半导体激光装置具备：基板；激光发光元件，其直接或者通过其他部件间接地载置于所述基板；框板，其具有内周面，所述内周面固定于所述基板的外周面，具有在厚度方向上延伸的贯通孔；引脚，其插入所述贯通孔内，并与所述激光发光元件电连接；以及密封材料，其堵塞所述引脚与所述贯通孔之间。与所述贯通孔之间。与所述贯通孔之间。
【技术实现步骤摘要】
半导体激光装置以及发光装置
[0001]本专利技术涉及半导体激光装置以及发光装置。
技术介绍
[0002]在半导体激光装置的开发中，以增大由一个半导体激光装置得到的光输出为目的，正在进行搭载有高输出的激光发光元件的半导体激光装置的开发、搭载有多个激光元件的半导体激光装置的开发(日本特许6288132号公报)。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题
[0003]通过上述开发，当使半导体激光装置的光输出增大时，会增加半导体激光装置的发热量。在该情况下，激光发光元件的发热其自身有可能对激光发光元件的光输出的特性造成不良影响。
[0004]此外，若使激光发光元件在高温下动作，则有可能降低激光发光元件的可靠性。因此，有想要提高半导体激光发光装置的散热性能的需求。
[0005]本专利技术的目的在于，提供散热性能提高的半导体激光装置和发光装置。
[0006]本专利技术的一个方式的半导体激光装置具备：基板；激光发光元件，其直接或者通过其他部件间接地载置于所述基板；框板，其具有内周面，所述内周面固定于所述基板的外周面，并具有沿厚度方向延伸的贯通孔；引脚，其插入所述贯通孔内，并与所述激光发光元件电连接；以及密封材料，其堵塞所述引脚与所述贯通孔之间。
[0007]本专利技术的一个方式的半导体激光装置具备：基板；一组激光发光元件，其直接或者通过其他部件间接地载置于所述基板，并配置为矩阵状；框板，其具有内周面，所述内周面固定于所述基板的外周面，所述框板具有分别沿厚度方向延伸的多个贯通孔；多个引脚，所述多个引脚分别插入所述多个贯通孔内，并与所述一组激光发光元件中的多个激光发光元件分别电连接；以及多个密封件，所述多个密封件分别堵塞所述多个引脚与所述多个贯通孔之间。
[0008]本专利技术的一个方式的半导体激光装置具备：基板；一系列激光发光元件，所述一系列激光发光元件直接或者通过其他部件间接地载置于所述基板，且串联地电连接；框板，其具有内周面，所述内周面固定于所述基板的外周面，分别具有沿厚度方向延伸的一对贯通孔；一对引脚，所述一对引脚分别插入所述一对贯通孔内，分别与所述一系列的激光发光元件的两端的一对激光发光元件电连接；以及一对密封材料，所述一对密封材料分别堵塞所述一对引脚与所述一对贯通孔之间。
[0009]本专利技术的一个方式的发光装置中，所述散热部件以与所述框板相对的方式延伸，在所述框板与所述散热部件之间还具备布线基板，所述引线引脚与所述布线基板电连接。
附图说明
[0010]图1是将第一实施方式以及第二实施方式的半导体激光装置的盖部件拆下后的状态的俯视图。图2是表示第一实施方式的半导体激光装置的图1中的II
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II线截面图。图3是第一实施方式的半导体激光装置的图1中的III
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III线截面图。图4是第一实施方式的半导体激光装置的立体图。图5是第一实施方式的半导体激光装置的引脚的变形例1的侧视图。图6是第一实施方式的半导体激光装置的引脚的变形例2的侧视图。图7是表示第二实施方式的半导体激光装置的图1中的II
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II线截面图的图。图8是第三实施方式的半导体激光装置的盖部件拆下后的状态的俯视图。图9是第三实施方式的半导体激光装置的图8中的II
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II线截面图。图10是用于说明第四实施方式的半导体装置的激光发光元件的截面图。
具体实施方式
[0011]下面，参照附图说明本专利技术的半导体激光装置。另外，关于附图，对于相同或等同的要素标注相同的附图标记，不重复重复的说明。
[0012](第一实施方式)图1～图6说明本实施方式的半导体激光装置100。
[0013]如图1～图6所示，半导体激光装置100具备基板1、子基板7、激光发光元件8、框板2、引脚4、焊线9、密封材料3、反射部件10以及盖部件5。本实施方式的发光装置除了半导体激光装置100的构成以外，还具备与半导体激光装置100的基板1的露出面1b直接接触的散热部件50以及与框板2的下表面直接接触的布线基板20。
[0014]基板1被称作底座，是俯视时呈矩形的板状部件。在本实施方式中，基板1的矩形的四个角部呈圆弧状。另外，基板1的轮廓也可以具有圆形或椭圆形等任何形状。基板1例如由铜那样的热传导率高的材料形成。基板1具有：安装面1a，其面向设置有矩阵状配置的激光发光元件8的空间；以及露出面1b，其与安装面1a相对，并面向外部空间。
