用于多区加热盘的转接结构、交流滤波器组合和方法技术

本申请涉及用于多区加热盘的转接结构、交流滤波器组合和方法。提供了一种用于多区加热盘的转接结构。所述多区加热盘包括加热盘射频电极、连接到第一区域加热元件的第一对加热盘交流电极以及连接到第二区域加热元件的第二对加热盘交流电极。所述转接结构包括：射频连接结构、第一对交流连接结构以及第二对交流连接结构。所述射频连接结构包括第一硬质连接器，用于将所述加热盘射频电极连接到调谐器。所述第一对交流连接结构包括第一对硬质连接器，用于将所述第一对加热盘交流电极连接到第一交流滤波器。所述第二对交流连接结构包括第二对硬质连接器，用于将所述第二对加热盘交流电极连接到第二交流滤波器。电极连接到第二交流滤波器。电极连接到第二交流滤波器。

【技术实现步骤摘要】
用于多区加热盘的转接结构、交流滤波器组合和方法


[0001]本申请大体上涉及半导体制造领域，且更具体来说，涉及在半导体处理系统中用于多区加热盘的转接结构、交流滤波器组合和方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术的发展，需要提高半导体处理系统的产能，提高生产机台的集成生产能力，这就要求增加半导体处理系统能够同时处理的基片的最大数量。可以通过增加半导体处理系统搭载的处理腔室的数量或者采用多站式处理腔室来实现此目的。多站式处理腔室指的是在一个处理腔室中可设置多个处理站，每个处理站可处理一个基片，因而多站式处理腔室可以同时处理多个基片。
[0003]通常希望对多站式处理腔室中的多个基片进行相同的工艺处理，并得到相同的薄膜厚度分布。然而，各个处理站之间的硬件差异可能会导致射频阻抗的差异，进而影响工艺结果的一致性。因此，需要一种能够减少多个处理站之间工艺结果的差异性的方法。
[0004]另外，对于单个处理站而言，如何调整不同区域的薄膜厚度分布以满足不同应用需求也是需要考虑的问题。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，在本申请的一种实施方式中，提供了一种用于多区加热盘的转接结构。所述多区加热盘包括加热盘射频电极、连接到第一区域加热元件的第一对加热盘交流电极以及连接到第二区域加热元件的第二对加热盘交流电极。所述转接结构包括：射频连接结构、第一对交流连接结构以及第二对交流连接结构。所述射频连接结构包括第一硬质连接器，用于将所述加热盘射频电极连接到调谐器。所述第一对交流连接结构包括第一对硬质连接器，用于将所述第一对加热盘交流电极连接到第一交流滤波器。所述第二对交流连接结构包括第二对硬质连接器，用于将所述第二对加热盘交流电极连接到第二交流滤波器。
[0006]在一些实施例中，所述第一硬质连接器大致呈L形。
[0007]在一些实施例中，所述第一硬质连接器的一端形成射频电极接入端子，用于连接所述加热盘射频电极，且所述第一硬质连接器的另一端连接到所述调谐器。
[0008]在一些实施例中，所述第一硬质连接器的所述另一端通过射频转接柱连接到所述调谐器。
[0009]在一些实施例中，所述第一对硬质连接器中的每一者大致呈柱形。
[0010]在一些实施例中，所述第一对硬质连接器中的每一者的一端形成交流电极接入端子，用于连接所述第一对加热盘交流电极中的相应加热盘交流电极，且所述第一对硬质连接器中的每一者的另一端形成交流电接口，用于连接所述第一交流滤波器的相应交流电输出端口。
[0011]在一些实施例中，所述转接结构进一步包括多个隔离组件。所述多个隔离组件包
围所述射频连接结构、所述第一对交流连接结构和第二对交流连接结构。
[0012]在一些实施例中，所述隔离组件包括隔离管或隔离块。
[0013]在本申请的另一种实施方式中，提供了一种用于多区加热盘的交流滤波器组合。所述多区加热盘包括第一区域加热元件和第二区域加热元件。所述交流滤波器组合包括：第一交流滤波器以及第二交流滤波器。所述第一交流滤波器用于对提供给第一区域加热元件的交流电进行滤波，且包括：第一交流电输入端口、第一箱体、第一对交流电输出端口以及第一转接块。所述第一交流电输入端口用于连接到第一交流电源。所述第一箱体中安装有第一滤波器电路组件，用于对来自所述第一交流电源的第一交流电进行滤波。所述第一对交流电输出端口用于输出经滤波的第一交流电。所述第一转接块安装在所述第一箱体上，用于将所述经滤波的第一交流电从所述第一滤波器电路组件提供到所述第一对交流电输出端口。所述第二交流滤波器用于对提供给第二区域加热元件的交流电进行滤波，且包括：第二交流电输入端口、第二箱体、第二对交流电输出端口以及第二转接块。所述第二交流电输入端口用于连接到第二交流电源。所述第二箱体中安装有第二滤波器电路组件，用于对来自所述第二交流电源的第二交流电进行滤波。所述第二对交流电输出端口用于输出经滤波的第二交流电。所述第二转接块安装在所述第二箱体上，用于将所述经滤波的第二交流电从所述第二滤波器电路组件提供到所述第二对交流电输出端口。其中：所述第一交流电输入端口与所述第二交流电输入端口采用不同的连接器；和/或所述第一转接块与所述第二转接块外形不同。
