加料管和具有其的单晶生长设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种加料管和具有其的单晶生长设备，所述加料管用于单晶生长设备，所述单晶生长设备包括：坩埚和所述加料管，所述坩埚适于盛放硅熔汤，所述加料管包括：管本体，所述管本体限定出输料通道和多个用于储放硅原料的储料腔，多个所述储料腔均和所述输料通道连通，所述输料通道适于将多个所述储料腔内的硅原料投放至所述坩埚；开关组件，所述开关组件适于分别控制多个所述储料腔与所述输料通道的通断。根据本实用新型专利技术的加料管，更容易控制硅原料的投放量，也可以防止硅原料进入硅熔汤时造成的高温硅熔汤的飞溅，从而提升了单晶生长设备运行的安全性和可靠性。单晶生长设备运行的安全性和可靠性。单晶生长设备运行的安全性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
加料管和具有其的单晶生长设备


[0001]本技术涉及碳化硅单晶生长
，尤其是涉及一种加料管和具有其的单晶生长设备。

技术介绍

[0002]相关技术中，通常使用多段拉晶技术以降低制备晶棒的成本，在拉制出一个晶棒后，需要使用加料管向石英坩埚内补充多晶硅原料，以补足由于上次提拉晶棒而减少的硅熔汤。但是在使用加料管向石英坩埚内补充多晶硅原料时，由于加料管与熔汤液面之间存在高度差，当加料管的加料口打开时，在重力的作用下，大量的多晶硅从加料管掉落至熔汤，容易造成熔汤的飞溅，影响晶体生长装置工作的可靠性。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术在于提出一种加料管，所述加料管可以防止加料时高温硅熔汤的飞溅，提高单晶生长设备的安全性和可靠性。
[0004]本技术还提出一种具有上述加料管的单晶生长设备。
[0005]根据本技术实施例第一方面的加料管，用于单晶生长设备，所述单晶生长设备包括：坩埚和所述加料管，所述坩埚适于盛放硅熔汤，所述加料管包括：管本体，所述管本体限定出输料通道和多个用于储放硅原料的储料腔，多个所述储料腔均和所述输料通道连通，所述输料通道适于将多个所述储料腔内的硅原料投放至所述坩埚；开关组件，所述开关组件适于分别控制多个所述储料腔与所述输料通道的通断。
[0006]根据本技术实施例的加料管，通过设置多个储料腔，可以在需要向坩埚内投料时来选择投放一个或多个储料腔内的硅原料，与相关技术中加料管仅设有一个储料腔，在打开储料腔时将全部的硅原料均投入硅熔汤相比，一方面更易于控制每次投放硅原料时的投放量，另一方面，可以防止大量的硅原料进入硅熔汤时造成的高温硅熔汤的飞溅，提升了单晶生长设备运行的安全性和可靠性。此外，多个储料腔中的硅原料均通过输料通道来投放，更容易控制和调整落料区域。
[0007]根据本技术的一些实施例，所述管本体包括：外管；内管，所述内管位于所述外管的内侧，所述内管限定出所述输料通道；多个隔板，多个所述隔板间隔设于所述外管与所述内管之间，多个所述隔板与所述外管以及所述内管共同限定出多个所述储料腔，所述内管上形成有与多个所述储料腔一一对应的多个连通口，所述连通口连通所述储料腔和所述输料通道，所述开关组件适于打开或关闭多个所述连通口。
[0008]进一步地，多个所述隔板沿所述内管的周向间隔布置，多个所述隔板与所述外管以及所述内管共同限定出沿所述内管的轴向延伸且沿所述内管的周向间隔布置的多个所述储料腔，所述连通口位于所述储料腔的邻近底端的位置。
[0009]再进一步地，所述储料腔的底壁沿所述内管的径向向内且沿轴向向下的方向倾斜
延伸。
[0010]根据本技术的一些实施例，所述开关组件包括：多个开关门，多个所述开关门与多个所述连通口一一对应且适配，所述开关门沿所述内管的轴向且远离所述坩埚的一端与所述内管枢转连接。
[0011]根据本技术的一些实施例，所述加料管还包括：驱动件，所述驱动件与所述管本体相连，所述驱动件适于驱动所述管本体绕所述管本体的中心轴线转动以带动多个所述储料腔转动。
[0012]在一些实施例中，所述加料管还包括：导向盖，所述导向盖适于封堵所述输料通道的邻近所述坩埚的一端，所述导向盖适于在第一位置和第二位置之间移动，所述导向盖在所述第一位置时，所述输料通道被关闭，所述导向盖在所述第二位置时，所述输料通道被打开，所述储料腔内的硅原料适于通过所述输料通道输送至所述坩埚。
[0013]进一步地，所述导向盖适于沿所述管本体的轴向所述第一位置和所述第二位置之间移动，在沿所述管本体的轴向且远离所述管本体的方向上，所述导向盖的至少部分沿径向向外倾斜延伸形成导向面，所述导向盖的直径大于所述输料通道的直径，所述导向盖位于所述第一位置时，所述导向面封堵所述输料通道，所述导向盖在所述第二位置时，所述导向面与所述管本体沿轴向间隔开，所述储料腔内的硅原料适于沿所述导向面输送到所述坩埚内。
