研磨用组合物制造技术

本发明专利技术提供一种新型的研磨用组合物，该研磨用组合物以含有水溶性高分子而构成，所述水溶性高分子至少含有具有碳原子数为3以上的侧链基团的乙烯醇系树脂。链基团的乙烯醇系树脂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】研磨用组合物


[0001]本专利技术涉及新型的研磨用组合物等。

技术介绍

[0002]被用作半导体装置的构成要素等的硅晶圆的表面，通常会经过磨光工序(粗研磨工序，lapping)与抛光工序(精密研磨工序，polishing)而被加工成高品位的镜面。作为典型例，抛光工序包括一次抛光工序(一次研磨工序)与最终抛光工序(最终研磨工序)。
[0003]在上述研磨工序中，会使用研磨用组合物。作为研磨用组合物，已知含有水溶性高分子的研磨用组合物，例如，专利文献1中记载了一种含有羟基乙基纤维素和/或聚乙烯醇与嵌段型聚醚的研磨用组合物。此外，专利文献2中公开了一种含有具有特定粘度的水溶性高分子(羟基乙基纤维素、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮等)的半导体润湿剂。
[0004]此外，近年来，对于硅晶圆等半导体基板以及其他基板，正变得要求更高品位的表面。具体而言，要求减少表面的微小缺陷(例如被称为LPD(Light Point Defect(光点缺陷))的表面缺陷)或粗糙度等。已知表面缺陷能够通过光散射而以LLS(Localized Light Scatters(局部光散射))缺陷来进行检测。现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2005
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85858号公报专利文献2：日本特开2010
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34509号公报

