一种太阳能电池片的PID测试方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种太阳能电池片的PID测试方法，包括：提供待测试的太阳能电池片；在太阳能电池片表面涂覆PID杂质离子；将涂覆PID杂质离子后的太阳能电池片移入电池片PID测试仪中进行PID测试；待PID测试完成后，将太阳能电池片移出电池片PID测试仪，提取太阳能电池片的性能参数，并根据性能参数评估太阳能电池片的性能。本发明专利技术实施例提供的PID测试方法可有效降低制样成本，提高测试效率，匹配当前生产线的要求，有助于在生产源头监控太阳能电池片抗PID性能，起到改善电池制备工艺和研究PID机理提供便利的作用。研究PID机理提供便利的作用。研究PID机理提供便利的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池片的PID测试方法


[0001]本专利技术实施例涉及光伏电池测试
，尤其涉及一种太阳能电池片的PID测试方法。

技术介绍

[0002]当今世界社会与经济发展对充足且廉价的电力需求日益增大，而太阳能作为可再生能源的代表可作为电力资源的可靠来源。如何提高太阳能光伏组件效率和可靠性是行业研究的重要方向。制程缺陷及应用环境和气候侵蚀所引发的衰减，特别是电势诱导衰减(Potential
‑
Induced Degradation，PID)，会降低组件效率甚至缩短其使用寿命。
[0003]传统的PID可靠性测试通常需要制备测试用的PID特性的待测样品，往往需要使用玻璃、EVA薄膜(Ethylene
‑
vinyl Acetate Copolymer，EVA，乙烯
‑
醋酸乙烯共聚物)与电池片的堆垛结构，测试环境中的高温会使EVA熔融，玻璃和电池片粘接在一起无法无损分离,影响电池片组件的后续表征测试；同时，传统的PID可靠性测试往往需要建立在组件端，组件对PID可靠性测试的敏感程度与被检测的电池有关，普遍耗时久成本高，无法满足快速检查的需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种太阳能电池片的PID测试方法，可有效降低制样成本，提高测试效率，匹配当前生产线的要求，有助于在生产源头监控太阳能电池片抗PID性能，起到改善电池制备工艺和研究PID机理提供便利的作用。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种太阳能电池片的PID测试方法，包括：
[0006]提供待测试的太阳能电池片；
[0007]在所述太阳能电池片表面涂覆PID杂质离子；
[0008]将涂覆所述PID杂质离子后的所述太阳能电池片移入电池片PID测试仪中进行PID测试；
[0009]待PID测试完成后，将所述太阳能电池片移出所述电池片PID测试仪，提取所述太阳能电池片的性能参数，并根据所述性能参数评估所述太阳能电池片的性能。
[0010]可选的，在所述太阳能电池片表面涂覆PID杂质离子，包括：
[0011]在所述太阳能电池片表面均匀涂覆包含PID杂质离子的溶液；
[0012]蒸发所述太阳能电池片表面的溶液，以使所述PID杂质离子均匀涂覆在所述太阳能电池片的表面。
[0013]可选的，蒸发所述太阳能电池片表面的溶液，包括：
[0014]设置所述太阳能电池片位于加热设备中；
[0015]调节所述加热设备的温度范围T满足25℃≤T≤200℃，以使所述太阳能电池片表面的溶液蒸发。
[0016]可选的，所述电池片PID测试仪包括测试腔体、电压施加板和加热台；
[0017]所述电压施加板和所述加热台均位于所述测试腔体内部，所述电压施加板用于提供所述太阳能电池片进行PTD测试的电压，所述加热台用于承载并加热所述太阳能电池片；
[0018]将涂覆PID杂质离子后的所述太阳能电池片移入电池片PID测试仪中进行PID测试，包括：
[0019]设置所述太阳能电池片位于所述加热台靠近所述电压施加板的一侧；
[0020]在所述太阳能电池片与所述电压施加板之间设置光伏玻璃片；其中，所述光伏玻璃片在所述太阳能电池片上的垂直投影、所述电压施加板在所述太阳能电池片上的垂直投影以及所述加热台在所述太阳能电池片上的垂直投影至少部分交叠；
[0021]设置电池片PID测试仪的测试参数，启动所述电池片PID测试仪对所述太阳能电池片进行PID测试；所述测试参数包括测试电压、测试温度和测试时间。
[0022]可选的，所述光伏玻璃片包括相邻设置的第一边和第二边，所述第一边的边长为a，所述第二边的边长为b；
[0023]所述第一边的边长a满足50mm≤a≤300mm；所述第二边的边长b满足50mm≤b≤300mm。