[0014]更进一步地，所述导向盖包括：第一导向部，所述第一导向部在参考面内的投影形成为半圆形，所述第一导向部适于将硅原料投放至所述坩埚的第一区域；第二导向部，所述第二导向部在参考面内的投影形成为半圆形，所述第二导向部在参考面内的投影的半径小于所述第一导向部在参考面内的投影的半径，所述第二导向部与所述第一导向部沿径向相对且相连，所述第二导向部适于将硅原料投放至所述坩埚的第二区域，所述第二区域在参考面内的投影位于所述第一区域在参考面内的投影的内侧，所述参考面垂直于所述输料管道的中心轴线，所述导向盖还适于绕所述输料通道的轴线转动，以使所述第一导向部或所述第二导向部运动至需要投放硅料的所述储料腔的下侧。
[0015]在一些实施例中，多个所述储料腔适于分别存储不同尺寸的硅原料，多个所述储料腔按照所存储的硅原料的尺寸大小沿所述管本体的周向依次布置。
[0016]进一步地，多个所述储料腔中，存储较大尺寸硅原料的所述储料腔的容积大于存储较小尺寸硅原料的所述储料腔的容积。
[0017]根据本技术第二方面的单晶生长设备，包括：根据本技术第一方面所述的加料管。
[0018]根据本技术的单晶生长设备，通过设置上述第一方面所述的加料管，更易于控制每次投放硅原料时的投放量，此外，可以防止大量的硅原料进入硅熔汤时造成的高温硅熔汤的飞溅，造成单晶生长设备的安全性和可靠性降低。
[0019]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0020]图1是根据本技术实施例的加料管的一个实施例的示意图；
[0021]图2是根据本技术实施例的加料管的另一个实施例的示意图；
[0022]图3是根据本技术实施例的加料管的又一个实施例的示意图；
[0023]图4是根据本技术实施例的加料管的另一个角度的示意图；
[0024]图5是图4中所示的加料管的储料腔打开的示意图；
[0025]图6是根据本技术实施例的加料管的另一个实施例的示意图；
[0026]图7是图6中所示的加料管的储料腔打开的示意图；
[0027]图8是根据本技术实施例的加料管的又一个实施例的示意图；
[0028]图9是图8中所示的加料管的储料腔打开的示意图；
[0029]图10是图8中所示的加料管的导向盖的示意图。
[0030]附图标记：
[0031]加料管100，
[0032]管本体1，外管11，内管12，隔板13，储料腔14，第一储料腔141，第二储料腔142，第三储料腔143，第四储料腔144，输料通道15，
[0033]开关组件2，开关门21，
[0034]导向盖3，第一导向部31，第二导向部32，提拉机构4，驱动件5，
[0035]硅熔汤200。
具体实施方式<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加料管，用于单晶生长设备，其特征在于，所述单晶生长设备包括：坩埚和所述加料管，所述坩埚适于盛放硅熔汤，所述加料管包括：管本体，所述管本体限定出输料通道和多个用于储放硅原料的储料腔，多个所述储料腔均和所述输料通道连通，所述输料通道适于将多个所述储料腔内的硅原料投放至所述坩埚；开关组件，所述开关组件适于分别控制多个所述储料腔与所述输料通道的通断。2.根据权利要求1所述的加料管，其特征在于，所述管本体包括：外管；内管，所述内管位于所述外管的内侧，所述内管限定出所述输料通道；多个隔板，多个所述隔板间隔设于所述外管与所述内管之间，多个所述隔板与所述外管以及所述内管共同限定出多个所述储料腔，所述内管上形成有与多个所述储料腔一一对应的多个连通口，所述连通口连通所述储料腔和所述输料通道，所述开关组件适于打开或关闭多个所述连通口。3.根据权利要求2所述的加料管，其特征在于，多个所述隔板沿所述内管的周向间隔布置，多个所述隔板与所述外管以及所述内管共同限定出沿所述内管的轴向延伸且沿所述内管的周向间隔布置的多个所述储料腔，所述连通口位于所述储料腔的邻近底端的位置。4.根据权利要求3所述的加料管，其特征在于，所述储料腔的底壁沿所述内管的径向向内且沿轴向向下的方向倾斜延伸。5.根据权利要求2所述的加料管，其特征在于，所述开关组件包括：多个开关门，多个所述开关门与多个所述连通口一一对应且适配，所述开关门沿所述内管的轴向且远离所述坩埚的一端与所述内管枢转连接。6.根据权利要求1所述的加料管，其特征在于，还包括：驱动件，所述驱动件与所述管本体相连，所述驱动件适于驱动所述管本体绕所述管本体的中心轴线转动以带动多个所述储料腔转动。7.根据权利要求1所述的加料管，其特征在于，还包括：导向盖，所述导向盖适于封堵所述输料通道的邻近所述坩埚的一端，所述导向盖适于在第一位置和第二位置之间移动，所述导向盖在所述第一位置时，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊宏，邢微波，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：