一种半导体封装用离型膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体封装用离型膜，属于电子产品领域，结构包括五层：离型层、粘合剂层、缓冲支撑层、粘合剂层和离型层，所述离型层为聚甲基戊烯，粘合层为改性聚烯烃类，所述缓冲支撑层为尼龙。本实用新型专利技术的半导体封装用离型膜为五层结构，能够满足大部分半导体封装领域使用，具有良好的层间粘合性能，良好的延伸性和抗穿刺性，具有可靠的使用性能。具有可靠的使用性能。具有可靠的使用性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装用离型膜


[0001]本技术涉及一种半导体封装用离型膜，属于电子产品领域。

技术介绍

[0002]目前在半导体的封装领域，为防止引线框架表面和和模具内部的毛刺、毛边，封装完成后容易从模具中脱模，以及保证模具的清洁性，会使用一种封装用离型膜材料。该膜材料需要具有优异的脱模性，以及优异的延伸性。近来随着我国经济的高速发展，IC芯片等半导体产业逐步成为我国电子产品发展的瓶颈，但现有技术中所用的离型膜难以满足半导体领域的多种使用场景，如QFN、LED封装等。现有技术的离型膜采用两种方式：一种为薄膜涂布离型剂，但离型剂容易转移，残留到封装树脂的表面，影响后续使用；另一种为使用ETFE 直接成膜，但ETFE获取选择有限，特定弯曲模量及模量损失的ETFE国内无法制造。

