本发明专利技术提供了一种沉积方法及沉积装置。所述沉积方法包括如下步骤：提供晶圆和沉积挡板，所述晶圆的边缘区域具有定位缺口，所述沉积挡板包括用于遮挡所述定位缺口的突出部；将所述沉积挡板置于所述晶圆上方，所述沉积挡板与所述晶圆两者圆心对准重合；向所述晶圆的边缘区域发射光信号，接收并根据所述晶圆的边缘区域的反射光信号，判断所述定位缺口与所述突出部之间的偏差情况；据所述偏差情况旋转所述沉积挡板，至所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口。通过精确计算定位缺口与突出部之间的角度差，实现快速精准移动沉积挡板，使沉积挡板完整的遮盖定位缺口，避免因定位缺口背面薄膜与正面薄膜接触导致的产品报废。报废。报废。
【技术实现步骤摘要】
一种沉积方法以及沉积装置
[0001]本专利技术涉及半导体存储器件薄膜生长
，尤其涉及一种沉积方法以及沉积装置。
技术介绍
[0002]半导体存储器件薄膜生长
一般运用等离子体增强化学气相沉积法实现薄膜材料生长，由于在传送过程中晶圆位置会发生偏移，因此需要将硅片和沉积挡板对准。在现有的控制硅片转动的方式下，接收器将光信号转化为电信号从而控制硅片转动，实现硅片和沉积挡板的对准。但光信号转化为电信号的过程中可能存在一定的延迟，导致硅片没有在指定位置停住，从而偏离了指定角度，另外在硅片边缘存在破损时，接收器将会产生多个接收信号，从而造成误判，使硅片无法转动到指定角度。
[0003]在晶边不需沉积薄膜的制程中，需要用到遮盖环装置盖住晶边及定位缺口，确保晶边和定位缺口不会沉积薄膜。在实际制程中遮盖环一般由四个卡扣固定在腔体中，遮盖环上设置有与晶圆定位缺口对应的缺口标签，用于遮盖定位缺口，避免在定位缺口上沉积薄膜。但是由于在传送过程中晶圆位置会发生偏移，遮盖环无法按照既定的设计完全覆盖晶边以及晶圆上的定位缺口，在制程中定位缺口会沉积薄膜，导致定位缺口位置背面薄膜与正面薄膜接触而导通，最后导致产生击穿而使产品报废。
[0004]因此，如何使沉积挡板快速精准完整的遮盖住晶边和定位缺口是现有技术需要解决的问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种沉积方法和沉积装置，使沉积挡板快速精准完整的遮盖住晶边和定位缺口。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种沉积方法，所述方法包括如下步骤：提供晶圆和沉积挡板，所述晶圆的边缘区域具有定位缺口，所述沉积挡板包括用于遮挡所述定位缺口的突出部；将所述沉积挡板置于所述晶圆上方，所述沉积挡板与所述晶圆两者圆心对准重合；向所述晶圆的边缘区域发射光信号，接收并根据所述晶圆的边缘区域的反射光信号，判断所述定位缺口与所述突出部之间的偏差情况；据所述偏差情况旋转所述沉积挡板，至所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口。
[0007]可选的，所述突出部在所述晶圆上的正投影完全未遮挡所述定位缺口，以及所述突出部在所述晶圆上的正投影部分未遮挡所述定位缺口。
[0008]可选的，所述接收并根据所述晶圆的边缘区域的反射光信号，判断所述定位缺口与突出部之间的偏差情况的步骤进一步包括：获取所述晶圆的边缘区域的反射光信号的反射面积；将所述反射面积与预设面积比较，以判断所述定位缺口与所述突出部之间的偏差情况。或者接收反射信号计算其强度与预设的强度进行比较。在计算面积的方式下，将所述面积与预设的面积值比较，以判断出所述定位缺口与所述突出部之间的偏差情况。
[0009]可选的，所述预设的面积包括：第一预设面积、以及第二预设面积；所述第一预设面积是在所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口的情况下预先测量反射光信号的面积；所述第二预设面积是在所述突出部在所述晶圆上的正投影完全未遮挡所述定位缺口的情况下预先测量的面积；若所述反射面积等于所述第一预设面积，判断所述突出部在所述晶圆上的正投影完全未遮挡所述定位缺口；若所述反射面积小于第一预设面积且大于第二预设面积，判断所述突出部在所述晶圆上的正投影部分未遮挡所述定位缺口。
[0010]可选的，所述据所述偏差情况旋转所述沉积挡板，至所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口包括：当所述偏差情况为所述突出部在所述晶圆上的正投影部分未遮挡所述定位缺口时，将所述沉积挡板向距离所述定位缺口较近方向转动一个标准角度。其中，所述标准角度为所述定位缺口的轮廓与所述晶圆圆心的连线的最大角度。
[0011]可选的，所述据所述偏差情况旋转所述沉积挡板，至所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口包括：当所述偏差情况为所述突出部在所述晶圆上的正投影完全未遮挡所述定位缺口时，获取所述定位缺口与所述突出部之间的偏差值，根据所述偏差值旋转所述沉积挡板，至所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口。
[0012]可选的，所述获取所述定位缺口与所述突出部之间的偏差值的步骤具体包括：根据所述晶圆的边缘区域的反射光信号获取所述定位缺口和所述突出部的位置；计算所述定位缺口与所述突出部之间的横向距离；根据所述晶圆的半径和所述横向距离，计算所述定位缺口与所述突出部之间的角度差，作为所述偏差值用于旋转所述沉积挡板。计算出的角度差即为沉积挡板需要移动的具体角度，避免了光信号转化为电信号的过程中可能存在的延迟，导致硅片没有在指定位置停住偏离了指定角度的问题。
[0013]可选的，所述根据所述晶圆的半径和所述横向距离，计算所述定位缺口与所述突出部之间的角度差的方式进一步是：在所述晶圆的沉积面建立角坐标系，以所述晶圆中心作为角坐标原点，以角坐标原点指向所述突出部的方向为角坐标轴，再通过所述晶圆的半径和所述横向距离计算所述定位缺口与所述突出部的角度差。也可以以其他平面建立角坐标系，比较定位缺口与沉积挡板的角度差。
