本发明专利技术涉及存储设备领域，特别公开了一种多态存储设备的读写方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收存储读写信号；根据所述存储读写信号，确定目标驱动组件；所述目标驱动组件为OTP功能组件或非OTP功能组件；将所述存储读写信号发送至所述目标驱动组件，使所述目标驱动组件对磁性混合存储阵列上的混合存储元件进行对应的读写操作；所述混合存储元件具有OTP存储功能及非OTP存储功能。本发明专利技术中，先通过所述存储读写信号确定了对应的操作是OTP读写操作还是非OTP读写操作，并调用对应的功能组件对所述磁性混合存储阵列进行读写，避免了在多态存储设备中设置不同存储种类的存储芯片，缩小了空间占用，方便了排线。方便了排线。方便了排线。
【技术实现步骤摘要】
一种多态存储设备的读写方法、装置及设备
[0001]本专利技术涉及存储设备领域，特别是涉及一种多态存储设备的读写方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]在电子技术日益发展的今天，电子数据的存储也越来越被重视，电子存储的可靠性更是到了影响社会运行效率的地步，而磁性随机存储器(STT
‑
MRAM)是一种极具潜力的新型存储器，近年来发展迅速。STT
‑
MRAM利用自旋转移力矩来写入信息，具有位元尺寸小，器件功耗低，尺寸微缩后不漏电等优异的特性。
[0003]但目前市面上采用磁性随机存储器的存储设备，为满足多态存储需要，通常会设置两种芯片，即OTP存储芯片及非OTP存储芯片，相应地，驱动电路与也分为两套，分别与两种存储芯片相对应，但这就导致多态存储设备中的存储芯片占用空间大，逻辑复杂。
[0004]因此，如何解决现有技术中多态存储设备中存储芯片占用空间大，排线复杂的问题，是领域内技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的是提供一种多态存储设备的读写方法、装置、设备及计算机可读存储介质，以解决现有技术中存储类型复杂，不同存储单元的阵列需要分开设置，占用空间大，排线复杂的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种多态存储设备的读写方法，包括：
[0007]接收存储读写信号；
[0008]根据所述存储读写信号，确定目标驱动组件；所述目标驱动组件为OTP功能组件或非OTP功能组件；
[0009]将所述存储读写信号发送至所述目标驱动组件，使所述目标驱动组件对磁性混合存储阵列上的混合存储元件进行对应的读写操作；所述混合存储元件具有OTP存储功能及非OTP存储功能。
[0010]可选地，在所述的多态存储设备的读写方法中，还包括：
[0011]确定所述磁性混合存储阵列上的不良元件，并生成所述不良元件的点位信息；
[0012]根据所述不良元件的点位信息，确定断路执行信息；
[0013]将所述断路执行信息发送至所述OTP功能组件，使所述OTP功能组件根据所述断路执行信息对所述不良元件写入开路状态。
[0014]可选地，在所述的多态存储设备的读写方法中，所述混合存储元件设置有对应的备用存储元件；
[0015]在对所述不良元件写入开路状态后，对所述不良元件的读写操作更改为对对应的备用存储元件的读写操作。
[0016]可选地，在所述的多态存储设备的读写方法中，所述目标驱动组件对磁性混合存
储阵列上的混合存储元件进行对应的读写操作，包括：
[0017]所述目标驱动组件确定读写目标混合存储元件组，并对所述读写目标混合存储元件组中的目标混合存储元件逐个进行读写操作；其中，在对每一个所述目标混合存储元件进行读写操作之前，对所述目标混合存储元件进行预读取，判断所述目标混合存储元件是否处于开路状态；当所述目标混合存储元件处于开路状态时，忽略所述目标混合存储元件，对后续的目标混合存储元件进行顺延的读写操作。
[0018]可选地，在所述的多态存储设备的读写方法中，还包括：
[0019]通过所述OTP功能组件对所述磁性混合存储阵列进行状态写入，得到一次性PUF。
[0020]一种多态存储设备的读写装置，包括：
[0021]接收模块，用于接收存储读写信号；
[0022]功能确定模块，用于根据所述存储读写信号，确定目标驱动组件；所述目标驱动组件为OTP功能组件或非OTP功能组件；
[0023]读写执行模块，用于将所述存储读写信号发送至所述目标驱动组件，使所述目标驱动组件对磁性混合存储阵列上的混合存储元件进行对应的读写操作；所述混合存储元件具有OTP存储功能及非OTP存储功能。
[0024]可选地，在所述的多态存储设备的读写装置中，还包括：
[0025]不良查找单元，用于确定所述磁性混合存储阵列上的不良元件，并生成所述不良元件的点位信息；
[0026]断路确定单元，用于根据所述不良元件的点位信息，确定断路执行信息；