技术实现思路

本专利技术要解决的技术问题
[0006]本专利技术的目的在于提供一种新型的研磨用组合物。
[0007]此外，本专利技术的另一个目的在于提供一种能够减少研磨(特别是硅晶圆等半导体基板的研磨)后的表面上的微小缺陷的数量的研磨用组合物。
[0008]此外，本专利技术的另一个目的在于提供一种在所述研磨后表面的雾度小的研磨用组合物。
[0009]此外，本专利技术的另一个目的在于提供一种在所述研磨后表面的AFM粗糙度(通过AFM测定的粗糙度)小的研磨用组合物。
[0010]本专利技术的另一个目的在于提供一种使用了上述研磨用组合物的研磨物的制造方法。解决技术问题的技术手段
[0011]本申请的专利技术人着眼于半导体基板等基板的研磨后的表面上的与以往相比更细微的大小的缺陷，发现在使用含有水溶性高分子的研磨用组合物对半导体基板表面进行研
磨的情况下，根据水溶性高分子的种类，有时研磨后的半导体基板表面的微小缺陷会变多。
[0012]为了解决上述技术问题，本申请的专利技术人反复进行了深入研究，结果发现，通过含有特定的水溶性高分子等的研磨用组合物的使用等，能够减少研磨后的半导体基板表面的微小缺陷(特别是26nm以上或19nm以上的LLS缺陷)的数量等。
[0013]本申请的专利技术人还发现，通过上述研磨用组合物的使用等，能够实现研磨后的半导体基板表面的雾度或AFM粗糙度的减小等。
[0014]即，本专利技术涉及以下的专利技术等。(1)一种研磨用组合物，其为含有水溶性高分子的研磨用组合物，其中，水溶性高分子至少含有具有碳原子数为3以上的侧链基团的乙烯醇系树脂(A)。(2)一种研磨用组合物，其为含有水溶性高分子的研磨用组合物，其中，水溶性高分子至少含有乙烯醇系树脂(B)，所述乙烯醇系树脂(B)为选自皂化度大于90摩尔％且在20℃下的4％水溶液粘度为300mPa
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s以下的乙烯醇系树脂(B1)及皂化度为90摩尔％以下的乙烯醇系树脂(B2)中的至少一种。(3)根据(1)所述的研磨用组合物，其中，侧链基团包含选自来自C7‑
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脂肪酸
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乙烯酯的基团、来自C3‑
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烷基乙烯醚的基团、来自芳香族羧酸乙烯酯的基团、来自二丙酮(甲基)丙烯酰胺的基团、来自含乙酰乙酰基及环氧基的乙烯基系单体的基团的环氧基开环物中的至少一种。(4)根据(1)所述的研磨用组合物，其中，侧链基团包含选自来自碳原子数为3以上的脂肪酸
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乙烯酯的基团、来自芳香族羧酸乙烯酯的基团、来自二丙酮(甲基)丙烯酰胺的基团及聚氧乙烯基中的至少一种。(5)根据(1)及(3)中任一项所述的研磨用组合物，其中，侧链基团包含选自来自C3‑
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烷基乙烯醚的基团及来自二丙酮(甲基)丙烯酰胺的基团中的至少一种。(6)根据(1)及(3)～(5)中任一项所述的研磨用组合物，其中，侧链基团至少包含来自二丙酮(甲基)丙烯酰胺的基团。(7)根据(1)所述的研磨用组合物，其中，乙烯醇系树脂(A)的碳原子数为3以上的侧链基团包含来自碳原子数为4以上的烷基乙烯醚的基团，所述乙烯醇系树脂(A)在20℃下的4％水溶液粘度为100mPa
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s以上，且数均分子量为1万以上。(8)根据(1)及(3)～(7)中任一项所述的研磨用组合物，其中，以聚合成分(单体)换算计，侧链基团的比例为0.05摩尔％以上。(9)根据(2)所述的研磨用组合物，其中，水溶性高分子含有乙烯醇系树脂(B1)。(10)根据(2)所述的研磨用组合物，其中，乙烯醇系树脂(B)基本仅由乙烯醇单元及乙烯酯单元构成。(11)根据(1)及(3)～(8)中任一项所述的研磨用组合物，其中，乙烯醇系树脂(A)的皂化度为80～99.9摩尔％，且在20℃下的4％水溶液粘度为1～300mPa
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s。(12)根据(1)～(11)中任一项所述的研磨用组合物，其进一步含有磨料颗粒。(13)根据(1)～(12)中任一项所述的研磨用组合物，其进一步含有pH调节剂。(14)根据(1)～(13)中任一项所述的研磨用组合物，其为进一步含有磨料颗粒及pH调节剂的研磨用组合物，其中，磨料颗粒含有二氧化硅，pH调节剂含有碱性化合物。(15)根据(2)所述的研磨用组合物，其中，水溶性高分子含有乙烯醇系树脂(B2)，
磨料颗粒含有二氧化硅。(16)根据(1)～(15)中任一项所述的研磨用组合物，其进一步含有表面活性剂。(17)根据(1)～(16)中任一项所述的研磨用组合物，其为进一步含有表面活性剂的研磨用组合物，其中，表面活性剂包含选自具有氧化乙烯
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氧化丙烯结构的共聚物及聚氧乙烯烷基醚中的至少一种。(18)根据(1)～(17)中任一项所述的研磨用组合物，其为进一步含有表面活性剂的研磨用组合物，其中，以质量比计，水溶性高分子与表面活性剂的比例为1:0.01～1:200。(19)根据(1)～(18)中任一项所述的研磨用组合物，其进一步含有至少包含水的溶媒，水溶性高分子的浓度为1ppm以上。(20)根据(1)～(19)中任一项所述的研磨用组合物，其进一步含有至少包含水的溶媒，且所述研磨用组合物的固体成分浓度为0.01质量％以上。(21)一种研磨用组合物，其为含有水溶性高分子的研磨用组合物，其中，对研磨对象物进行研磨及清洗后的研磨面满足下述条件(A)：(A)在每300mm的直径中，26nm以上的LLS缺陷数为700个以下。(22)一种研磨用组合物，其为含有水溶性高分子的研磨用组合物，其中，对研磨对象物进行研磨及清洗后的研磨面满足下述条件(B)：(B)在每300mm的直径中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种研磨用组合物，其为含有水溶性高分子的研磨用组合物，其中，水溶性高分子至少含有具有碳原子数为3以上的侧链基团的乙烯醇系树脂(A)。2.一种研磨用组合物，其为含有水溶性高分子的研磨用组合物，其中，水溶性高分子至少含有乙烯醇系树脂(B)，所述乙烯醇系树脂(B)为选自皂化度大于90摩尔％且在20℃下的4％水溶液粘度为300mPa
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s以下的乙烯醇系树脂(B1)及皂化度为90摩尔％以下的乙烯醇系树脂(B2)中的至少一种。3.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，侧链基团包含选自来自C7‑
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脂肪酸
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乙烯酯的基团、来自C3‑
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烷基乙烯醚的基团、来自芳香族羧酸乙烯酯的基团、来自二丙酮(甲基)丙烯酰胺的基团、来自含乙酰乙酰基及环氧基的乙烯基系单体的基团的环氧基开环物中的至少一种。4.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，侧链基团包含选自来自碳原子数为3以上的脂肪酸
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乙烯酯的基团、来自芳香族羧酸乙烯酯的基团、来自二丙酮(甲基)丙烯酰胺的基团及聚氧乙烯基中的至少一种。5.根据权利要求1及3中任一项所述的研磨用组合物，其中，侧链基团包含选自来自C3‑
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烷基乙烯醚的基团及来自二丙酮(甲基)丙烯酰胺的基团中的至少一种。6.根据权利要求1及3～5中任一项所述的研磨用组合物，其中，侧链基团至少包含来自二丙酮(甲基)丙烯酰胺的基团。7.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，乙烯醇系树脂(A)的碳原子数为3以上的侧链基团包含来自碳原子数为4以上的烷基乙烯醚的基团，所述乙烯醇系树脂(A)在20℃下的4％水溶液粘度为100mPa
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s以上，且数均分子量为1万以上。8.根据权利要求1及3～7中任一项所述的研磨用组合物，其中，以聚合成分(单体)换算计，侧链基团的比例为0.05摩尔％以上。9.根据权利要求2所述的研磨用组合物，其中，水溶性高分子含有乙烯醇系树脂(B1)。10.根据权利要求2所述的研磨用组合物，其中，乙烯醇系树脂(B)基本仅由乙烯醇单元及乙烯酯单元构成。11.根据权利要求1及3～8中任一项所述的研磨用组合物，其中，乙烯醇系树脂(A)的皂化度为80～99.9摩尔％，且在20℃下的4％水溶液粘度为1～300mPa
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s。12.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上贵志，木村佳弘，
申请(专利权)人：日本瓦姆amp，amp，珀巴尔株式会社，
类型：发明
国别省市：