半导体结构的制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的制备方法，通过分步形成电镀金属层，可在具有不同面积的第一导电件及第二导电件上形成具有良好平坦度的第一电镀金属层及第二电镀金属层，从而可促进后续工艺的进行，降低工艺控制难度，大大提高最终制备的半导体结构的性能和成品率。高最终制备的半导体结构的性能和成品率。高最终制备的半导体结构的性能和成品率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，涉及一种半导体结构的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体先进封装中，电镀工艺至关重要，电镀均匀性对于形成良好的电路非常重要，它直接影响芯片的许多电性能，如特性阻抗，且对电镀均匀性的控制无疑也会对其他封装工艺步骤的控制造成影响，如对介电层的平坦度的控制、对金属凸块的平坦度的控制等，可以说电镀均匀性直接影响着半导体产品的成品率。
[0003]随着半导体技术的发展，半导体集成电路的功能越来越强、性能和集成度也越来越高，封装结构的设计也越来越复杂，采用电镀法制备金属层时，通常需要在具有不同尺寸的孔或槽中进行，然而在采用现有的电镀方法制备半导体结构时，由于待电镀的孔或槽的尺寸不一，会导致电镀形成的金属层的平坦度较差，且会给后续的平坦化封装工艺带来难度。
[0004]因此，有必要提高半导体结构的电镀均匀性水平，以满足日益增长的市场需求。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制备方法，用于解决现有技术中难以形成具有良好平坦度的电镀金属层的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：提供基板，所述基板的表面具有间隔设置的第一导电件及第二导电件；于所述基板上形成图形化的介质层，所述介质层包括显露所述第一导电件的第一介质层窗口及显露所述第二导电件的第二介质层窗口，且显露的所述第二导电件与显露的所述第一导电件具有面积差；形成金属种子层，所述金属种子层覆盖所述介质层以及显露的所述第一导电件及所述第二导电件；于所述金属种子层上形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层填充所述第二介质层窗口，且所述第一掩膜层具有第一掩膜层窗口，所述第一掩膜层窗口显露所述第一介质层窗口；进行第一电镀，于所述第一介质层窗口及所述第一掩膜层窗口中形成第一电镀金属层；去除所述第一掩膜层；形成图形化的第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述第一电镀金属层及所述金属种子层，且所述第二掩膜层具有第二掩膜层窗口，所述第二掩膜层窗口显露所述第二介质层窗口；进行第二电镀，于所述第二介质层窗口及所述第二掩膜层窗口中形成第二电镀金属层，且所述第二电镀金属层的表面与所述第一电镀金属层的表面位于同一平面；
去除所述第二掩膜层；去除显露的所述金属种子层。
[0007]可选地，形成的所述第一介质层窗口及所述第一掩膜层窗口的中心线相重合；形成的所述第二介质层窗口及所述第二掩膜层窗口的中心线相重合。
[0008]可选地，所述基板包括玻璃基板、硅基底、氧化物基板及聚合物基板中的一种。
[0009]可选地，所述第一导电件包括Al导电件、Cu导电件、Ni导电件、Au导电件中的一种；所述第二导电件包括Al导电件、Cu导电件、Ni导电件、Au导电件中的一种。
[0010]可选地，所述介质层包括光敏性PI介质层。
[0011]可选地，形成的所述第一电镀金属层与形成的所述第二电镀金属层具有相同材质。
[0012]可选地，形成所述金属种子层的方法包括溅射法，形成的所述金属种子层包括Ti/Cu金属种子层。
[0013]可选地，显露的所述第二导电件的面积与显露的所述第一导电件的面积比为2~500。
[0014]可选地，显露的所述第一导电件的面积与显露的所述第二导电件的面积比为2~500。
[0015]可选地，所述基板包括晶圆级基板。
[0016]如上所述，本专利技术的半导体结构的制备方法，通过分步形成电镀金属层，可在具有不同面积的第一导电件及第二导电件上形成具有良好平坦度的第一电镀金属层及第二电镀金属层，从而可促进后续工艺的进行，降低工艺控制难度，大大提高最终制备的半导体结构的性能和成品率。
附图说明
[0017]图1显示为本专利技术实施例中半导体结构的制备方法的工艺流程示意图。
[0018]图2显示为本专利技术实施例中提供的基板的结构示意图。
[0019]图3显示为本专利技术实施例中于基板上形成图形化的介质层后的结构示意图。
[0020]图4显示为本专利技术实施例中形成金属种子层后的结构示意图。
[0021]图5显示为本专利技术实施例中形成图形化的第一掩膜层后的结构示意图。
[0022]图6显示为本专利技术实施例中形成第一电镀金属层后的结构示意图。
[0023]图7显示为本专利技术实施例中去除第一掩膜层后的结构示意图。
[0024]图8显示为本专利技术实施例中形成图形化的第二掩膜层后的结构示意图。
[0025]图9显示为本专利技术实施例中形成第二电镀金属层后的结构示意图。
[0026]图10显示为本专利技术实施例中去除第二掩膜层后的结构示意图。
[0027]图11显示为本专利技术实施例中去除显露的金属种子层后的结构示意图。
[0028]元件标号说明100
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基板；101
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导电件；111
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第一导电件；121
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第二导电件；200
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介质层；201
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第一介质层窗口；202
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第二介质层窗口；300
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金属种子层；401
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第一掩膜层；411
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第一掩膜层窗口；402
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第二掩膜层；412
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第二掩膜层窗口；501
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第一电镀金属层；502
‑
第二电镀金属层。
具体实施方式
[0029]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0030]如在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0031]为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。其中，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0032]此处可能使用诸如“介于
……
之间”，该表达表示包括两端点值，以及可能使用诸如“多个”，该表达表示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基板，所述基板的表面具有间隔设置的第一导电件及第二导电件；于所述基板上形成图形化的介质层，所述介质层包括显露所述第一导电件的第一介质层窗口及显露所述第二导电件的第二介质层窗口，且显露的所述第二导电件与显露的所述第一导电件具有面积差；形成金属种子层，所述金属种子层覆盖所述介质层以及显露的所述第一导电件及所述第二导电件；于所述金属种子层上形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层填充所述第二介质层窗口，且所述第一掩膜层具有第一掩膜层窗口，所述第一掩膜层窗口显露所述第一介质层窗口；进行第一电镀，于所述第一介质层窗口及所述第一掩膜层窗口中形成第一电镀金属层；去除所述第一掩膜层；形成图形化的第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖所述第一电镀金属层及所述金属种子层，且所述第二掩膜层具有第二掩膜层窗口，所述第二掩膜层窗口显露所述第二介质层窗口；进行第二电镀，于所述第二介质层窗口及所述第二掩膜层窗口中形成第二电镀金属层，且所述第二电镀金属层的表面与所述第一电镀金属层的表面位于同一平面；去除所述第二掩膜层；去除显露的所述金属种子层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：形成的所述第一介质层窗口及所述第一掩膜层窗口的中心线相重合；形成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，尹佳山，周祖源，薛兴涛，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：