本申请提供一种存储颗粒电阻网络的阻值校准方法与装置，属于存储器技术领域，所述方法包括：获取目标存储颗粒当前校准节点对应的运行参数集，将所述当前校准节点对应的运行参数集输入训练好的阻值校准参数预测模型，输出所述运行参数集对应的上拉电阻网络参数配置参数集合、下拉电阻网络参数配置参数集合和校准频率，基于所述阻值校准参数预测模型输出的校准频率，确定下一校准节点，并基于所述阻值校准参数预测模型输出的上拉电阻网络配置参数集合和下拉电阻网络配置参数集合，分别对所述目标存储颗粒中的上拉电阻网络和下拉电阻网络进行校准，能够在确保信号传输质量的基础上最大限度降低对系统性能的影响，同时降低功耗和成本。耗和成本。耗和成本。
【技术实现步骤摘要】
存储颗粒电阻网络的阻值校准方法和装置
[0001]本申请涉及存储器
，尤其涉及一种存储颗粒电阻网络的阻值校准方法和装置。
技术介绍
[0002]在DDR，HBM，NAND Flash等存储颗粒设计时，为提高信号的完整性和信号驱动能力，均会在芯片的DQPAD内配置上拉电阻网络和下拉电阻网络，通过使能这些电阻获得不同组合的端接值。然而这些由多晶硅制成的内部电阻，其阻值会随着PVT（制程、电压和温度）变化而有所改变，进而导致终端电阻和终端驱动误差，随着颗粒传输频率的不断提高，信号传输的损耗、干扰等会明显增加。
[0003]为了改善上述问题，现有技术通常会在芯片内部设置校准模块，在芯片颗粒初始化或者运行时，通过该校准模块基于ZQ PAD外接的参考电阻对各上拉电阻和下拉电阻逐一进行校准（行业内称为ZQ校准），使其阻值保持固定（如DDR中上、下拉电阻阻值均为240欧姆）。但是，一方面，ZQ校准的精度同样会因工作环境的变化而出现波动，导致信号传输质量仍然无法保证，另一方面，由于ZQ校准时芯片需处于非运行状态，因此频繁的ZQ校准过程会影响系统的性能，并导致功耗提升，且校准模块的设置会导致芯片的设计和制造成本提高。
技术实现思路
[0004]本申请提供一种存储颗粒电阻网络的阻值校准方法和装置，以用于解决现有ZQ校准无法保证信号传输质量，且影响系统性能，提高功耗和成本的问题，在确保信号传输质量的基础上最大限度降低对系统性能的影响，同时降低功耗和成本。
[0005]本申请提供一种存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，所述方法包括：获取目标存储颗粒当前校准节点对应的运行参数集；将所述当前校准节点对应的运行参数集输入训练好的阻值校准参数预测模型，输出所述运行参数集对应的上拉电阻网络参数配置参数集合、下拉电阻网络参数配置参数集合和校准频率；基于所述校准频率确定下一校准节点，并基于所述上拉电阻网络配置参数集合和下拉电阻网络配置参数集合，分别对所述目标存储颗粒中的上拉电阻网络和下拉电阻网络进行校准；其中，所述上拉电阻网络配置参数集合包括上拉电阻网络中各电阻对应的输出高电平门限代码，所述下拉电阻网络配置参数集合包括下拉电阻网络中各电阻对应的输出低电平门限代码；所述阻值校准参数预测模型是基于运行参数集样本以及预先确定的所述样本对应的目标上拉电阻网络配置参数集合、目标下拉电阻网络配置参数集合和目标校准频率进行训练得到的，所述运行参数集包括内部温度、运行频率、核心电源电压和I/O电源电压。
[0006]根据本申请提供的一种存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，所述样本对应的目标
上拉电阻网络配置参数集合和目标下拉电阻网络配置参数集合的确定步骤包括：对样本存储颗粒的运行环境进行调节，以获取样本存储颗粒不同运行工况对应的内部温度、核心电源电压和I/O电源电压样本；对于任一运行工况对应的内部温度、核心电源电压和I/O电源电压样本，基于第一预设时长内不同上拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率，确定目标上拉电阻网络配置参数集合，并基于第二预设时长内不同下拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率，确定目标下拉电阻网络配置参数集合。
[0007]根据本申请提供的一种存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，所述基于第一预设时长内不同上拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率，确定目标上拉电阻网络配置参数集合，具体包括：基于第一预设步长增大样本存储颗粒的上拉电阻网络中各电阻对应的输出高电平门限代码以得到不同的上拉电阻网络配置参数集合；基于不同的上拉电阻网络配置参数集合对所述样本存储颗粒的上拉电阻网络进行校准，并确定第一预设时长内不同上拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率；将信号误码率最低时对应的上拉电阻网络配置参数集合作为目标上拉电阻网络配置参数集合。
[0008]根据本申请提供的一种存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，所述基于第二预设时长内不同下拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率，确定目标下拉电阻网络配置参数集合，具体包括：基于第二预设步长增大样本存储颗粒的下拉电阻网络中各电阻对应的输出低电平门限代码以得到不同的下拉电阻网络配置参数集合；基于不同的下拉电阻网络配置参数集合对所述样本存储颗粒的下拉电阻网络进行校准，并确定第二预设时长内不同下拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率；将信号误码率最低时对应的下拉电阻网络配置参数集合作为目标下拉电阻网络配置参数集合。
[0009]根据本申请提供的一种存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，所述样本对应的目标校准频率的确定步骤包括：控制样本存储颗粒分别以不同的运行频率运行第三预设时长；对于任一运行频率对应的运行区间，基于不同的校准频率对所述样本存储颗粒的上拉和下拉电阻网络进行校准，并基于所述第三预设时长内不同校准频率对应的信号误码率，确定目标校准频率。
