或者取代或未取代的二价碳硼烷基团。
[0012]在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式1
‑
1表示。
[0013][式1
‑
1][0014][0015]在式1
‑
1中，X1至X4、a至d、R1至R4和L可以均与式1中所定义的相同。
[0016]在实施例中，L可以是由L
‑
1至L
‑
4中的任何一个表示的基团。
[0017][0018]在L
‑
2至L
‑
4中，可以是BH，并且可以是C。
[0019]在实施例中，R1至R4可以均独立地为叔丁基、取代或未取代的苯基或者取代或未取代的联苯基。
[0020]在实施例中，X1至X4可以相同。
[0021]在实施例中，发射层可以是包括主体和掺杂剂的延迟荧光发射层，并且掺杂剂可以包括多环化合物。
[0022]在实施例中，由式1表示的多环化合物可以是选自于化合物组1中的任何一种。
[0023][化合物组1][0024][0025][0026]在化合物4至化合物6中，CB可以是二价碳硼烷基团。
[0027]在实施例中，发射层可以包括：第一主体；第二主体，与第一主体不同；辅助掺杂剂，包括有机金属配合物；以及发光掺杂剂，并且发光掺杂剂可以包括多环化合物。
[0028]在实施例中，第一主体可以包括选自于化合物HT
‑
01至化合物HT
‑
09中的任何一种。
[0029][0030][0031]在实施例中，第二主体可以包括选自于化合物ET
‑
01至化合物ET
‑
06中的任何一种。
[0032][0033]在实施例中，辅助掺杂剂可以包括选自于化合物组P中的至少一种。
[0034][化合物组P][0035][0036][0037]在实施例中，发射层可以发射具有在约450nm至约470nm的范围内的中心波长的蓝光。
[0038]在实施例中，发光二极管还可以包括设置在第二电极上的盖层，并且盖层的折射率可以等于或大于约1.6。
[0039]在实施例中，发光二极管可以包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发射层，设置在第一电极与第二电极之间。发射层可以包括：空穴传输第一主体；电子传输第二主体，与空穴传输第一主体不同；辅助掺杂剂；以及发光掺杂剂，与辅助掺杂剂不同，并且发光掺杂剂可以是由式1表示的多环化合物。
[0040][式1][0041][0042]在式1中，X1至X4可以均独立地为B(R
a
)、N(R
b
)、C(R
c
)(R
d
)、O、S或Se，并且a至d可以均独立地为从0至4的整数。R
a
至R
d
和R1至R4可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，并且L可以是取代或未取代的二价三蝶烯基团或者取代或未取代的二价碳硼烷基团。
附图说明
[0043]包括附图以提供对实施例的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了公开的实施例及其原理。通过参照附图详细描述公开的实施例，公开的上方和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：
[0044]图1是示出根据实施例的显示装置的平面图；
[0045]图2是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；
[0046]图3是示出根据实施例的发光二极管的示意性剖视图；
[0047]图4是示出根据实施例的发光二极管的示意性剖视图；
[0048]图5是示出根据实施例的发光二极管的示意性剖视图；
[0049]图6是示出根据实施例的发光二极管的示意性剖视图；
[0050]图7是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；以及
[0051]图8是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
[0052]现在将在下文中参照附图更充分地描述公开，在附图中示出了实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：第一电极；第二电极，设置在所述第一电极上；以及发射层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述第一电极和所述第二电极均独立地包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn、它们的氧化物、它们的化合物或它们的混合物，并且所述发射层包括由式1表示的多环化合物：[式1]其中，在式1中，X1至X4均独立地为B(R
a
)、N(R
b
)、C(R
c
)(R
d
)、O、S或Se，a至d均独立地为从0至4的整数，R
a
至R
d
和R1至R4均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且L是取代或未取代的二价三蝶烯基团或者取代或未取代的二价碳硼烷基团。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，由式1表示的所述多环化合物由式1
‑
1表示：[式1
‑
1]其中，在式1
‑
1中，X1至X4、a至d、R1至R4和L均与式1中所定义的相同。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，L是由L
‑
1至L
‑
4中的一个表示的基团：
其中，在L
‑
1至L
‑
4中，是BH，
“●”
是C，并且*表示与邻近原子的结合位。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，R1至R4均独立地为叔丁基、取代或未取代的苯基或者取代或未取代的联苯基。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，X1至X4相同。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发射层是包括主体和掺杂剂的延迟荧光发射层，并且所述掺杂剂包括所述多环化合物。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，由式1表示的所述多环化合物是选自于化合物组1中的一种：[化合物组1]
其中，在化合物4至化合物6中，CB是二价碳硼烷基团。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述发射层包括：第一主体；第二主体，与所述第一主体不同；辅助掺杂剂，包括有机金属配合物；以及发光掺杂剂，所述发光掺杂剂包括所述多环化合物。9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，所述第一主体包括选自于化合物HT
‑
01至化合物HT
‑
09中的一种：
10.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，所述第二主体包括选自于化合物ET
‑
01至化合物ET
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：申孝燮，李汦映，金贤英，內城强，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：