本发明专利技术公开一种管线装置及半导体处理设备，涉及半导体加工技术领域，用于在离子注入工艺中防止废气排放管线堵塞。该管线装置包括：具有副产物接口的管线本体、导出管、加热组件、冷却组件及控制器。管线本体的第一端与分子泵连通，管线本体的第二端与干泵连通。副产物接口位于管线本体的第一端与第二端之间，导出管与副产物接口连接。加热组件设在管线本体的第一端与副产物接口之间，用于对管线本体的第一端与副产物接口之间的部分进行加热。冷却组件设在导出管上，用于对导出管进行冷却。上述半导体处理设备包括该管线装置。述半导体处理设备包括该管线装置。述半导体处理设备包括该管线装置。
【技术实现步骤摘要】
一种管线装置及半导体处理设备
[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种管线装置及半导体处理设备。
技术介绍
[0002]在半导体加工过程中，一般需要采用离子注入工艺，在半导体中注入相应的杂质离子，可以改变半导体表面的电导率或形成PN结。一般情况下，离子注入工艺采用的掺杂元素气体大部分具有剧毒，因此需要对掺杂元素气体的副产物通过废气排放管线进行统一收集并安全排放。
[0003]在离子注入工艺进行的过程中，气体状的副产物会在废气排放管线中凝华，从而会以固体的形态堆积在废气排放管线的内壁，使废气排放管线堵塞，会影响后续的工艺操作。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种管线装置及半导体处理设备，用于在离子注入工艺中防止废气排放管线堵塞。
[0005]第一方面，本专利技术提供的一种管线装置，应用于具有分子泵和干泵的半导体处理设备中。该管线装置包括：具有副产物接口的管线本体、导出管、加热组件、冷却组件及控制器。管线本体的第一端与分子泵连通，管线本体的第二端与干泵连通。副产物接口位于管线本体的第一端与第二端之间，导出管与副产物接口连接。加热组件设在管线本体的第一端与副产物接口之间，用于对管线本体的第一端与副产物接口之间的部分进行加热。冷却组件设在导出管上，用于对导出管进行冷却。控制器分别与加热组件及冷却组件通信连接，用于根据管线本体内副产物的物理参数，控制加热组件的加热温度及冷却组件的冷却温度。
[0006]与现有技术相比，本专利技术提供的管线装置，管线本体的第一端与副产物接口之间设有加热组件，导出管上设有冷却组件。在使用过程中，通过控制器控制加热组件的加热温度，对管线本体的第一端与副产物接口之间的部分进行加热，防止管线本体的第一端与副产物接口之间的管壁温度较低，导致气体状的副产物凝华在管线本体的第一端与副产物接口之间的部分，而使管线本体堵塞。控制器控制冷却组件的冷却温度，对导出管进行冷却，使气体状的副产物凝华在导出管内。
[0007]由上述可知，本专利技术提供的管线装置，可以防止气体状的副产物凝华在管线本体上。也就是说，本专利技术提供的管线装置可以防止管线本体堵塞，以避免影响后续的工艺操作。
[0008]第二方面，本专利技术提供一种半导体处理设备，包括第一方面所述的管线装置。
[0009]与现有技术相比，本专利技术第二方面提供的半导体处理设备的有益效果与第一方面所述的管线装置的有益效果相同，在此不再赘述。
附图说明
[0010]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0011]图1为现有技术中的管线装置的结构示意图；
[0012]图2为本专利技术实施例提供的管线装置的结构示意图；
[0013]图3为本专利技术实施例提供的空气冷却箱的结构示意图。
具体实施方式
[0014]为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0015]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0016]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
