一种绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置及检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置及检测方法，绝缘瓷瓶包括多个伞裙，包括：光子电场检测单元，光子电场检测单元用于检测每一个伞裙的电场分布；处理器，处理器与光子电场检测单元连接，处理器用于根据每一个伞裙的电场分布，得到绝缘瓷瓶的不同部位的电场强度分布图，若存在电场强度发生突变情况，判断绝缘瓷瓶存在伞裙劣化。以实现对绝缘瓷瓶劣化伞裙状态的精确监测，便于识别伞裙内部故障情况及发展性缺陷。况及发展性缺陷。况及发展性缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置及检测方法


[0001]本专利技术涉及绝缘瓷瓶检测
，尤其涉及一种绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置及检测方法。

技术介绍

[0002]绝缘瓷瓶作为一种重要的绝缘装置，广泛的使用在变电站的高压电力设备中。绝缘瓷瓶由纵向排列的伞裙叠加组成，当某一片或多片伞裙发生绝缘劣化时，会导致绝缘瓷瓶整体的绝缘强度降低、爬电比距减小、发生闪络放电等异常情况，对电力系统安全稳定运行造成了严重的风险。
[0003]而现阶段的绝缘瓷瓶的状态监测，主要采取以下方法：运行人员肉眼巡视时对瓷瓶进行观察，判断其是否存在缺陷；这种方式的操作难度较大，只能对较为严重的伞裙破损及严重脏污进行判断，对于伞裙内部故障情况及一些肉眼难以识别的发展性缺陷较难识别；利用红外测温的方法，根据是否存在异常发热点进行判断；由于瓷瓶自尺寸较小，温度分布差异不显著，伞裙劣化不一定导致温度分布会有明显异常，这种方法只能适用于瓷瓶脏污导致瓷瓶温度异常，对于伞裙内部故障缺乏分析判断手段。因此，在现有技术中很难识别伞裙内部故障情况及发展性缺陷，难以精确监测绝缘瓷瓶劣化伞裙状态。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置及检测方法，可以识别伞裙内部故障情况及发展性缺陷，以便精确监测绝缘瓷瓶劣化伞裙状态。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置，绝缘瓷瓶包括多个伞裙，包括：
[0006]光子电场检测单元，光子电场检测单元用于检测每一个伞裙的电场分布；
[0007]处理器，处理器与光子电场检测单元连接，处理器用于根据每一个伞裙的电场分布，得到绝缘瓷瓶的不同部位的电场强度分布图，若存在电场强度发生突变情况，判断绝缘瓷瓶存在伞裙劣化。
[0008]可选的，光子电场检测单元包括集成方位角铌酸锂光传感器阵列装置；集成方位角铌酸锂光传感器阵列装置包括集成方位角铌酸锂光传感器阵列发生器、单模光纤、光电探测器和光谱分析仪，集成方位角铌酸锂光传感器阵列发生器的输出端与单模光纤的第一端连接，单模光纤的第二端与光电探测器的输入端连接，光电探测器的输出端与光谱分析仪的输入端连接。
[0009]可选的，集成方位角铌酸锂光传感器阵列发生器包括保偏光纤、铌酸锂晶体、铌酸锂光调制器、多环天线、缓冲层和匹配电阻器，匹配电阻器与单模光纤连接；
[0010]多环天线用于探测到绝缘瓷瓶的电场分布；
[0011]多环天线的终端用于产生感应电压；
[0012]感应电压作用在铌酸锂光调制器上，铌酸锂光调制器用于利用Pockles效应产生
激光束，匹配电阻器用于调节激光束的光束强度；
[0013]缓冲层用于减弱电磁噪音的干扰。
[0014]可选的，绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置还包括绝缘支撑杆；
[0015]光子电场检测单元位于绝缘支撑杆上。
[0016]可选的，绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置还包括驱动结构；
[0017]光子电场检测单元位于绝缘支撑杆上，驱动结构用于带动光子电场检测单元从绝缘支撑杆的第一端运动至第二端。
[0018]可选的，绝缘支撑杆设置有滑动轨道和滑块；
[0019]驱动结构用于带动滑块从绝缘支撑杆的第一端运动至第二端；
[0020]光子电场检测单元固定于滑块上，驱动结构用于带动滑块从绝缘支撑杆的第一端运动至第二端的过程中，光子电场检测单元用于检测每一个伞裙的电场分布。
[0021]可选的，驱动结构包括驱动电机。
[0022]可选的，绝缘支撑杆为手持绝缘支撑杆。
