一种CMOS图像芯片、相机及其调试方法技术

本发明专利技术涉及一种CMOS图像芯片、相机及其调试方法。本发明专利技术的CMOS图像芯片包括感光区和包围所述感光区的发光区；在发光区设有多个发光二极管，依据光的可逆性原理，利用发光二极管在待检测基板上的投影图案确定CMOS图像芯片的衬底的感光有效区，避免现有技术以相机成像在显示器上的画面作为调试依据，相机成像画面存在信号延迟导致调试效率低的问题，大大提升相机的调试效率。相机的调试效率。相机的调试效率。

【技术实现步骤摘要】
一种CMOS图像芯片、相机及其调试方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种CMOS图像芯片、相机及其调试方法。

技术介绍

[0002]目前工业相机采用的成像芯片多为背照式CMOS图像(CMOS Image Sensor，简称CIS)芯片。CIS芯片具有体积小、功耗低等优势且应用范围广阔。传统检测设备的光学系统较固定，在调试完毕后，为了保持相机稳定性，相机与光源一般固定放置，很少移动位置与距离。但是，相机的调试过程中虽有理论计算值可参考，但必须要经过相机成像在显示器上的画面作为调试依据，另外由于相机成像画面在传输过程一般存在信号延迟，因此相机的调试效率较低。特别是用于实验设备的调试，要频繁切换相机类型，更换镜头，调整相机与光源的位置，由于相机的调试过程的低效率，导致实验效率低下。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种CMOS图像芯片、相机及其调试方法，其能够解决现有技术中需要经过相机成像在显示器上的画面作为调试依据，相机成像画面在传输过程存在信号延迟，导致相机调试效率较低等问题。
[0004]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种CMOS图像芯片，其包括：感光区和包围所述感光区的发光区；所述CMOS图像芯片包括：电路层，位于所述感光区和所述发光区；多个光电二极管，设置于所述感光区的所述电路层上，且电连接至所述电路层；以及多个发光二极管，设置于所述发光区的所述电路层上，且电连接至所述电路层。
[0005]进一步的，位于所述感光区的所述电路层上设置有衬底，所述多个光电二极管设置于所述感光区的所述衬底上。
[0006]进一步的，所述衬底还设置于所述发光区的所述电路层上，位于所述发光区的所述衬底上具有第一开口，所述发光二极管位于所述第一开口内。
[0007]进一步的，所述发光二极管为Micro LED或者Mini LED。
[0008]进一步的，每一所述发光二极管包括：基板、设置于所述基板朝向所述电路层的一侧的发光层、间隔设置于所述发光层远离所述基板的一侧的P极和N极；其中，与所述第一开口对应的所述电路层上具有分别与所述P极和N极一一对应电连接的第一电极和第二电极。
[0009]进一步的，每一所述发光二极管还具有凸点金属，设置于所述P极与所述第一电极之间和所述N极与所述第二电极之间。
[0010]进一步的，任意一个所述发光二极管的所述发光层远离所述电路层的一侧的表面与所述衬底远离所述电路层的一侧的表面平齐。
[0011]进一步的，所述CMOS图像芯片还包括：防反射层，设置于所述衬底远离所述电路层的一侧；相邻的两个所述光电二极管之间具有第二开口，所述防反射层还填充于所述第二开口内；以及封装层，填充于所述第一开口内；其中，所述封装层、所述发光二极管以及所述防反射层远离所述电路层的一侧的表面平齐。
[0012]进一步的，所述CMOS图像芯片还包括：金属栅格，设置于所述防反射层远离所述电路层的一侧，且与所述第二开口对应设置；第一平坦层，设置于所述防反射层、所述发光二极管以及所述封装层远离所述电路层的一侧；色阻单元，设置于相邻的金属栅格之间的所述第一平坦层远离所述电路层的一侧；第二平坦层，设置于所述色阻单元以及所述第一平坦层远离所述电路层的一侧；以及多个透镜，设置于所述第二平坦层远离所述电路层的一侧，且与所述色阻单元以及所述发光二极管对应设置。
[0013]进一步的，所述第一开口靠近所述电路层的一侧的底边的长度小于其远离所述电路层的一侧的底边的长度。
[0014]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种相机，其包括本专利技术所述的CMOS图像芯片以及镜头；所述相机包括面阵相机和线阵相机中的一种。
[0015]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种本专利技术所述的相机的调试方法，包括以下步骤：所述CMOS图像芯片的所述发光二极管的显示图案穿过所述镜头投影在待检测基板上形成投影图案，用户观察所述待检测基板上的所述投影图案的清晰度调节所述镜头的焦距，用户观察所述待检测基板上的所述投影图案的多个点位的清晰度，调节所述相机的水平度。
