背接触太阳电池及电池组件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种背接触太阳电池及电池组件，涉及太阳电池技术领域。背接触太阳电池包括：硅基底，硅基底包括相对设置的第一表面和第二表面，背接触太阳电池还包括位于硅基底第一表面同一侧的第一电极、第二电极、第一导电层、第二导电层、绝缘层；绝缘层至少具有位于第一导电层和第二导电层之间的中间部分；绝缘层中至少中间部分沿着第一方向的边缘为锯齿状。由于绝缘层的中间部分沿着第一方向的边缘的锯齿状的存在，有效避免了横向导通，有效避免了电池内部纵向短路，可以提高背接触太阳电池的效率。锯齿状具有更大的表面积，在形状、色差上更具识别能力，使得背接触太阳电池的背部图案化更加精准，可以提高背接触太阳电池的效率。池的效率。池的效率。

【技术实现步骤摘要】
背接触太阳电池及电池组件


[0001]本技术涉及太阳电池
，特别是涉及一种背接触太阳电池及电池组件。

技术介绍

[0002]背接触太阳电池将栅线制作在电池背面，有效的减少了栅线遮挡，增加了电池入光效果，使得电池具有高的短路电流。因此，背接触太阳电池具有广阔的应用前景。
[0003]然而，现有的背接触太阳电池中短路问题时有发生，影响了背接触太阳电池的正常使用。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种背接触太阳电池及电池组件，旨在解决背接触太阳电池中短路的问题。
[0005]本技术的第一方面，提供一种背接触太阳电池，包括：硅基底，所述硅基底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述背接触太阳电池还包括位于所述硅基底第一表面同一侧的第一电极、第二电极、第一导电层、第二导电层、绝缘层；所述第一表面包括：间隔分布的第一导电区域和第二导电区域，所述第一导电层在所述第一表面上的投影包含所述第一导电区域，所述第二导电层在所述第一表面上的投影包含所述第二导电区域；
[0006]所述第一导电层和所述第二导电层的导电类型相反，所述第一电极在所述第一表面上的投影落入所述第一导电区域内，所述第二电极在所述第一表面上的投影落入所述第二导电区域内；
[0007]所述绝缘层至少具有位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的中间部分；
[0008]所述绝缘层中至少所述中间部分沿着第一方向的边缘为锯齿状；所述第一方向与所述第一表面平行，且，所述第一方向与所述第一导电区域和所述第二导电区域的分布方向垂直。
[0009]在本技术实施例中，绝缘层、第一导电层、第二导电层三者均位于硅基底的第一表面的同一侧，第一表面包括：间隔分布的第一导电区域和第二导电区域，第一导电层在第一表面上的投影包含第一导电区域，第二导电层在第一表面上的投影包含第二导电区域，绝缘层至少具有位于第一导电层和第二导电层之间的中间部分，绝缘层中至少该中间部分沿着第一方向的边缘为锯齿状，第一方向与第一表面平行，且，第一方向与第一导电区域和第二导电区域的分布方向垂直，在中间部分沿着第一方向的边缘的锯齿状上沉积任何层，由于锯齿状结构的存在，沉积都不够均匀，都将使得被沉积的层或薄膜不够均匀致密，使得被沉积的层的横向导电性能变差，更为有效的避免横向导通的可能性。特别是位于第一导电层和第二导电层之间的中间部分沿着第一方向的边缘的锯齿状，具有更多的绝缘间隙，可以有效的将电池的发射极与背场在物理空间上做隔绝，能更加有效的避免电池内部纵向短路。综上所述，由于绝缘层的中间部分沿着第一方向的边缘的锯齿状的存在，更为有
效的避免了横向导通，特别是更为有效的避免了电池内部纵向短路，可以提高背接触太阳电池的效率。同时，绝缘层的中间部分沿着第一方向的边缘的锯齿状具有更大的表面积，在形状、色差上更具识别能力，在CCD(charge coupled device，电荷耦合器件)相机下具有更高的识别度，有利于在背部激光图形化以及设置栅线的过程中相机对位的调整，使得背接触太阳电池的背部图案化更加精准，可以提高背接触太阳电池的效率。
[0010]可选的，所述绝缘层中至少所述中间部分，关于所述第一方向上的中线对称。
[0011]可选的，位于所述第一方向的同一侧，所述锯齿状由至少两段球弧体连接形成。
[0012]可选的，所述第一导电层在所述硅基底上的投影，与所述第二导电层在所述硅基底上的投影不重叠。
[0013]可选的，所述绝缘层与所述硅基底紧邻分布；或，所述背接触太阳电池还包括位于所述硅基底的背光侧的背面钝化层，所述背面钝化层中至少具有位于所述绝缘层和所述硅基底之间的部分。
[0014]可选的，所述第一导电层由第一导电子层和第二导电子层组成，所述第一导电子层内嵌于所述第二导电子层内，所述第一导电子层的掺杂类型和所述第二导电子层的掺杂类型相同，所述第一导电子层的掺杂浓度大于所述第二导电子层的掺杂浓度，所述第二导电子层比所述第一导电子层更靠近所述硅基底，所述第一电极位于所述第一导电子层远离所述第二导电子层的一侧；
[0015]和/或，所述第二导电层由第三导电子层和第四导电子层组成，所述第三导电子层内嵌于所述第四导电子层内，所述第三导电子层的掺杂类型和所述第四导电子层的掺杂类型相同，所述第三导电子层的掺杂浓度大于所述第四导电子层的掺杂浓度，所述第四导电子层比所述第三导电子层更靠近所述硅基底，所述第二电极位于所述第三导电子层远离所述第四导电子层的一侧。