技术实现思路

[0003]本技术针对现有技术的不足，提供一种半导体封装用离型膜，能够满足目前市场上使用QFN、LED封装的使用场景。本专利技术涉及的封装用离型膜，采用多层共挤流延的方式，将不同的功能层整合到一起，形成具有离型、弯曲模量可调整、模量损失可调整的封装用膜。无离型剂残留，较ETFE更具有成本低廉的优势。
[0004]本技术采用如下的技术方案：
[0005]一种半导体封装用离型膜，包括五层，从上到下依次为：第一离型层、第一粘合剂层、缓冲支撑层、第二粘合剂层和第二离型层，所述第一离型层和第二离型层为聚甲基戊烯，所述第一粘合层和第二粘合剂层为改性聚烯烃，所述缓冲支撑层为尼龙。
[0006]进一步的，所述第一离型层和第二离型层厚度相同；所述第一粘合剂层和第二粘合剂层厚度相同。
[0007]进一步的，所述半导体封装用离型膜厚度为20
‑
200um。
[0008]进一步的，所述第一离型层的厚度为5
‑
50um。
[0009]进一步的，所述第二离型层的厚度为5
‑
50um。
[0010]进一步的，所述第一粘合层的厚度为3
‑
20um。
[0011]进一步的，所述第二粘合层的厚度为3
‑
20um。
[0012]进一步的，所述缓冲支撑层的厚度为4
‑
100um。
[0013]进一步的，所述第一离型层和第二离型层粗糙度相同。
[0014]进一步的，所述第一离型层和第二离型层的粗糙度Ra值均为0.2
‑
4.0um。
[0015]有益效果
[0016]本技术的一种半导体封装离型膜为五层结构，能够满足大部分半导体封装领域使用，具有良好的层间粘合性能，良好的延伸性和抗穿刺性，具有可靠的使用性能，能够满足目前市场上使用QFN、LED封装的使用场景。本专利技术的半导体封装用离型膜具有无离型剂转移、残留问题；弯曲模量、模量损失可调整，以及成本低廉的优势。本专利技术涉及的封装用
离型膜，采用多层共挤流延的方式，将不同的功能层整合到一起，形成具有离型、弯曲模量可调整、模量损失可调整的封装用膜。无离型剂残留，较ETFE更具有成本低廉的优势。
附图说明
[0017]图1是本技术的半导体封装离型膜，五层结构示意图；
[0018]图中附图标记的含义：1、第一离型层，2、第一粘合剂层，3、缓冲支撑层， 4、第二粘合剂层，5、第二离型层。
具体实施方式
[0019]实施例1
[0020]一种半导体封装用离型膜，包括五层，从上到下依次为：第一离型层1、第一粘合剂层2、缓冲支撑层3、第二粘合剂层4和第二离型层5，所述第一离型层1和第二离型层5为聚甲基戊烯，所述第一粘合层2和第二粘合剂层4为改性聚烯烃类，所述缓冲支撑层为尼龙。
[0021]前述的一种半导体封装用离型膜，由带分配器的流延机生产，一次性成型，总厚度20
‑
200um。
[0022]前述的一种半导体封装离型膜，第一离型层和第二离型层的厚度均为5
‑
50um，离型层可以有粗糙度，粗糙度Ra值为0.2
‑
4.0um，有粗糙度后有利于排气，可改善与封装用树脂的脱模性，并能在制品表面形成消光效果。离型层的粗糙度的形成是通过预先加工的钢辊粗糙度转移而形成，该粗糙度形成方式包含但不仅仅限于磨砂、激光雕刻微观网格。
[0023]前述的一种半导体封装离型膜，第一粘合层和第二粘合剂层的厚度为 3
‑
20um。
[0024]前述的一种半导体封装离型膜，缓冲支撑层的厚度为4
‑
100um。
[0025]一种半导体封装离型膜，五层结构的制造工艺，使用三条螺杆，结合五层的分配器进行生产，包括如下步骤：
[0026]A1、将离型层的聚甲基戊烯粒子放入输料桶A中，插入真空送料泵。
[0027]A2、将缓冲支撑层使用的经过干燥后的尼龙粒料放入输料桶B中，插入真空送料泵。
[0028]A3、将粘合层使用的改性聚烯烃类粒料放入输料桶C中，插入真空送料泵。
[0029]A4、打开机器升温，使各螺杆各温区的温度达到预设值。
[0030]A5、依次先启动A和C料桶所对应的小螺杆，再启动B料桶所对应的大螺杆，并开动真空送料泵进行送料。
[0031]A6、三种不同料经过模头分配形成五层结构的均一整体，流延至冷却钢辊上。
[0032]A7、粗糙度由钢辊转移至薄膜上后，再经过牵引、收卷，形成大卷的薄膜。
[0033]A8、将大卷薄膜按客户要求分切成指定幅宽和长度的卷料。
[0034]为提高客户操作的方便性，以及不同使用场景需要的不同粗糙度的封装离型膜，可通过更换预制不同粗糙度花纹的钢辊和橡胶辊的组合来形成不同的粗糙度。
[0035]实施例2
[0036]一种半导体封装用离型膜，包括五层，从上到下依次为：第一离型层1、第一粘合剂层2、缓冲支撑层3、第二粘合剂层4和第二离型层5，所述第一离型层1和第二离型层5为聚甲基戊烯，所述第一粘合层2和第二粘合剂层4为改性聚烯烃类，所述缓冲支撑层为尼龙。
[0037]前述的一种半导体封装用离型膜，由带分配器的流延机生产，一次性成型，总厚度20
‑
200um。
[0038]第一离型层和第二离型层的厚度均为5
‑
50um，第一粘合层和第二粘合剂层的厚度为3
‑
20um，缓冲支撑层的厚度为4
‑
100um。两层离型层表面表面光亮，不刻意增加粗糙度，此种外观对制品的透光性有所帮助。
[0039]一种半导体封装离型膜，五层结构的制造工艺，使用三条螺杆，结合五层的分配器进行生产，包括如下步骤：
[0040]A1、将离型层的聚甲基戊烯粒子放入输料桶A中，插入真空送料泵。
[0041]A2、将缓冲支撑层使用的经过干燥后的尼龙粒料放入输料桶B中，插入真空送料泵。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装用离型膜，其特征在于，包括五层，从上到下依次为：第一离型层、第一粘合剂层、缓冲支撑层、第二粘合剂层和第二离型层，所述第一离型层和第二离型层为聚甲基戊烯，所述第一粘合层和第二粘合剂层为改性聚烯烃，所述缓冲支撑层为尼龙；所述半导体封装用离型膜厚度为20
‑
200um；所述第一离型层...

【专利技术属性】
技术研发人员：付有虎，董青山，
申请(专利权)人：昆山致信天城电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：