本发明专利技术公开了一种D类功放电路的仿真测试方法、装置、存储介质及计算机设备，其中方法包括：获取功率源参数和扬声器参数，并将功率源参数标定到功率源等效电路中，将扬声器参数标定到扬声器等效电路中；获取磁珠参数和吸收回路参数，并将磁珠参数标定到磁珠等效电路中，将吸收回路参数标定到吸收回路中；设置时域参数和探头位置，并对所述D类功放电路仿真模型执行仿真，得到D类功放电路仿真模型的仿真参数；当D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至仿真参数达到参数阈值。上述方法能有效降低电磁兼容调试的成本。成本。成本。
【技术实现步骤摘要】
D类功放电路的仿真测试方法、装置及存储介质
[0001]本专利技术涉及电路调试
，尤其是涉及一种D类功放电路的仿真测试方法、装置、存储介质及计算机设备。
技术介绍
[0002]D类功放也称D类音频功率放大器，D类放大器与一般的线性AB类功放电路相比，具有效率高、体积小等特点。在D类功放输出电路中，多使用功率电感进行滤波。但是，功率电感的尺寸比较大，而且成本比较高。因此，一些设计方案会使用磁珠来代替功率电感。然而，D类功放电路是开关电路，电流是不连续的。一般来说，D类功放的开关频率在300～1000KHZ，高速的开关大电流，会产生电磁兼容(Electro Magnetic Compatibility，EMC)的问题。为了降低产品方案成本，很多工程人员使用磁珠方案，但是需要花大量的时间来解决EMC调试项不通过的问题。
[0003]在传统技术中，EMC调试需要在实验室环境中，在真实的硬件环境中反复更换器件参数调试，调试流程繁琐复杂。然而，这种调试方法会耗费大量开发时间，同时，实验室租用费用昂贵，因此，从时间和调试费用的维度上来说，传统的调试方法均会导致EMC调试成本过高。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本申请提供了一种D类功放电路的仿真测试方法、装置、存储介质及计算机设备，主要目的在于解决D类功放电路的EMC调试成本过高的问题。
[0005]根据本专利技术的第一个方面，提供了一种D类功放电路的仿真测试方法，该方法应用于D类功放电路仿真模型中，D类功放电路仿真模型包括功率源等效电路、磁珠等效电路、吸收回路和扬声器等效电路，该方法包括：
[0006]获取功率源参数和扬声器参数，并将功率源参数标定到功率源等效电路中，将扬声器参数标定到扬声器等效电路中；
[0007]获取磁珠参数和吸收回路参数，并将磁珠参数标定到磁珠等效电路中，将吸收回路参数标定到吸收回路中；
[0008]设置时域参数和探头位置，并对D类功放电路仿真模型执行仿真，得到D类功放电路仿真模型的仿真参数；
[0009]当D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至仿真参数达到参数阈值。
[0010]可选的，D类功放电路仿真模型中的各个等效电路的连接关系，包括：功率源等效电路的输出端与磁珠等效电路的输入端连接，磁珠等效电路的输出端与吸收回路的输入端连接，吸收回路的输出端与扬声器等效电路的输入端连接。
[0011]可选的，功率源参数包括功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间、
功率源信号下降时间和功率源内阻参数；功率源等效电路包括等效功率源和等效功率源内阻，其中，等效功率源和等效功率源内阻串联连接在磁珠等效电路的输入端和接地端之间；将功率源参数标定到功率源等效电路中，包括：将功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间和功率源信号下降时间标定在等效功率源中，将功率源内阻参数标定在等效功率源内阻中。
[0012]可选的，磁珠参数包括直流电阻参数、串联电感参数、串联电容参数和交流阻抗参数；磁珠等效电路包括等效直流电阻、等效串联电感、等效串联电容和等效交流阻抗，其中，等效串联电感、等效串联电容和等效交流阻抗并联连接后与直流电阻串联连接在功率源等效电路的输出端和吸收回路的输入端之间；将磁珠参数标定到磁珠等效电路中，包括：将直流电阻参数标定到等效直流电阻中，将串联电感参数标定到等效串联电感中，将交流阻抗参数标定到等效交流阻抗中，将串联电容参数标定到等效串联电容中。
[0013]可选的，吸收回路参数包括第一吸收电容参数、第二吸收电容参数和吸收电阻参数；吸收回路包括第一等效吸收电容、第二等效吸收电容和等效吸收电阻，其中，第二等效吸收电容和等效吸收电阻串联后与第一等效吸收电容并联连接在磁珠等效电路的输出端和接地端之间；将吸收回路参数标定到吸收回路中，包括：将第一吸收电容参数标定到第一等效吸收电容中，将第二吸收电容参数标定到第二等效吸收电容中，将吸收电阻参数标定到等效吸收电阻中。
[0014]可选的，设置时域参数和探头位置，并对D类功放电路仿真模型执行仿真，得到D类功放电路仿真模型的仿真参数，包括：根据功率源参数，设置时域参数，其中，时域参数包括时间参数和电压参数；将探头分别设置在功率源等效电路的输出端和扬声器等效电路的输入端上；对D类功放电路仿真模型执行仿真，得到D类功放电路仿真模型的仿真电压波形；基于D类功放电路仿真模型的仿真电压波形，得到D类功放电路仿真模型的仿真参数，其中，仿真参数包括输出峰峰值、输出信号上升时间、输出信号下降时间和输出峰值电流。
[0015]可选的，参数阈值包括信号变化时间阈值和过流保护阈值；则仿真参数达到参数阈值，包括：输出信号上升时间和输出信号下降时间均大于信号变化时间阈值，且输出峰值电流小于过流保护阈值。
