本发明专利技术公开了一种单晶炉复投送料系统,该送料系统包括料斗、上料机构、下料机构和驱动组件,其中上料机构包括第一槽体和第一螺旋轴,下料机构包括第二槽体和第二螺旋轴,第一螺旋轴上设置有沿物料运输方向直径逐渐减小的第一叶片,第二螺旋轴上设置有沿物料运输方向直径逐渐减小的第二叶片。在物料运输过程中粒径小于等于第一粒径的部分物料被优先输送至单晶炉中,摊铺在硅液表面,剩余的部分物料随后输送至单晶炉中,掉落在粒径小于等于第一粒径的部分物料上,减缓了冲击。从而解决了大粒径物料投入单晶炉时造成的硅液飞溅的问题,避免了硅液飞溅造成的物料损失以及对单晶炉造成的损害,使得生产成本降低,并延长了单晶炉使用寿命。炉使用寿命。炉使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉复投送料系统
[0001]本专利技术涉及单晶硅制造
,尤其是涉及一种单晶炉复投送料系统。
技术介绍
[0002]当前的单晶炉复投送料系统分三种。一种是采用石英管容器通过单晶炉副炉室从上往下复投;第二种是在单晶炉炉盖处设置石英管通道对着坩埚内壁边缘复投;第三种是在主炉室的复投孔位置伸入石英料管在坩埚上沿复投硅料。
[0003]现有的单晶炉复投送料系统大多采用固定的或活动的直线振动送料器或回旋振动送料器将硅料通过石英料管振入单晶炉坩埚内。
[0004]振动送料不利于颗粒硅的输送,小粒径的硅料送料速度远低于大粒径硅料的送料速度,大粒径硅料在进入单晶炉时撞击硅液,造成硅液飞溅,导致了硅料的损失以及对单晶炉内部元器件的损害。
[0005]因此,急需研发一种可解决送料过程中硅液飞溅问题的单晶炉复投送料系统。
技术实现思路
[0006]为了解决现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种可以解决送料过程中硅液飞溅问题的单晶炉复投送料系统。
[0007]为了实现上述目的,本专利技术采用如下的技术方案:一种单晶炉复投送料系统,送料系统包括:料斗;上料机构,上料机构至少部分和料斗连通;下料机构,上料机构至少部分设置在料斗和下料机构之间;驱动组件,用于驱动上料机构和下料机构;在送料系统输送物料的情况下,上料机构至少部分和下料机构连通;上料机构包括:第一槽体;第一螺旋轴,第一螺旋轴至少部分设置在第一槽体中;下料结构包括:第二槽体;第二螺旋轴,第二螺旋轴至少部分设置在第二槽体中;在送料系统输送物料的情况下,第一槽体连通第二槽体,驱动组件驱动第一螺旋轴和第二螺旋轴,以使物料通过第一螺旋轴和第二螺旋轴输送至单晶炉中;第一螺旋轴上设置有第一叶片,第二螺旋轴上设置有第二叶片,第一叶片的直径和第二叶片的直径中至少之一沿物料的运输方向依次减小。
[0008]进一步地,第一叶片的最大直径和第一叶片的最小直径的差值大于等于7mm且小于等于13mm,第二叶片的最大直径和第二叶片的最小直径的差值大于等于7mm且小于等于13mm。
[0009]进一步地,第一叶片的最大直径和第一叶片的最小直径的差值大于等于9mm且小于等于11mm,第二叶片的最大直径和第二叶片的最小直径的差值大于等于9mm且小于等于11mm。
[0010]进一步地,第一叶片和第一槽体的内壁之间形成有第一输送通道,第二叶片和第二槽体的内壁之间形成有第二输送通道,第一输送通道和第二输送通道均用于输送粒径小于等于第一粒径的物料,第一螺旋轴和第二螺旋轴均用于输送粒径小于等于第二粒径的物
料,其中,第一粒径小于第二粒径。
[0011]进一步地,沿物料的运输方向,第一槽体的长度和第二槽体长度的比值大于等于0.5且小于等于1.5。
[0012]进一步地,下料机构相对上料机构包括第一状态和第二状态,当下料机构相对上料机构处于第一状态时,第一槽体和第二槽体连通,且第二槽体处于第一位置;当下料机构相对上料机构处于第二状态时,第一槽体和第二槽体不连通,且第二槽体处于第二位置。
[0013]进一步地,第一槽体设置有沿送料系统的上下方向延伸的第三槽体,第三槽体和第一槽体一体成型或固定连接。
[0014]进一步地,沿送料系统的上下方向,第一槽体和第二槽体之间的距离为第一长度,第三槽体沿上下方向的长度为第二长度,第一长度大于等于第二长度;或,第三槽体设置为可伸缩结构,当第二槽体处于第一位置时,第三槽体处于第一模式,当第二槽体处于第二位置时,第三槽体处于第二模式。
[0015]进一步地,下料机构和驱动组件通过可弯曲的连接轴连接;当下料机构相对上料机构处于第一状态时,连接轴处于正常状态;当下料机构相对上料机构处于第二状态时,连接轴处于弯曲状态。
[0016]进一步地,在送料系统输送物料的情况下,若物料从料斗输送至第一槽体,第一叶片形成有阻碍物料运动的第一阻挡机构;若物料从第一槽体输送至第二槽体,第二叶片形成有阻碍物料运动的第二阻挡机构。
