一种在两电平三电平DC-DC变换器原边串并联的切换方法技术

本发明专利技术公开了一种在两电平三电平DC

【技术实现步骤摘要】
一种在两电平三电平DC
‑
DC变换器原边串并联的切换方法


[0001]本专利技术涉及检测
，具体是一种在两电平三电平DC
‑
DC变换器原边串并联的切换方法。

技术介绍

[0002]现有的车载充电器（OBC）的高压DC/DC（HV
‑
DC/DC）的输入电压为前级的单/三相APFC(有源功率因数矫正)的输出HV（母线）电压，在不同的工况下（例如AC输入为单相供电和三相供电的情况），母线上的直流电压（HVDC）有很大的差异，且变化的范围很宽。如果使用两电平的HV
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DC/DC变换器，需要将其设计为具有宽电压增益调节范围的变换器，由此导致功率开关器件的应力高、且需要以牺牲整机的转换效率为代价。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种在两电平三电平DC
‑
DC变换器原边串并联的切换方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种在两电平三电平DC
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DC变换器原边串并联的切换方法，具体方法如下：使用2个两电平HV_DC/DC变换器，二次侧为固定的并联方式，原边利用两个继电器或四个MOSFET组成串并联开关，在高压母线的情况下原边切换为串联的方式，在低压母线的情况下原边切换为并联的方式。
[0005]作为本专利技术的进一步技术方案：所述两电平HV_DC/DC变换器的原边均并联有电容。
[0006]作为本专利技术的进一步技术方案：当采用继电器组成串并联开关时，两个继电器分别为继电器K1和继电器K2，继电器K1的一端连接电容C1和第一HV_DC/DC变换器的原边接口2，继电器K1的另一端连接电容C2和第二HV_DC/DC变换器的原边接口2，继电器K2的一端连接电容C1的另一端和第一HV_DC/DC变换器的原边接口1，继电器K1的另一端连接电容C2的另一端和第二HV_DC/DC变换器的原边接口1，继电器K1的触点连接继电器K2的触点。
[0007]作为本专利技术的进一步技术方案：所述继电器K1和继电器K2均为常开触点继电器。
[0008]作为本专利技术的进一步技术方案：当采用MOSFET组成串并联开关时，四个MOSFET分别为MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4，MOS管Q1的一端连接电容C1和第一HV_DC/DC变换器的原边接口1，MOS管Q1的另一端连接电容C2、MOS管Q3和第二HV_DC/DC变换器的原边接口1，MOS管Q4的一端连接电容C2的另一端和第二HV_DC/DC变换器的原边接口2，MOS管Q4的另一端连接电容C1的另一端、MOS管Q2和第一HV_DC/DC变换器的原边接口2，MOS管Q2的另一端连接MOS管Q3的另一端。
[0009]作为本专利技术的进一步技术方案：所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4均为P
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MOS管。
[0010]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
本专利技术使用2个两电平的HV
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DC/DC变换器进行串并联切换，对于单个HV
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DC/DC变换器而言，其输入电压的变化范围大大的缩小，电压增益的范围也相应缩小，可提高整机的变换效率，并降低功率开关器件的应力，并降低OBC的设计难度。
附图说明
[0011]图1是采用继电器组成串并联开关时的电路图。
[0012]图2是采用MOSFET组成串并联开关时的电路图。
具体实施方式
[0013]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0014]实施例1：一种在两电平三电平DC
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DC变换器原边串并联的切换方法，本专利技术使用2个两电平HV
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DC/DC变换器，二次侧（副边）为固定的并联方式（也可按工作条件的不同，固定为并联方式）。
[0015]一次侧（原边）在高电压母线下的工况下（如前级为三相APFC时）切换到串联方式，在低电压母线的工况下（如前级为单相APFC时）切换到并联方式，从而对于单个HV
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DC/DC变换器而言，其输入电压的变化范围大大的缩小，电压增益的范围也相应缩小，可提高整机的变换效率，并降低功率开关器件的应力。
[0016]实施例2，在实施例1的基础上，如图1所示，当采用继电器组成串并联开关时，两个继电器分别为继电器K1和继电器K2，继电器K1的一端连接电容C1和第一HV_DC/DC变换器的原边接口2，继电器K1的另一端连接电容C2和第二HV_DC/DC变换器的原边接口2，继电器K2的一端连接电容C1的另一端和第一HV_DC/DC变换器的原边接口1，继电器K1的另一端连接电容C2的另一端和第二HV_DC/DC变换器的原边接口1，继电器K1的触点连接继电器K2的触点。继电器K1和继电器K2均为常开触点继电器。
[0017]实施例3，在实施例1的基础上，如图2所示，当采用MOSFET组成串并联开关时，四个MOSFET分别为MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4，MOS管Q1的一端连接电容C1和第一HV_DC/DC变换器的原边接口1，MOS管Q1的另一端连接电容C2、MOS管Q3和第二HV_DC/DC变换器的原边接口1，MOS管Q4的一端连接电容C2的另一端和第二HV_DC/DC变换器的原边接口2，MOS管Q4的另一端连接电容C1的另一端、MOS管Q2和第一HV_DC/DC变换器的原边接口2，MOS管Q2的另一端连接MOS管Q3的另一端。MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4均为P
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MOS管。
[0018]对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0019]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包
含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在两电平三电平DC
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DC变换器原边串并联的切换方法，其特征在于，具体方法如下：使用2个两电平HV_DC/DC变换器，二次侧为固定的并联方式，原边利用两个继电器或四个MOSFET组成串并联开关，在高压母线的情况下原边切换为串联的方式，在低压母线的情况下原边切换为并联的方式。2.根据权利要求1所述的一种在两电平三电平DC
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DC变换器原边串并联的切换方法，其特征在于，所述两电平HV_DC/DC变换器的原边均并联有电容。3.根据权利要求2所述的一种在两电平三电平DC
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DC变换器原边串并联的切换方法，其特征在于，当采用继电器组成串并联开关时，两个继电器分别为继电器K1和继电器K2，继电器K1的一端连接电容C1和第一HV_DC/DC变换器的原边接口2，继电器K1的另一端连接电容C2和第二HV_DC/DC变换器的原边接口2，继电器K2的一端连接电容C1的另一端和第一HV_DC/DC变换器的原边接口1，继电器K1的另一端连接电容C2的另一端和第二HV_DC/DC变换器的原边接口1，继电器K1的触点连接继电器K2的触点。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李然，殷莉，汤大马，
申请(专利权)人：安徽橡豫智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：