[0023]可选的，绝缘瓷瓶包括多个双伞裙和多个单片伞裙。
[0024]第二方面，本专利技术提供了一种绝缘瓷瓶劣化伞裙的检测方法，包括：
[0025]通过光子电场检测单元用于检测每一个伞裙的电场分布；
[0026]通过处理器根据每一个伞裙的电场分布，得到绝缘瓷瓶的不同部位的电场强度分布图，若存在电场强度发生突变情况，判断绝缘瓷瓶存在伞裙劣化。
[0027]本专利技术实施例技术方案通过光子电场检测单元检测每一个伞裙的电场分布，处理器根据每一个伞裙的电场分布，得到绝缘瓷瓶的不同部位的电场强度分布图，若存在电场强度发生突变情况，判断绝缘瓷瓶存在伞裙劣化。本专利技术实施例通过监测绝缘瓷瓶不同部位的电场强度变化情况，识别伞裙内部故障情况及发展性缺陷，以便精确监测绝缘瓷瓶劣化伞裙状态。
[0028]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1是本专利技术实施例一提供的一种绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置的结构示意图；
[0031]图2是本专利技术实施例一提供的一种集成方位角铌酸锂光传感器阵列装置的结构示意图；
[0032]图3是本专利技术实施例一提供的一种集成方位角铌酸锂光传感器阵列发生器的结构示意图；
[0033]图4是本专利技术实施例一提供的又一种绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置的结构示意图；
[0034]图5是本专利技术实施例二提供的一种绝缘瓷瓶劣化伞裙的检测方法的工作流程图；
[0035]图6是本专利技术实施例二提供的一种绝缘瓷瓶仿真模型的结构示意图；
[0036]图7是本专利技术实施例二提供的绝缘瓷瓶X的电场分布图；
[0037]图8是本专利技术实施例二提供的绝缘瓷瓶Y的电场分布图。
具体实施方式
[0038]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0039]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0040]实施例一
[0041]本专利技术提供了一种绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置，图1是本专利技术实施例一提供的一种绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置的结构示意图，参考图1，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置，所述绝缘瓷瓶包括多个伞裙，其特征在于，包括：光子电场检测单元，所述光子电场检测单元用于检测每一个所述伞裙的电场分布；处理器，所述处理器与所述光子电场检测单元连接，所述处理器用于根据所述每一个所述伞裙的电场分布，得到所述绝缘瓷瓶的不同部位的电场强度分布图，若存在电场强度发生突变情况，判断所述绝缘瓷瓶存在伞裙劣化。2.根据权利要求1所述的绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置，其特征在于，所述光子电场检测单元包括集成方位角铌酸锂光传感器阵列装置；所述集成方位角铌酸锂光传感器阵列装置包括集成方位角铌酸锂光传感器阵列发生器、单模光纤、光电探测器和光谱分析仪，所述集成方位角铌酸锂光传感器阵列发生器的输出端与所述单模光纤的第一端连接，所述单模光纤的第二端与所述光电探测器的输入端连接，所述光电探测器的输出端与所述光谱分析仪的输入端连接。3.根据权利要求2所述的绝缘瓷瓶劣化伞裙检测装置，其特征在于，所述集成方位角铌酸锂光传感器阵列发生器包括保偏光纤、铌酸锂晶体、铌酸锂光调制器、多环天线、缓冲层和匹配电阻器，所述匹配电阻器与所述单模光纤连接；所述多环天线用于探测到所述绝缘瓷瓶的电场分布；所述多环天线的终端用于产生感应电压；所述感应电压作用在所述铌酸锂光调制器上，所述铌酸锂光调制器用于利用Pockles效应产生激光束，所述匹配电阻器用于调节所述激光束的光束强度；所述缓冲层用于减弱电磁噪音的干扰。...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟鑫，谢旭琛，杨颖，邓月辉，肖伟强，陈世杰，王祥东，王慧豪，唐龙城，朱筠，郭磊，陈伟君，田明明，杜桉安，李悦，赖柳坛，夏寒，石珂凡，周驭涛，朱鑫，
申请(专利权)人：广东电网有限责任公司惠州供电局，
类型：发明
国别省市：