[0014]在一些实施例中，所述交流滤波器组合进一步包括包围所述第一对交流电输出端口的第一对隔离管以及包围所述第二对交流电输出端口的第二对隔离管。
[0015]在一些实施例中，所述第一交流电源与所述第二交流电源提供不同的交流电功率。
[0016]在本申请的另一种实施方式中，提供了一种具有多区加热盘的半导体处理设备，所述半导体处理设备包括根据本申请任一实施例所述的转接结构以及根据本申请任一实施例所述的交流滤波器组合。所述交流滤波器组合通过所述转接结构连接到所述多区加热盘。
[0017]在本申请的另一种实施方式中，提供了一种用于多区加热盘的方法。所述多区加热盘包括第一区域加热元件和第二区域加热元件。所述方法包括：分别向所述第一区域加热元件和所述第二区域加热元件提供第一交流功率和第二交流功率；测量所述多区加热盘不同区域的温度和/或工艺表现；以及基于测量的温度和/或工艺表现调节所述第一交流功率和所述第二交流功率中的至少一者。
[0018]在一些实施例中，所述第一区域加热元件和所述第二区域加热元件分别位于所述多区加热盘的中心部位和边缘部位。
[0019]在一些实施例中，所述工艺表现包括放置于所述多区加热盘上的基片表面的成膜厚度或成膜速度。
[0020]在一些实施例中，调节所述第一交流功率和所述第二交流功率中的至少一者包括调节所述第一交流功率与所述第二交流功率的比值。
[0021]在以下附图及描述中阐述本申请的一或多个实例的细节。其他特征、目标及优势将根据所述描述及附图以及权利要求书而显而易见。
附图说明
[0022]本说明书中的公开内容提及且包含以下各图：
[0023]图1展示根据本申请的一些实施例的半导体处理设备的结构示意图；
[0024]图2展示根据本申请的一些实施例的一种分成两个区域的加热元件的结构示意图；
[0025]图3展示根据本申请的一些实施例的用于在单个处理站中进行分区调节的方法的流程图；
[0026]图4展示根据本申请的一些实施例的用于多个处理站阻抗调节的方法的流程图；
[0027]图5展示根据本申请的一些实施例的转接结构和交流滤波器的布局示意图；
[0028]图6展示根据本申请的一些实施例的转接结构中的交流连接结构的剖面示意图；
[0029]图7展示根据本申请的一些实施例的转接结构中的射频连接结构的剖面示意图；
[0030]图8展示根据本申请的一些实施例的交流滤波器组合的外部结构示意图；
[0031]图9展示图8中的交流滤波器组合的输出部分的局部放大图。
[0032]根据惯例，图示中所说明的各种特征可能并非按比例绘制。因此，为了清晰起见，可任意扩大或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于多区加热盘的转接结构，所述多区加热盘包括加热盘射频电极、连接到第一区域加热元件的第一对加热盘交流电极以及连接到第二区域加热元件的第二对加热盘交流电极，所述转接结构包括：射频连接结构，其包括第一硬质连接器，用于将所述加热盘射频电极连接到调谐器；第一对交流连接结构，其包括第一对硬质连接器，用于将所述第一对加热盘交流电极连接到第一交流滤波器；以及第二对交流连接结构，其包括第二对硬质连接器，用于将所述第二对加热盘交流电极连接到第二交流滤波器。2.根据权利要求1所述的转接结构，其中所述第一硬质连接器大致呈L形。3.根据权利要求1所述的转接结构，其中所述第一硬质连接器的一端形成射频电极接入端子，用于连接所述加热盘射频电极，且其中所述第一硬质连接器的另一端连接到所述调谐器。4.根据权利要求3所述的转接结构，其中所述第一硬质连接器的所述另一端通过射频转接柱连接到所述调谐器。5.根据权利要求1所述的转接结构，其中所述第一对硬质连接器中的每一者大致呈柱形。6.根据权利要求1所述的转接结构，其中所述第一对硬质连接器中的每一者的一端形成交流电极接入端子，用于连接所述第一对加热盘交流电极中的相应加热盘交流电极，且其中所述第一对硬质连接器中的每一者的另一端形成交流电接口，用于连接所述第一交流滤波器的相应交流电输出端口。7.根据权利要求1所述的转接结构，其进一步包括多个隔离组件，其中所述多个隔离组件包围所述射频连接结构、所述第一对交流连接结构和第二对交流连接结构。8.根据权利要求7所述的转接结构，其中所述隔离组件包括隔离管或隔离块。9.一种用于多区加热盘的交流滤波器组合，所述多区加热盘包括第一区域加热元件和第二区域加热元件，所述交流滤波器组合包括：第一交流滤波器，其用于对提供给第一区域加热元件的交流电进行滤波，且包括：第一交流电输入端口，其用于连接到第一交流电源；第一箱体，其中安装有第一滤波器电路组件，用于对来自所述第一交流电源的第一交流电进行滤波；第一对交流电输出端口，其用于输出经滤波的第一交流电；以及第一转接块，其安装在所述第一箱体上，用于将所述经滤波的第一交流电从所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振，林英浩，申思，谭华强，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：