本实用新型专利技术提出一种发光二极管及发光二极管显示器，包括：衬底；半导体外延结构，设置在所述衬底上；透明导电层，设置在所述半导体结构上第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；第二电极，设置在所述透明导电层上；以及防水保护层，设置在所述透明导电层和部分所述第一电极和所述第二电极上。通过本实用新型专利技术提供的一种发光二极管，可防止水汽入侵。入侵。入侵。
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及发光二极管显示器
[0001]本技术涉及半导体领域，特别涉及一种发光二极管及发光二极管显示器。
技术介绍
[0002]发光二极管的在背光领域的应用中，具有省电、清晰度高、反应时间快等特点，被广泛应各种背光、显示器上。不过由于随之而来的应用也变得广泛，各种不良的环境，常常造成发光二极管的失效。尤其是水气的渗入，对于芯片的损坏特别严重。
技术实现思路
[0003]鉴于上述现有技术的缺陷，本技术提出一种发光二极管及发光二极管显示器，旨在改善水汽渗入，进而导致发光二极管失效的问题。
[0004]为实现上述目的及其他目的，本技术提出一种发光二极管，该发光二极管包括：
[0005]衬底；
[0006]半导体外延结构，设置在所述衬底上；
[0007]透明导电层，设置在所述半导体外延结构上；
[0008]第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；
[0009]第二电极，设置在所述透明导电层上；以及
[0010]防水保护层，设置在所述透明导电层和部分所述第一电极和所述第二电极上。
[0011]可选的，所述防水保护层包括保护膜层，所述保护膜层覆盖所述透明导电层，并向着所述第一电极和所述第二电极延伸，且所述保护膜层覆盖第一电极和第二电极的侧壁和部分顶壁。
[0012]可选的，所述保护膜层包括第一防水保护层，所述第一防水保护层为氧化层。
[0013]可选的，所述第一防水保护层的厚度为100～300nm。
[0014]可选的，所述保护膜层包括第二防水保护层，所述第二防水保护层覆盖在所述第一防水保护层上，且所述第二防水保护层为氧化层与氮化层的渐变层。
[0015]可选的，所述第二防水保护层的厚度为20nm。
[0016]可选的，所述保护膜层包括第三防水保护层，所述第三防水保护层覆盖在所述第二防水保护层上，且所述第三防水保护层为氮化层。
[0017]可选的，所述第三防水保护层的厚度为20～50nm。
[0018]可选的，所述防水保护层包括疏水性膜层，所述疏水性膜层设置在所述保护膜层上。
[0019]可选的，所述防水保护层包括水栅栏层，所述水栅栏层设置所述疏水性膜层上，且所述水栅栏层包括多个突起结构。
[0020]可选的，所述发光二极管为微型发光二极管。
[0021]本技术还提供一种发光二极管显示器，包括如上所述的发光二极管。
[0022]综上所述，本技术提出一种发光二极管及发光二极管显示器，在第一电极和第二电极的外圈与发光区，设有特殊保护层，可让水份不致停留在芯片上，可以使芯片保持干燥，进而避免水汽导致的不良。
附图说明
[0023]图1：本实施例中半导体设备结构示意图。
[0024]图2：本实施例中一过度腔结构示意图。
[0025]图3：本实施例中清洗腔结构示意图。
[0026]图4：本实施例中预热腔结构示意图。
[0027]图5：本实施例中生长腔结构示意图。
[0028]图6：本实施例中靶材及背板结构简要示意图。
[0029]图7：本实施例中另一半导体设备结构简要示意图。
[0030]图8：本实施例中沉积腔结构示意图。
[0031]图9：第一沉积腔体的结构示意图。
[0032]图10：扩散板的示意图。
[0033]图11：第一进气管路和第二进气管路的结构示意图。
[0034]图12：基板入口的示意图。
[0035]图13：第二管路的示意图。
[0036]图14：一种半导体设备的结构示意图。
[0037]图15：一种设置有空穴注入层的半导体外延结构图。
[0038]图16：一种极性面与非极性面示意图。
[0039]图17：一种具有稳定波长的半导体外延结构图。
[0040]图18：一种设置有电阻层的半导体外延结构图。
[0041]图19：图18所示的半导体外延结构等效电路图。
[0042]图20：一种微型发光二极管结构示意图。
[0043]图21：一种大角度微型发光二极管结构示意图。
[0044]图22：一种小角度微型发光二极管结构示意图。
[0045]图23：图22所示的遮挡层结构示意图。
[0046]图24：一种覆盖两个侧面的遮挡层示意图。
[0047]图25：一种覆盖四个侧面的遮挡层示意图。
[0048]图26：一种设置有填平层的微型发光二极管结构示意图。
[0049]图27：图26所示的填平层的结构示意图。
[0050]图28：图26所示的微型发光二极管焊接在基板上的受力示意图。
[0051]图29：未设置填平层的微型发光二极管结构的发光角度示意图。
[0052]图30：图26所示微型发光二极的发光角度示意图。
[0053]图31：一种电极上设置有金属叠层的微型发光二极管示意图。
[0054]图32：一种具有特殊导电结构的微型发光二极管示意图。
[0055]图33：一种具有防水保护层的微型发光二极管示意图。
[0056]图34：图33所示的保护膜层的结构示意图。
[0057]图35：图33所示的突出结构的电镜图。
[0058]图36：疏水性不同的表面，液滴边缘切线与基准面之间的夹角示意图。
[0059]图37：一种电极之间设置支撑层的微型发光二极管示意图。
[0060]图38：一种微型发光二极管转移装置结构示意图。
[0061]图39：一种微型发光二极管转移装置的结构俯视图。
[0062]图40：一种微型发光二极管转移装置的切割槽示意图。
[0063]图41：一种微型发光二极管转移装置的切割位置示意图。
[0064]图42：一种微型发光二极管显示面板的结构示意图。
[0065]图43：一种微型发光二极管显示面板的俯视图。
[0066]图44：一种电子装置结构示意图。
[0067]图45：一种半导体器件结构示意图。
[0068]图46：一种射频模组结构示意图。
具体实施方式
[0069]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0070]请参阅图1，本实施例提出一种半导体设备100，例如可以为化学气相沉积设备，也可以为物理气相沉积设备，当然也可以是物理气相沉积设备、化学气相沉积设备或其他半导体设备的组合。
[0071]如图1所示，在本技术一实施例中，半导体设备100内设置多个腔室，在技术一实施例中，半导体设备100例本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；氮化镓层，设置在所述衬底上；半导体外延结构，设置在所述衬底上，且所述半导体外延结构包括依次设置在所述氮化镓层上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；透明导电层，设置在所述半导体外延结构上；第一电极，设置在所述半导体外延结构的第一半导体层上；第二电极，设置在所述透明导电层上；以及防水保护层，设置在所述透明导电层和部分所述第一电极和所述第二电极上，且所述防水保护层包括保护膜层、疏水性膜层和水栅栏层，所述保护膜层覆盖所述透明导电层，并向着所述第一电极和所述第二电极延伸，且所述保护膜层覆盖第一电极和第二电极的侧壁和部分顶壁，所述疏水性膜层设置在所述保护膜层上，所述水栅栏层设置所述疏水性膜层上，且所述水栅栏层包括多个突起结构。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述保护膜层包括第一防水保护层，所述第一防水保护层为氧化层。3.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈卫军，
申请(专利权)人：广东晶相光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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