[0027]断路执行单元，用于将所述断路执行信息发送至所述OTP功能组件，使所述OTP功能组件根据所述断路执行信息对所述不良元件写入开路状态。
[0028]可选地，在所述的多态存储设备的读写装置中，所述读写执行模块，包括：
[0029]逐次读写单元，用于所述目标驱动组件确定读写目标混合存储元件组，并对所述读写目标混合存储元件组中的目标混合存储元件逐个进行读写操作；其中，在对每一个所述目标混合存储元件进行读写操作之前，对所述目标混合存储元件进行预读取，判断所述目标混合存储元件是否处于开路状态；当所述目标混合存储元件处于开路状态时，忽略所述目标混合存储元件，对后续的目标混合存储元件进行顺延的读写操作。
[0030]一种多态存储设备的读写设备，包括：
[0031]存储器，用于存储计算机程序；
[0032]处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述任一种所述的多态存储设备的读写方法的步骤。
[0033]一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述的多态存储设备的读写方法的步骤。
[0034]本专利技术所提供的多态存储设备的读写方法，通过接收存储读写信号；根据所述存储读写信号，确定目标驱动组件；所述目标驱动组件为OTP功能组件或非OTP功能组件；将所述存储读写信号发送至所述目标驱动组件，使所述目标驱动组件对磁性混合存储阵列上的混合存储元件进行对应的读写操作；所述混合存储元件具有OTP存储功能及非OTP存储功能。本专利技术中，先通过所述存储读写信号确定了对应的操作是OTP读写操作还是非OTP读写操作，并调用对应的功能组件对所述磁性混合存储阵列进行读写，而所述磁性混合存储阵
列本身便兼具OTP存储功能及非OTP存储功能，避免了在多态存储设备中设置不同存储种类的存储芯片，简化了设备结构，缩小了空间占用，方便了排线。本专利技术同时还提供一种具有上述有益效果的多态存储设备的读写装置、设备及计算机可读存储介质。
附图说明
[0035]为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]图1为本专利技术提供的多态存储设备的读写方法的一种具体实施方式的流程示意图；
[0037]图2为本专利技术提供的多态存储设备的读写方法的另一种具体实施方式的流程示意图；
[0038]图3为本专利技术提供的多态存储设备的读写装置的一种具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
[0039]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多态存储设备的读写方法，其特征在于，包括：接收存储读写信号；根据所述存储读写信号，确定目标驱动组件；所述目标驱动组件为OTP功能组件或非OTP功能组件；将所述存储读写信号发送至所述目标驱动组件，使所述目标驱动组件对磁性混合存储阵列上的混合存储元件进行对应的读写操作；所述混合存储元件具有OTP存储功能及非OTP存储功能。2.如权利要求1所述的多态存储设备的读写方法，其特征在于，还包括：确定所述磁性混合存储阵列上的不良元件，并生成所述不良元件的点位信息；根据所述不良元件的点位信息，确定断路执行信息；将所述断路执行信息发送至所述OTP功能组件，使所述OTP功能组件根据所述断路执行信息对所述不良元件写入开路状态。3.如权利要求2所述的多态存储设备的读写方法，其特征在于，所述混合存储元件设置有对应的备用存储元件；在对所述不良元件写入开路状态后，对所述不良元件的读写操作更改为对对应的备用存储元件的读写操作。4.如权利要求1所述的多态存储设备的读写方法，其特征在于，所述目标驱动组件对磁性混合存储阵列上的混合存储元件进行对应的读写操作，包括：所述目标驱动组件确定读写目标混合存储元件组，并对所述读写目标混合存储元件组中的目标混合存储元件逐个进行读写操作；其中，在对每一个所述目标混合存储元件进行读写操作之前，对所述目标混合存储元件进行预读取，判断所述目标混合存储元件是否处于开路状态；当所述目标混合存储元件处于开路状态时，忽略所述目标混合存储元件，对后续的目标混合存储元件进行顺延的读写操作。5.如权利要求1所述的多态存储设备的读写方法，其特征在于，还包括：通过所述OTP功能组件对所述磁性混合存储阵列进行状态写入，得到一次性PUF。6.一种多态存储设备的读写装置，其特征在于，包括：接收...
【专利技术属性】
技术研发人员：王明，任艳，杨晓蕾，哀立波，韩谷昌，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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