[0014]可选的，定位缺口与突出部有重叠，直接将沉积挡板向定位缺口移动一个标准距离。判断重叠情况的具体方式是将反射信号的面积值与所述定位缺口与所述突出部对准的情况下预先测量的面积值以及所述定位缺口与所述突出部位无重叠区域的情况下预先测量的面积值做比较；所述面积值大于所述第一预设面积值，定位缺口与突出部无重叠；所述面积值小于第一预设面积值且大于第二预设面积值，定位缺口与突出部部分重叠。
[0015]可选的，所述光学信号为红外光或者其他可以检测到的电磁波信号。
[0016]可选的，所述据所述偏差情况旋转所述沉积挡板的步骤进一步是采用嵌入带轮轴式装置来旋转所述沉积挡板。所述沉积挡板按照以上步骤计算出的角度差旋转，可以设置为每次制程完成后沉积挡板回到坐标原点；或者设置为不回到坐标原点情况下，以后一次的晶圆定位缺口与前一次制程完成后沉积挡板的角度差为沉积挡板的移动依据。
[0017]本专利技术，通过比较所测光的反射面积与预设值，判断定位缺口的遮盖情况，并且能够精确定位晶圆定位缺口所在位置，通过晶圆定位缺口与沉积挡板上突出部之间的距离，利用三角函数公式精确的计算出沉积挡板上突出部与晶圆定位缺口之间的角度差，根据角
度差直接控制沉积挡板旋转到对应位置，克服了现有技术将光信号转变为电信号的过程中由于可能存在的延迟，导致硅片没有在指定位置停住，偏离了指定角度的问题；使得沉积挡板能快速够精准完整的覆盖住晶边以及定位缺口，有效的解决了因定位缺口沉积薄膜所造成的产品报废问题，能够更好的运用在半导体存储器件薄膜生长
[0018]本专利技术还涉及一种沉积装置，所述沉积装置包括沉积挡板和对准装置，所述沉积挡板具有突出部，用于遮挡待沉积晶圆的定位缺口；所述对准装置包括：检测单元、测量单元、和位移单元。所述检测单元用于向所述晶圆表面发射并接收光反射信号，根据所述晶圆表面的光反射信号，判断出所述定位缺口与所述突出部之间是否发生偏差；所述测量单元与所述检测单元连接，根据检测单元的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种沉积方法，其特征在于，包括：提供晶圆和沉积挡板，所述晶圆的边缘区域具有定位缺口，所述沉积挡板包括用于遮挡所述定位缺口的突出部；将所述沉积挡板置于所述晶圆上方，所述沉积挡板与所述晶圆两者圆心对准重合；向所述晶圆的边缘区域发射光信号，接收并根据所述晶圆的边缘区域的反射光信号，判断所述定位缺口与所述突出部之间的偏差情况；据所述偏差情况旋转所述沉积挡板，至所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口。2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述偏差情况包括：所述突出部在所述晶圆上的正投影完全未遮挡所述定位缺口，以及所述突出部在所述晶圆上的正投影部分未遮挡所述定位缺口。3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述接收并根据所述晶圆的边缘区域的反射光信号，判断所述定位缺口与突出部之间的偏差情况的步骤进一步包括：获取所述晶圆的边缘区域的反射光信号的反射面积；将所述反射面积与预设面积比较，以判断所述定位缺口与所述突出部之间的偏差情况。4.根据权利要求3所述的沉积方法，其特征在于，所述预设的面积包括：第一预设面积、以及第二预设面积；所述第一预设面积是在所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口的情况下预先测量反射光信号的面积；所述第二预设面积是在所述突出部在所述晶圆上的正投影完全未遮挡所述定位缺口的情况下预先测量的面积；若所述反射面积等于所述第一预设面积，判断所述突出部在所述晶圆上的正投影完全未遮挡所述定位缺口；若所述反射面积小于第一预设面积且大于第二预设面积，判断所述突出部在所述晶圆上的正投影部分未遮挡所述定位缺口。5.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述据所述偏差情况旋转所述沉积挡板，至所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口包括：当所述偏差情况为所述突出部在所述晶圆上的正投影部分未遮挡所述定位缺口时，将所述沉积挡板向距离所述定位缺口较近方向转动一个标准角度；其中，所述标准角度为所述定位缺口的轮廓与所述晶圆圆心的连线的最大角度。6.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述据所述偏差情况旋转所述沉积挡板，至所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口包括：当所述偏差情况为所述突出部在所述晶圆上的正投影完全未遮挡所述定位缺口时，获取所述定位缺口与所述突出部之间的偏差值，根据所述偏差值旋转所述沉积挡板，至所述突出部在所述晶圆上的正投影完全遮挡所述定位缺口。7.根据权利要求6所述的沉积方法，其特征在于，所述获取所述定位缺口与所述突出部之间的偏差值的步骤具体包括：根据所述晶圆的边缘区域的反射光信号获取所述定位缺口和所述突出部的位置；
计算所述定位缺口与所述突出部之间的横向距离；根据所述晶圆的半径和所述横向距离，计算所述定位缺口与所述突出部之间的角度差，作为所述偏差值用于旋转所述沉积挡板。8.根据权利要求7所述的沉积方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋昱，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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