[0016]进一步的，当所述相机为所述线阵相机时，还包括以下步骤：用户观察所述发光二极管发出的光线被所述待检测基板反射后的反射光线的位置，确定光源的放置位置和角度，调节所述相机的明暗场成像模式。
[0017]本专利技术的优点是：本专利技术的CMOS图像芯片包括感光区和包围所述感光区的发光区；在发光区设有多个发光二极管，依据光的可逆性原理，利用发光二极管在待检测基板上的投影图案确定CMOS图像芯片的衬底的感光有效区，避免现有技术以相机成像在显示器上的画面作为调试依据，相机成像画面存在信号延迟导致调试效率低的问题。
[0018]本专利技术的CMOS图像芯片的所述发光二极管的显示图案穿过所述镜头投影在待检测基板上形成投影图案，用户观察所述待检测基板上的所述投影图案的清晰度调节所述镜头的焦距，观察所述待检测基板上的所述投影图案的多个点位的清晰度，调节所述相机的水平度。
[0019]当相机为线阵相机时，用户还可以观察所述发光二极管发出的光线被所述待检测基板反射后的反射光线的位置，确定光源的放置位置和角度，调节所述相机的明暗场成像模式。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是本专利技术的CMOS图像芯片的平面示意图；
[0022]图2是图1的A
‑
A截面示意图；
[0023]图3是本专利技术CMOS图像芯片的半成品一的结构示意图；
[0024]图4是本专利技术CMOS图像芯片的半成品二的结构示意图；
[0025]图5是本专利技术CMOS图像芯片的半成品三的结构示意图；
[0026]图6是本专利技术CMOS图像芯片的半成品四的结构示意图；
[0027]图7是本专利技术CMOS图像芯片的半成品五的结构示意图；
[0028]图8是本专利技术CMOS图像芯片的半成品六的结构示意图；
[0029]图9是本专利技术CMOS图像芯片的半成品七的结构示意图；
[0030]图10是本专利技术CMOS图像芯片的半成品八的结构示意图；
[0031]图11是本专利技术CMOS图像芯片的半成品九的结构示意图；
[0032]图12是实施例1的面阵相机的光线示意图；
[0033]图13是实施例2的线阵相机的光线示意图。
[0034]附图标记说明：
[0035]1000、相机；2000、待检测基板；
[0036]3000、光源；
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4000、投影图案
[0037]100、CMOS图像芯片；200、镜头；
[0038]110、感光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像芯片，其特征在于，包括：感光区和包围所述感光区的发光区；所述CMOS图像芯片包括：电路层，位于所述感光区和所述发光区；多个光电二极管，设置于所述感光区的所述电路层上，且电连接至所述电路层；以及多个发光二极管，设置于所述发光区的所述电路层上，且电连接至所述电路层。2.根据权利要求1所述的CMOS图像芯片，其特征在于，位于所述感光区的所述电路层上设置有衬底，所述多个光电二极管设置于所述感光区的所述衬底上。3.根据权利要求2所述的CMOS图像芯片，其特征在于，所述衬底还设置于所述发光区的所述电路层上，位于所述发光区的所述衬底上具有第一开口，所述发光二极管位于所述第一开口内。4.根据权利要求1所述的CMOS图像芯片，其特征在于，所述发光二极管为Micro LED或者Mini LED。5.根据权利要求3所述的CMOS图像芯片，其特征在于，每一所述发光二极管包括：基板、设置于所述基板朝向所述电路层的一侧的发光层、间隔设置于所述发光层远离所述基板的一侧的P极和N极；其中，与所述第一开口对应的所述电路层上具有分别与所述P极和N极一一对应电连接的第一电极和第二电极。6.根据权利要求5所述的CMOS图像芯片，其特征在于，每一所述发光二极管还具有凸点金属，设置于所述P极与所述第一电极之间和所述N极与所述第二电极之间。7.根据权利要求6所述的CMOS图像芯片，其特征在于，任意一个所述发光二极管的所述发光层远离所述电路层的一侧的表面与所述衬底远离所述电路层的一侧的表面平齐。8.根据权利要求5所述的CMOS图像芯片，其特征在于，所述CMOS图像芯片还包括：防反射层，设置于所述衬底远离所述电路层的一侧；相邻的两个所述光电二极管之间具有第二开口，所述防反射层还填...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，张文兵，高峰，饶振华，夏宇飞，
申请(专利权)人：苏州华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：