[0016]根据本专利技术的第二个方面，提供了一种D类功放电路的仿真测试装置，装置包括：
[0017]第一参数标定模块，用于获取功率源参数和扬声器参数，并将功率源参数标定到功率源等效电路中，将扬声器参数标定到扬声器等效电路中；
[0018]第二参数标定模块，用于获取磁珠参数和吸收回路参数，并将磁珠参数标定到磁珠等效电路中，将吸收回路参数标定到吸收回路中；
[0019]仿真执行模块，用于设置时域参数和探头位置，并对D类功放电路仿真模型执行仿真，得到D类功放电路仿真模型的仿真参数；
[0020]结果获取模块，用于当D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至仿真参数达到所述参数阈值。
[0021]根据本专利技术的第三个方面，提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现上述D类功放电路的仿真测试方法。
[0022]根据本专利技术的第四个方面，提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在
存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述D类功放电路的仿真测试方法。
[0023]本专利技术提供的一种D类功放电路的仿真测试方法、装置、存储介质及计算机设备，通过模拟出包括功率源等效电路、磁珠等效电路、吸收回路和扬声器等效电路等多种等效电路在内的D类功放仿真模型，并在D类功放仿真模型的每一次仿真过程中更换D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，以及将D类功放仿真模型输出的仿真参数与预设的参数阈值进行比对，可以有效的挑选出符合EMC调试项的磁珠参数和吸收回路参数，从而省去了在实验室中真实的硬件环境中反复更换D类功放电路的器件进行EMC调试的繁琐调试流程。上述方法有效的降低了D类功放电路的EMC调试成本，并提升了D类功放电路的EMC调试效率。
[0024]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述方法应用于D类功放电路仿真模型中，所述D类功放电路仿真模型包括功率源等效电路、磁珠等效电路、吸收回路和扬声器等效电路，所述方法包括：获取功率源参数和扬声器参数，并将所述功率源参数标定到所述功率源等效电路中，将所述扬声器参数标定到所述扬声器等效电路中；获取磁珠参数和吸收回路参数，并将所述磁珠参数标定到所述磁珠等效电路中，将所述吸收回路参数标定到所述吸收回路中；设置时域参数和探头位置，并对所述D类功放电路仿真模型执行仿真，得到所述D类功放电路仿真模型的仿真参数；当所述D类功放电路仿真模型的仿真参数未达到预设的参数阈值时，更换所述D类功放电路仿真模型中的磁珠参数和/或吸收回路参数，并对所述D类功放电路仿真模型再次执行仿真，直至所述仿真参数达到所述参数阈值。2.根据权利要求1所述的D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述D类功放电路仿真模型中的各个等效电路的连接关系，包括：所述功率源等效电路的输出端与所述磁珠等效电路的输入端连接，所述磁珠等效电路的输出端与所述吸收回路的输入端连接，所述吸收回路的输出端与所述扬声器等效电路的输入端连接。3.根据权利要求1或2所述的D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述功率源参数包括功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间、功率源信号下降时间和功率源内阻参数；所述功率源等效电路包括等效功率源和等效功率源内阻，其中，所述等效功率源和所述等效功率源内阻串联连接在所述磁珠等效电路的输入端和接地端之间；所述将所述功率源参数标定到所述功率源等效电路中，包括：将所述功率源输出频率、功率源峰峰值、功率源信号上升时间和功率源信号下降时间标定在所述等效功率源中，将所述功率源内阻参数标定在所述等效功率源内阻中。4.根据权利要求1或2所述的D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述磁珠参数包括直流电阻参数、串联电感参数、串联电容参数和交流阻抗参数；所述磁珠等效电路包括等效直流电阻、等效串联电感、等效串联电容和等效交流阻抗，其中，所述等效串联电感、所述等效串联电容和所述等效交流阻抗并联连接后与所述直流电阻串联连接在所述功率源等效电路的输出端和所述吸收回路的输入端之间；所述将所述磁珠参数标定到所述磁珠等效电路中，包括：将所述直流电阻参数标定到所述等效直流电阻中，将所述串联电感参数标定到所述等效串联电感中，将所述交流阻抗参数标定到所述等效交流阻抗中，将串联电容参数标定到等效串联电容中。5.根据权利要求1或2所述的D类功放电路的仿真测试方法，其特征在于，所述吸收回路参数包括第一吸收电容参数、第二吸收电容参数和吸收电阻参...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈林锋，张国营，陈建敏，
申请(专利权)人：珠海视熙科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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