基片处理方法具有下述(A)～(D)。(A)向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。(B)使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。(C)使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液。(D)使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动。(E)以第一流量向所述第一偏心位置供给所述处理液，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置开始移动之后、并且到所述置换液的供给位置到达所述中心位置时为止的期间，将所述处理液的流量从所述第一流量减少至第二流量。第一流量减少至第二流量。第一流量减少至第二流量。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基片处理方法和基片处理装置
[0001]本专利技术涉及基片处理方法和基片处理装置。
技术介绍
[0002]专利文献1公开的基片处理装置，从基片表面的中心位置的正上方供给处理液，在基片表面整体上形成处理液的液膜之后，从中心位置的正上方供给用于置换处理液的置换液，在基片表面整体上形成置换液的液膜。该基片处理装置在供给置换液时，向比置换液的供给位置靠外侧的位置补给处理液。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特许第6118758号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的一个方式提供能够抑制在基片表面的中心位置或其附近产生颗粒的技术。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术的一个方式的基片处理方法具有下述(A)～(D)。(A)向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。(B)使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。(C)使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液。(D)使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动。(E)以第一流量向所述第一偏心位置供给所述处理液，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向所述中心位置相反的方向开始移动之后、并且到所述置换液的供给位置到达所述中心位置时为止的期间，将所述处理液的流量从所述第一流量减少至第二流量。
[0010]专利技术效果
[0011]采用本专利技术的一个方式，能够抑制在基片表面的中心位置或其附近产生颗粒。
附图说明
[0012]图1的(A)是表示图4的S101的一个例子的图，图1的(B)是表示图4的S103的一个例子的图，图1的(C)是表示图4的S104的一个例子的图，图1的(D)是表示接着图1的(C)的步骤的参考例的图。
[0013]图2是表示一个实施方式的基片处理装置的图。
[0014]图3是表示第一移动机构和第二移动机构的一个例子的图。
[0015]图4是表示一个实施方式的基片处理方法的流程图。
[0016]图5的(A)是表示图4的S105的一个例子的图，图5的(B)是表示图4的S106的一个例子的图，图5的(C)是表示图4的S107的一个例子的图，图5的(D)是表示图4的S108的一个例子的图，图5的(E)是表示图4的S109的一个例子的图。
[0017]图6是表示一个实施方式的基片处理方法的表。
[0018]图7的(A)是表示利用图5的基片处理方法处理后的基片表面的颗粒的分布的图，图7的(B)是表示利用图1的基片处理方法处理后的基片表面的颗粒的分布的图。
[0019]图8是表示第一变形例的基片处理方法的表。
[0020]图9是表示第二变形例的基片处理方法的表。
[0021]图10是表示基片处理装置的检查装置的一个例子的图。
具体实施方式
[0022]下面，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。此外，在各附图中，对于相同或相应的构成要素，有时标注相同的附图标记，并省略说明。
[0023]基片处理方法例如包括：在基片表面形成药液的液膜的步骤；将药液的液膜置换为冲洗液的液膜的步骤；将冲洗液的液膜置换为干燥液的液膜的步骤；和使基片表面从干燥液的液膜露出的步骤。这些处理在同一处理容器内实施。
[0024]向旋转的基片表面的中心供给药液，利用离心力使药液在基片表面的整个径向上扩展，形成液膜。作为药液，例如可以使用BHF(缓冲氢氟酸)等。药液并不限于BHF，例如也可以是DHF(稀氢氟酸)等。在使用BHF的情况下，与使用DHF的情况相比，基片表面成为拨水性。也可以是依次供给多种药液，在该情况下，在第一药液的液膜的形成与第二药液的液膜的形成之间也进行冲洗液的液膜的形成。