[0016]可选的，所述第一导电层位于所述第二导电层和所述硅基底之间，所述第一导电层在所述硅基底上的投影，落入所述第二导电层在所述硅基底上的投影内，所述第一电极和所述第二电极均位于所述第二导电层远离所述硅基底的一侧，所述第一电极、所述绝缘层、所述第二电极三者在所述硅基底上的投影不交叠，所述第一电极位于所述第二导电层上与所述第一导电层对应的区域内。
[0017]可选的，所述第一导电层在所述硅基底上的投影，与所述第二导电层在所述硅基底上的投影具有重叠部分和非重叠部分，所述中间部分在所述硅基底上的投影至少部分落入所述重叠部分，所述第一电极位于所述第一导电层中非重叠部分对应的区域内，所述第二电极位于所述第二导电层中非重叠部分对应的区域内。
[0018]可选的，所述中间部分为一个绝缘条或多个绝缘条；所述中间部分中至少存在一个贯穿绝缘条，所述贯穿绝缘条在所述第一方向上贯穿所述背接触太阳电池。
[0019]可选的，所述绝缘层为一层结构或多层结构，所述绝缘层的厚度为100
‑
500nm；所述绝缘层的厚度所在的方向与所述第一电极和所述第一导电层背离所述硅基底的设置方向平行。
[0020]可选的，所述绝缘层的厚度为200nm。
[0021]可选的，所述中间部分沿着第一方向的边缘中所述球弧体的半径为0.001
‑
2μm；
[0022]和/或，位于所述第一方向的同一侧，所述中间部分沿着第一方向的边缘中位置相
邻的两个球弧体的圆心之间的距离为0.001
‑
1μm；
[0023]和/或，位于所述第一方向的两侧，所述中间部分沿着第一方向的边缘中位置相对的两个球弧体的圆心之间的距离为0.001
‑
300μm，位置相对的两个球弧体的圆心之间的连线与所述第一方向垂直；
[0024]和/或，在与所述第一方向平行的方向上，所述中间部分沿着第一方向的边缘中每一厘米内的球弧体的个数为1000
‑
1000000；
[0025]和/或，在与第二方向平行的方向上，所述中间部分沿着第一方向的边缘中的球弧体的个数为1
‑
1000；所述第二方向与所述第一电极与所述第一导电层背离所述硅基底的设置方向平行。
[0026]可选的，所述第一导电层和所述第二导电层的材料均选自掺杂的微晶硅、掺杂的多晶硅、掺杂的非晶硅中的至少一种；所述绝缘层的材料选自氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述背接触太阳电池还包括位于所述硅基底第一表面同一侧的第一电极、第二电极、第一导电层、第二导电层、绝缘层；所述第一表面包括：间隔分布的第一导电区域和第二导电区域，所述第一导电层在所述第一表面上的投影包含所述第一导电区域，所述第二导电层在所述第一表面上的投影包含所述第二导电区域；所述第一导电层和所述第二导电层的导电类型相反，所述第一电极在所述第一表面上的投影落入所述第一导电区域内，所述第二电极在所述第一表面上的投影落入所述第二导电区域内；所述绝缘层至少具有位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的中间部分；所述绝缘层中至少所述中间部分沿着第一方向的边缘为锯齿状；所述第一方向与所述第一表面平行，且，所述第一方向与所述第一导电区域和所述第二导电区域的分布方向垂直。2.根据权利要求1所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述绝缘层中至少所述中间部分，关于所述第一方向上的中线对称。3.根据权利要求1所述的背接触太阳电池，其特征在于，位于所述第一方向的同一侧，所述锯齿状由至少两段球弧体连接形成。4.根据权利要求1
‑
3中任一所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述第一导电层在所述硅基底上的投影，与所述第二导电层在所述硅基底上的投影不重叠。5.根据权利要求4所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述绝缘层与所述硅基底紧邻分布；或，所述背接触太阳电池还包括位于所述硅基底的背光侧的背面钝化层，所述背面钝化层中至少具有位于所述绝缘层和所述硅基底之间的部分。6.根据权利要求1
‑
3中任一所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述第一导电层由第一导电子层和第二导电子层组成，所述第一导电子层内嵌于所述第二导电子层内，所述第一导电子层的掺杂类型和所述第二导电子层的掺杂类型相同，所述第一导电子层的掺杂浓度大于所述第二导电子层的掺杂浓度，所述第二导电子层比所述第一导电子层更靠近所述硅基底，所述第一电极位于所述第一导电子层远离所述第二导电子层的一侧；和/或，所述第二导电层由第三导电子层和第四导电子层组成，所述第三导电子层内嵌于所述第四导电子层内，所述第三导电子层的掺杂类型和所述第四导电子层的掺杂类型相同，所述第三导电子层的掺杂浓度大于所述第四导电子层的掺杂浓度，所述第四导电子层比所述第三导电子层更靠近所述硅基底，所述第二电极位于所述第三导电子层远离所述第四导电子层的一侧。7.根据权利要求1
‑
3中任一所述的背接触太阳电池，其特征在于，所述第一导电层位于所述第二导电层和所述硅基底之间，所述第一导电层在所述硅基底上的投影，落入所述第二导电层在所述硅基底上的投影内，所述第一电极和所述第二电极均位于所述第二导电层远离所述硅基底的一侧，所述第一电极、所述绝缘层、所述第二电极三者在所述硅基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱浩然，章金生，魏俊喆，方亮，
申请(专利权)人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：