[0017]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0018]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0019]离子注入工艺是半导体工艺中的一道掺杂工艺，使用的掺杂元素气体大部分具有剧毒。例如：掺杂元素可以为硼、磷或砷。在离子注入工艺进行的过程中，气体状的副产物会在管线中凝华，从而会以固体的形态堆积在废气排放管线的内壁，使废气排放管线堵塞，会影响后续的工艺操作。
[0020]图1示例出了现有技术中的管线装置的结构示意图。参照图1，废气排放管线的第一端可以与分子泵1连通，废气排放管线的第二端可以与干泵2连通。分子泵1与源腔3连通，用于抽取源腔3内的气体状的副产物，进而在干泵2和废气排放管线的配合下，将副产物排出。
[0021]参照图1，废气排放管线可以由一个弯形管道和多个直线型管道连接而成。弯形管道用于连接相邻的两个直线型管道，且弯形管道靠近分子泵1。靠近干泵2的直线型管道上设有一个气体阀门4，用于控制废气排放管线的导通或关断，并且可以用于控制气体状的副产物的流动速率。
[0022]参照图1，在实际应用过程中，当离子注入工艺中选用的掺杂元素为磷时，在废气排放管线的管壁温度较低的情况下，离子化的磷会凝华在废气排放管线的内壁，会使废气排放管线堵塞。当对废气排放管线进行预防性维护时，需要对堵塞的废气排放管线进行更换。在更换的过程中，相邻的两个直线型管道或直线型管道与弯形管道之间会产生摩擦，而磷的燃点最低仅有40℃。也就是说，在更换废气排放管线的过程中，很有可能会由于管道之间的摩擦而使废气排放管线着火。
[0023]针对上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种管线装置及半导体处理设备，用于在离子注入工艺中防止废气排放管线堵塞。
[0024]图2示例出了本专利技术实施例提供的管线装置的结构示意图。参照图2，本专利技术实施例提供的管线装置包括：具有副产物接口的管线本体5、导出管6、加热组件、冷却组件及控制器。
[0025]参照图2，管线本体5的第一端可以与分子泵1连通，管线本体5的第二端与干泵2连通。副产物接口可以位于管线本体5的第一端与第二端之间，导出管6可以与副产物接口连接。加热组件设在管线本体5的第一端与副产物接口之间，用于对管线本体5的第一端与副产物接口之间的部分进行加热。冷却组件设在导出管6上，用于对导出管6进行冷却。控制器分别与加热组件及冷却组件通信连接，用于根据管线本体5内副产物的物理参数，控制加热组件的加本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种管线装置，其特征在于，应用于具有分子泵和干泵的半导体处理设备中，所述管线设备包括：具有副产物接口的管线本体、导出管、加热组件、冷却组件及控制器；所述管线本体的第一端与所述分子泵连通，所述管线本体的第二端与所述干泵连通，所述副产物接口位于所述管线本体的第一端与第二端之间，所述导出管与所述副产物接口连接；所述加热组件设在所述管线本体的第一端与所述副产物接口之间，用于对所述管线本体的第一端与所述副产物接口之间的部分进行加热；所述冷却组件设在所述导出管上，用于对所述导出管进行冷却；所述控制器分别与所述加热组件及所述冷却组件通信连接，用于根据所述管线本体内副产物的物理参数，控制所述加热组件的加热温度及所述冷却组件的冷却温度。2.根据权利要求1所述的管线装置，其特征在于，所述管线本体内部为真空状态，所述管线本体包括一个第一配管及多个第二配管；所述第一配管用于连接相邻两个所述第二配管，所述第一配管靠近所述管线本体的第一端，所述副产物接口设在所述第一配管与所述管线本体的第二端之间的任一所述第二配管上；其中，所述第一配管为弯型管道，所述第二配管为直线型管道。3.根据权利要求1所述的管线装置，其特征在于，所述导出管与所述副产物接口可拆卸连接；和/或，所述管线装置还包括与所述控制器通信连接的气体阀门，所述气体阀门设在所述管线本体...
【专利技术属性】
技术研发人员：李河圣，朴兴雨，朱宁炳，刘金彪，刘青，王垚，杨涛，李俊峰，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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