[0025]向旋转的基片表面的中心供给冲洗液，利用离心力使冲洗液在基片表面的整个径向上扩展，将液膜中包含的药液置换为冲洗液。冲洗液用于对残留在基片表面的药液进行冲洗。作为冲洗液，例如可以使用DIW(去离子水)等纯水。
[0026]向旋转的基片表面的中心供给干燥液，利用离心力使干燥液在基片表面的整个径向上扩展，将液膜中包含的冲洗液置换为干燥液。作为干燥液，可以使用具有比冲洗液低的表面张力的液体。能够抑制由表面张力引起的凹凸图案的坍塌。干燥液例如为IPA(异丙醇)等。
[0027]在形成干燥液的液膜后，使基片表面从干燥液的液膜露出。通过基片的旋转，能够将干燥液从基片表面甩出。此时，可以使干燥液的供给位置从基片表面的中心向周缘移动。通过干燥液的供给位置的移动，在干燥液的液膜的中心形成开口，该开口从基片表面的中心向周缘逐渐扩展。为了推压干燥液的液膜的开口边缘，可以向开口边缘供给氮气等干燥气体。干燥气体的供给位置追随干燥液的供给位置移动。
[0028]但是，为了置换液膜，要更换位于基片表面的中心位置的正上方的喷嘴。例如，为了将冲洗液的液膜置换为干燥液的液膜，要将位于基片表面的中心位置的正上方的喷嘴从冲洗液用的喷嘴更换为干燥液用的喷嘴。
[0029]本专利技术人对在基片表面的中心位置或其附近产生颗粒的原因进行了调查，发现原因是在更换位于基片表面的中心位置的正上方的喷嘴时液膜中断。可认为由于液膜中断，液膜的残渣会附着在基片表面。
[0030]接下来，参照图1，对在置换液膜时液膜在基片表面的中心位置或其附近中断的现象进行说明。首先，如图1的(A)所示，第一喷嘴20向基片表面Wa的中心位置P0供给冲洗液L1，在基片表面Wa整体上形成冲洗液L1的液膜F1。
[0031]接着，如图1的(B)所示，使第一喷嘴20向基片W的径向外侧移动，使冲洗液L1的供给位置从中心位置P0移动至第一偏心位置P1。这是用于向与第一偏心位置P1不同的第二偏心位置P2供给干燥液L2的准备，是用于防止第二喷嘴30与第一喷嘴20的干扰的准备。
[0032]第二偏心位置P2和第一偏心位置P1配置在距中心位置P0大致相同距离的位置，但也可以是配置在距中心位置P0不同距离的位置。为了使得液膜在中心位置P0或其附近不中断，第二偏心位置P2和第一偏心位置P1配置在中心位置P0的附近。
[0033]接着，如图1的(C)所示，在冲洗液L1的供给位置停止在第一偏心位置P1的状态下，第二喷嘴30向第二偏心位置P2供给干燥液L2。此时的冲洗液L1的流量为第一流量Q1。第一流量Q1被设定为使得液膜在中心位置P0或其附近不中断。
[0034]接着，如图1的(D)所示，冲洗液L1的供给位置从第一偏心位置P1向周缘位置PE开始移动。周缘位置PE是相对于第一偏心位置P1位于与中心位置P0相反的方向(径向外侧)的位置。另外，干燥液L2的供给位置从第二偏心位置P2向中心位置P0开始移动。
[0035]根据参考例本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：向旋转的基片表面的中心位置供给处理液的步骤；使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置的步骤；使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液的步骤；使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动的步骤；以第一流量向所述第一偏心位置供给所述处理液，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向开始移动之后、并且到所述置换液的供给位置到达所述中心位置时为止的期间，将所述处理液的流量从所述第一流量减少至第二流量的步骤。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：将所述处理液的流量从所述第一流量减少至所述第二流量的时机，是在所述置换液的供给位置到达所述中心位置时之前。3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于，包括：在将所述置换液的供给位置固定在所述中心位置的状态下，使所述处理液的供给位置向与所述中心位置相反的方向继续移动的步骤。4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，包括：以第三流量向所述第二偏心位置供给所述置换液，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向开始移动时，将所述置换液的流量从所述第三流量增加至第四流量的步骤。5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，包括：在向所述第一偏心位置供给所述处理液时使所述基片表面以第一转速旋转，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向开始移动时，使所述基片表面的...
【专利技术属性】
技术研发人员：樱井宏纪，小佐井一树，筱原和义，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。