[0010]根据本申请提供的一种存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，所述基于不同的校准频率对所述样本存储颗粒的上拉和下拉电阻网络进行校准，并基于所述第三预设时长内不同校准频率对应的信号误码率，确定目标校准频率，具体包括：基于第三预设步长增大校准频率，并依次采用不同的校准频率对所述样本存储颗粒的上拉和下拉电阻网络进行校准；获取所述第三预设时长内不同校准频率对应的信号误码率序列，并将所述信号误码率序列中首个最小误码率对应的校准频率作为目标校准频率。
[0011]根据本申请提供的一种存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，所述采用不同的校准
频率对所述样本存储颗粒的上拉和下拉电阻网络进行校准，具体包括：基于当前运行频率对应的运行区间，确定当前校准频率对应的校准节点；获取当前校准频率对应的各校准节点样本存储颗粒的内部温度、核心电源电压和I/O电源电压；基于当前校准频率对应的各校准节点样本存储颗粒的内部温度、核心电源电压和I/O电源电压，以及，内部温度、核心电源电压和I/O电源电压样本与目标上拉电阻网络配置参数集合和目标下拉电阻网络配置参数集合的对应关系，确定各校准节点对应的目标上拉电阻网络配置参数集合和目标下拉电阻网络配置参数集合；基于各校准节点对应的目标上拉电阻网络配置参数集合和目标下拉电阻网络配置参数集合分别对样本存储颗粒的上拉和下拉电阻网络进行校准。
[0012]本申请还提供一种存储颗粒电阻网络的阻值校准装置，所述装置包括：运行参数获取模块，用于获取目标存储颗粒当前校准节点对应的运行参数集；校准参数预测模块，用于将所述当前校准节点对应的运行参数集输入训练好的阻值校准参数预测模型，输出所述运行参数集对应的上拉电阻网络参数配置参数集合、下拉电阻网络参数配置参数集合和校准频率；阻值校准模块，用于基于所述阻值校准参数预测模型输出的校准频率，确定下一校准节点，并基于所述阻值校准参数预测模型输出的上拉电阻网络配置参数集合和下拉电阻网络配置参数集合，分别对所述目标存储颗粒中的上拉电阻网络和下拉电阻网络进行校准；其中，所述上拉电阻网络配置参数集合包括上拉电阻网络中各电阻对应的输出高电平门限代码，所述下拉电阻网络配置参数集合包括下拉电阻网络中各电阻对应的输出低电平门本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，其特征在于，所述方法包括：获取目标存储颗粒当前校准节点对应的运行参数集；将所述当前校准节点对应的运行参数集输入训练好的阻值校准参数预测模型，输出所述运行参数集对应的上拉电阻网络参数配置参数集合、下拉电阻网络参数配置参数集合和校准频率；基于所述校准频率确定下一校准节点，并基于所述上拉电阻网络配置参数集合和下拉电阻网络配置参数集合，分别对所述目标存储颗粒中的上拉电阻网络和下拉电阻网络进行校准；其中，所述上拉电阻网络配置参数集合包括上拉电阻网络中各电阻对应的输出高电平门限代码，所述下拉电阻网络配置参数集合包括下拉电阻网络中各电阻对应的输出低电平门限代码；所述阻值校准参数预测模型是基于运行参数集样本以及预先确定的所述样本对应的目标上拉电阻网络配置参数集合、目标下拉电阻网络配置参数集合和目标校准频率进行训练得到的，所述运行参数集包括内部温度、运行频率、核心电源电压和I/O电源电压。2.根据权利要求1所述的存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，其特征在于，所述样本对应的目标上拉电阻网络配置参数集合和目标下拉电阻网络配置参数集合的确定步骤包括：对样本存储颗粒的运行环境进行调节，以获取样本存储颗粒不同运行工况对应的内部温度、核心电源电压和I/O电源电压样本；对于任一运行工况对应的内部温度、核心电源电压和I/O电源电压样本，基于第一预设时长内不同上拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率，确定目标上拉电阻网络配置参数集合，并基于第二预设时长内不同下拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率，确定目标下拉电阻网络配置参数集合。3.根据权利要求2所述的存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，其特征在于，所述基于第一预设时长内不同上拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率，确定目标上拉电阻网络配置参数集合，具体包括：基于第一预设步长增大样本存储颗粒的上拉电阻网络中各电阻对应的输出高电平门限代码以得到不同的上拉电阻网络配置参数集合；基于不同的上拉电阻网络配置参数集合对所述样本存储颗粒的上拉电阻网络进行校准，并确定第一预设时长内不同上拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率；将信号误码率最低时对应的上拉电阻网络配置参数集合作为目标上拉电阻网络配置参数集合。4.根据权利要求3所述的存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，其特征在于，所述基于第二预设时长内不同下拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率，确定目标下拉电阻网络配置参数集合，具体包括：基于第二预设步长增大样本存储颗粒的下拉电阻网络中各电阻对应的输出低电平门限代码以得到不同的下拉电阻网络配置参数集合；基于不同的下拉电阻网络配置参数集合对所述样本存储颗粒的下拉电阻网络进行校准，并确定第二预设时长内不同下拉电阻网络配置参数集合对应的信号误码率；将信号误码率最低时对应的下拉电阻网络配置参数集合作为目标下拉电阻网络配置参数集合。
5.根据权利要求4所述的存储颗粒电阻网络的阻值校准方法，其特征在于，所述样本对应的目标校准频率的确定步骤包括：控制样本存储颗粒分别以不同的运行频率运行第三预设时长；对于任一运行频率对应的运行区间，基于不同...
【专利技术属性】
技术研发人员：张彪，王晓阳，
申请(专利权)人：上海奎芯集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：
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