[0024]可选的，将涂覆所述PID杂质离子后的所述太阳能电池片移入电池片PID测试仪中进行PID测试之后，还包括：
[0025]获取测试数据，所述测试数据包括并联电阻；
[0026]根据所述并联电阻评估所述太阳能电池片的PID测试效果。
[0027]可选的，提取所述太阳能电池片的性能参数之前，还包括：
[0028]清洗所述太阳能电池片。
[0029]可选的，所述性能参数包括电性能参数、深度成像表征参数和界面外貌成分参数。
[0030]可选的，所述PID杂质离子包括钠离子；
[0031]所述包含PID杂质离子的溶液中，所述钠离子的质量分数C满足
[0032]0％≤C≤30％。
[0033]可选的，所述太阳能电池片包括晶体硅系太阳能电池片。
[0034]本专利技术实施例提供的太阳能电池片的PID测试方法，通过直接在太阳能电池片表面涂覆PID杂质离子，制备得到含有PID杂质离子的待检测太阳能电池片，简化了制备待检测太阳能电池片的步骤，进一步，将涂覆所述PID杂质离子后的所述太阳能电池片移入电池片PID测试仪中进行PID测试，与现有技术相比，无需使用EVA薄膜，经PID测试后的太阳能电池片表面无EVA残留，待测试太阳能电池片的样品制备简单，对太阳能电池片表面的损伤小，减小了对提取太阳能电池片的性能参数以及根据性能参数评估太阳能电池片的性能的影响。采用该PID测试方法可有效降低制样成本，提高测试效率，匹配当前生产线的要求，有助于在生产源头监控太阳能电池片抗PID性能，起到改善电池制备工艺和研究PID机理提供便利的作用。
附图说明
[0035]图1是本专利技术实施例提供的一种太阳能电池片的PID测试方法的流程图；
[0036]图2是本专利技术实施例提供的另一种太阳能电池片的PID测试方法的流程图；
[0037]图3是本专利技术实施例提供的待测太阳能电池片PID测试中的结构示意图；
[0038]图4是本专利技术实施例提供的另一种太阳能电池片的PID测试方法的流程图。
具体实施方式
[0039]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0040]本专利技术实施例提供一种太阳能电池片的PID测试方法，图1是本专利技术实施例提供的一种太阳能电池片的PID测试方法的流程图，参考图1，该太阳能电池片的PID测试方法，包括：
[0041]S101、提供待测试的太阳能电池片。
[0042]示例性的，目前，太阳能电池种类居多，根据所用材料的不同，太阳能电池包括：硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池、有机太阳能电池、塑料太阳能电池等，本实施例中根据实际生产的需要，选择待测试的太阳能电池片。
[0043]S102、在太阳能电池片表面涂覆PID杂质离子。
[0044本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片的PID测试方法，其特征在于，包括：提供待测试的太阳能电池片；在所述太阳能电池片表面涂覆PID杂质离子；将涂覆所述PID杂质离子后的所述太阳能电池片移入电池片PID测试仪中进行PID测试；待PID测试完成后，将所述太阳能电池片移出所述电池片PID测试仪，提取所述太阳能电池片的性能参数，并根据所述性能参数评估所述太阳能电池片的性能。2.根据权利要求1所述的PID测试方法，其特征在于，在所述太阳能电池片表面涂覆PID杂质离子，包括：在所述太阳能电池片表面均匀涂覆包含PID杂质离子的溶液；蒸发所述太阳能电池片表面的溶液，以使所述PID杂质离子均匀涂覆在所述太阳能电池片的表面。3.根据权利要求2所述的PID测试方法，其特征在于，蒸发所述太阳能电池片表面的溶液，包括：设置所述太阳能电池片位于加热设备中；调节所述加热设备的温度范围T满足25℃≤T≤200℃，以使所述太阳能电池片表面的溶液蒸发。4.根据权利要求1所述的PID测试方法，其特征在于，所述电池片PID测试仪包括测试腔体、电压施加板和加热台；所述电压施加板和所述加热台均位于所述测试腔体内部，所述电压施加板用于提供所述太阳能电池片进行PID测试的电压，所述加热台用于承载并加热所述太阳能电池片；将涂覆PID杂质离子后的所述太阳能电池片移入电池片PID测试仪中进行PID测试，包括：设置所述太阳能电池片位于所述加热台靠近所述电压施加板的一侧；在所述太阳能电池片与所述电压施加板之间设置光...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴雨桐，余玄机，陆悦，吕瑞瑞，唐景，吴中海，
申请(专利权)人：常熟阿特斯阳光电力科技有限公司阿特斯阳光电力集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：