[0017]本申请提供了一种单晶炉复投送料系统,该送料系统包括料斗、上料机构、下料机构和驱动组件,其中上料机构包括第一槽体和第一螺旋轴,下料机构包括第二槽体和第二螺旋轴,第一螺旋轴上设置有沿物料运输方向直径逐渐减小的第一叶片,第二螺旋轴上设置有沿物料运输方向直径逐渐减小的第二叶片。在物料运输过程中粒径小于等于第一粒径的部分物料被优先输送至单晶炉中,摊铺在硅液表面,剩余的部分物料随后输送至单晶炉中,掉落在粒径小于等于第一粒径的部分物料上,减缓了冲击。从而解决了大粒径物料投入单晶炉时造成的硅液飞溅的问题,避免了硅液飞溅造成的物料损失以及对单晶炉造成的损害,使得生产成本降低,并延长了单晶炉使用寿命。
附图说明
[0018]图1为本专利技术实施例中送料系统的内部结构示意图;图2为本专利技术实施例中送料系统的整体结构示意图;图3为本专利技术实施例中送料系统的剖面结构示意图;图4为本专利技术实施例中送料系统的上料机构局部放大示意图;图5为本专利技术实施例中送料系统的下料机构局部放大示意图;图6为本专利技术实施例中送料系统的下料机构左侧局部放大示意图;图7为本专利技术实施例中第一传动部的结构示意图;图8为本专利技术实施例中送料系统的局部放大示意图。
具体实施方式
[0019]以下将结合附图所示的具体实施方式对本专利技术进行详细描述,但这些实施方式并
不限制本专利技术,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本专利技术的保护范围内。
[0020]需要说明的是,当元件被称为“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
[0021]在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
[0022]除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0023]为了清楚地说明本申请的技术方案,定义了如图1所示的前侧、后侧、左侧、右侧、上侧、下侧。
[0024]请参考图1和图2,其示出了本申请一个实施例提供的一种单晶炉复投送料系统100,送料系统100安装在复投器炉体的内部。送料系统100包括:料斗11、上料机构12、下料机构13和驱动组件14。
[0025]其中,料斗11至少部分设置在上料机构12的上方,下料机构13至少部分设置在上料机构本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉复投送料系统,所述送料系统包括:料斗;上料机构,所述上料机构至少部分和所述料斗连通;下料机构,所述上料机构至少部分设置在所述料斗和所述下料机构之间;驱动组件,用于驱动所述上料机构和所述下料机构;在所述送料系统输送物料的情况下,所述上料机构至少部分和所述下料机构连通;其特征在于,所述上料机构包括:第一槽体;第一螺旋轴,所述第一螺旋轴至少部分设置在所述第一槽体中;所述下料结构包括:第二槽体;第二螺旋轴,所述第二螺旋轴至少部分设置在所述第二槽体中;在所述送料系统输送所述物料的情况下,所述第一槽体连通所述第二槽体,所述驱动组件驱动所述第一螺旋轴和所述第二螺旋轴,以使所述物料通过所述第一螺旋轴和所述第二螺旋轴输送至所述单晶炉中;所述第一螺旋轴上设置有第一叶片,所述第二螺旋轴上设置有第二叶片,所述第一叶片的直径和所述第二叶片的直径中至少之一沿所述物料的运输方向依次减小。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,所述第一叶片的最大直径和所述第一叶片的最小直径的差值大于等于7mm且小于等于13mm,所述第二叶片的最大直径和所述第二叶片的最小直径的差值大于等于7mm且小于等于13mm。3.根据权利要求1或2所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,所述第一叶片的最大直径和所述第一叶片的最小直径的差值大于等于9mm且小于等于11mm,所述第二叶片的最大直径和所述第二叶片的最小直径的差值大于等于9mm且小于等于11mm。4.根据权利要求1所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,所述第一叶片和所述第一槽体的内壁之间形成有第一输送通道,所述第二叶片和所述第二槽体的内壁之间形成有第二输送通道,所述第一输送通道和所述第二输送通道均用于输送粒径小于等于第一粒径的所述物料,所述第一螺旋轴和所述第二螺旋轴均用于输送粒径小于等于第二粒径的所述物料,其中,所述第一粒径小于所述第二粒径。5...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹建伟,傅林坚,朱亮,叶钢飞,倪军夫,李玉刚,
申请(专利权)人:浙江求是半导体设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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