[0015]基板1的露出面1b载置在被称为散热器的散热部件50上。在基板1的安装面1a上固定有配置成矩阵状的子基板7和配置成矩阵状的反射部件10。基板1经由子基板7从安装面1a接受激光发光元件8发出的热，并将所接受的热从露出面1b向外部、例如散热部件50释放。
[0016]在本实施方式中，配置成矩阵状的子基板7配置成5行6列。但是，行和列各自的子基板7的个数可以是任意的个数。子基板7在俯视时比激光发光元件8大。
[0017]在子基板7的与基板1相反一侧的面上固定有激光发光元件8。即，激光发光元件8以一对一的关系固定于子基板7。在本实施方式中，激光发光元件8的上表面以及下表面各自的一部分与其他导电部件电连接。
[0018]子基板7例如由AlN或者SiC那样的热传导率高的绝缘材料构成。因此，激光发光元件8与基板1电绝缘。因此，将AuSn合金或Au等导电性部件(未图示)设置在与激光发光元件8相接的一侧的子基板7的表面。由此，激光发光元件8经由其AuSn合金或Au等导电性部件与焊线9电连接。即，设置于某子基板7的上表面的导电性部件、焊线9、以及搭载于所述某子基
板7的相邻的其他子基板7上的激光发光元件8按照该顺序电连接。
[0019]另外，半导体激光装置100只要在基板1上设置激光发光元件8即可，子基板7不是必须的构成。换言之，激光发光元件8可以直接地载置在基板1上，另外，也可以经由其它部件间接地载置在基板上。在激光发光元件8直接载置在基板1上的情况下，激光发光元件8与分别设于其上表面以及下表面的其他导电部件电连接。更具体而言，激光发光元件8经由形成于基板1的上表面的电路布线(未图示)与其它导电部件电连接。例如，电布线被印刷在基板1的表面，激光发光元件8彼此相互绝缘，但只要通过印刷后的电布线电连接即可。但是，作为将激光发光元件8彼此绝缘的部件，优选使用散热性高的部件。
[0020]配置成矩阵状的激光发光元件8包括多组的一系列激光发光元件8。在本实施方式中，矩阵状配置的激光发光元件8包含5组一系列激光发光元件8，但也可以设置任意组数的一系列激光发光元件8。在本实施方式中，构成一系列的激光发光元件8的多个发光元件8发出相同颜色的激光LL。
[0021]多组各自的一系列的激光发光元件8通过连接相邻的激光发光元件8彼此的焊线9串联地电连接。一系列激光发光元件8的两端的一对激光发光元件8分别与一对引脚4电连接。
[0022]一组激光发光元件8包括发出相互不同颜色的激光LL的多种激光发本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光装置，其特征在于，其具备：基板；激光发光元件，其直接或者通过其他部件间接地载置于所述基板；框板，其具有内周面，所述内周面固定于所述基板的外周面，并具有沿厚度方向延伸的贯通孔；引脚，其插入所述贯通孔内，并与所述激光发光元件电连接；以及密封材料，其堵塞所述引脚与所述贯通孔之间。2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，所述基板的热传导率高于所述框板的热传导率。3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于，所述基板的厚度大于所述框板的厚度。4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于，所述框板的所述内周面安装在所述基板的厚度方向上的所述外周面的中央。5.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于，还具备中继基板，其设置于所述激光发光元件与所述引脚之间，所述中继基板通过第一焊线与所述激光发光元件电连接，并且通过第二焊线与所述引脚电连接。6.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第二焊线与所述引脚的前端的端面电连接。7.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，还具备盖部件，其以内包所述激光发光元件的方式安装于所述基板，所述盖部件包括：遮光部，其使所述激光发光元件发出的激光不透射；以及透射部，其使所述激光透射，所述遮光部以覆盖所述中继基板的方式设置。8.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，所述引脚的两个前端中与所述第二焊线连接的前端被配置成从所述密封部件中突出的量为1.2mm以下。9.一种半导体激光装置，其特征在于，其具备：基板；一组激光发光元件，其直接或者通过其他部件间接地载置于所述基板，并配置为矩阵状；框板，其具有内周面，所述内周面固定于所述基板的外周面，所述框板具有分别沿厚度方向延伸的多个贯通孔；多个引脚，所述多个引脚分别插入所述多个贯通孔内，并与所述一组激光...
【专利技术属性】
技术研发人员：早濑行秀，柴田祐佑，北野雅阳，
申请(专利权)人：夏普福山激光株式会社，
类型：发明
国别省市：
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