晶圆吸附装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种晶圆吸附装置，包括：吸盘，用于吸附晶圆的非图形区域，所述吸盘中设有抽真空腔，所述抽真空腔的一侧形成有晶圆吸附面，所述晶圆吸附面上开设有多个晶圆吸附孔，所述晶圆吸附孔连通所述抽真空腔与所述晶圆吸附面的外侧；及转接部，用于将所述抽真空腔与真空装置连接；其中，所述晶圆吸附面与晶圆的边缘的非图形区域的形状匹配。本申请的晶圆吸附装置中，通过吸附晶圆正面的非图形区域进行晶圆转移，既可以减少镊子对边缘的损伤，又可以避免真空吸笔头对图形区域造成脏污、损伤等问题，可适用于各种晶圆的吸附。可适用于各种晶圆的吸附。可适用于各种晶圆的吸附。

【技术实现步骤摘要】
晶圆吸附装置


[0001]本申请涉及半导体
，尤其是涉及一种晶圆吸附装置。

技术介绍

[0002]晶圆作为制造半导体器件的基础性原材料，广泛地应用于航空航天、汽车、医学、智能终端等行业，目前各行业对晶圆产品质量的要求越来越高。在设备装机和生产制造过程中，需对晶圆进行取放。为避免取放过程中对晶圆造成损坏以及污染，因此对晶圆取放过程中的安全性和洁净度具有很高的要求。
[0003]为了避免造成晶圆正面的脏污、损伤等问题，现有真空吸笔在取放晶圆时多吸附于晶圆背面的中间位置。然而，在刻蚀、薄膜生长、退火等步骤中，由于不方便从晶圆背面进行吸附，因此会采用镊子夹住晶圆边缘的方式来取放，这又会造成晶圆边缘损伤。

技术实现思路

[0004]为解决现有存在的技术问题，本申请提供一种晶圆吸附装置，能够从正面进行拾取而不损伤晶圆。
[0005]为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：
[0006]本申请实施例提供一种晶圆吸附装置，包括：
[0007]吸盘，用于吸附晶圆的非图形区域，所述吸盘中设有抽真空腔，所述抽真空腔的一侧形成有晶圆吸附面，所述晶圆吸附面上开设有多个晶圆吸附孔，所述晶圆吸附孔连通所述抽真空腔与所述晶圆吸附面的外侧；及
[0008]转接部，用于将所述抽真空腔与真空装置连接；
[0009]其中，所述晶圆吸附面与晶圆的边缘的非图形区域的形状匹配。
[0010]在其中一个实施例中，所述晶圆吸附面为呈扇环形的平面，且与非图形区域的弧形段的形状相匹配。
[0011]在其中一个实施例中，所述晶圆吸附面的外侧直径大于晶圆的外径，所述晶圆吸附面的内侧直径大于晶圆的图形区域的外径。
[0012]在其中一个实施例中，所述晶圆吸附面对应的圆心角为125
°
～150
°
，所述晶圆吸附孔在所述晶圆吸附面上间隔2.5
°
～3
°
设置。
[0013]在其中一个实施例中，所述晶圆吸附面的外侧边缘垂直延伸形成晶圆限位槽，所述晶圆限位槽的深度小于晶圆的厚度。
[0014]在其中一个实施例中，所述晶圆吸附面的内侧边缘设有避空倒角，所述避空倒角通过倒直角或倒圆角形成。
[0015]在其中一个实施例中，所述抽真空腔为槽宽0.5～2mm的弧形槽，所述晶圆吸附孔采用直径0.5mm的圆形吸附孔；所述晶圆限位槽的深度为0.3～ 0.32mm，所述避空倒角为C0.5mm倒角。
[0016]在其中一个实施例中，所述转接部自所述吸盘的中部沿径向向外延伸而出，所述
转接部包括转接杆及抽气孔，所述抽气孔沿所述转接杆的轴向开设且与所述抽真空腔连通。
[0017]在其中一个实施例中，所述转接杆的外径设为6.4mm，长度为30～ 60mm；所述抽气孔为φ1.5mm～φ4mm。
[0018]本申请的晶圆吸附装置至少具有以下有益效果：本申请的晶圆吸附装置中，通过吸附晶圆正面的非图形区域进行晶圆转移，既可以减少镊子对边缘的损伤，又可以避免真空吸笔头对图形区域造成脏污、损伤等问题，可适用于各种晶圆的吸附。
附图说明
[0019]图1本申请一实施例的晶圆吸附装置的立体结构示意图；
[0020]图2为图1的晶圆吸附装置另一角度的分解结构示意图；
[0021]图3为晶圆的结构示意图。
[0022]图中各元件标号如下：
[0023]吸盘10(其中，抽真空腔11、晶圆吸附面12、晶圆吸附孔13、晶圆限位槽14、内壁15、避空倒角16、封接板17)；
[0024]转接部20(其中，抽气孔21、转接杆22)；
[0025]晶圆吸附装置100；
[0026]晶圆200(其中，图形区域210、非图形区域220)。
具体实施方式
[0027]以下结合说明书附图及具体实施例对本申请技术方案做进一步的详细阐述。
[0028]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本申请的实现方式。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0029]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0030]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0031]为解决不便由于不方便从晶圆背面进行吸附，而采用镊子夹住晶圆边缘又会造成晶圆边缘损伤的问题，本申请提供一种晶圆吸附装置。请参阅图1和图 2，本申请实施例的晶圆吸附装置100包括吸盘10及自吸盘10延伸而出的转接部20，从而对如图3中所示的晶圆200从正面的边缘进行吸附。更具体地，吸盘10通过转接部20连接至吸笔杆，通过吸笔杆与真空装置进行连接，吸盘10对晶圆200中间的图形区域210外围的非图形区域220进行吸附，
从而拾取晶圆200。
[0032]吸盘10中设有抽真空腔11，真空腔11的一侧形成有用于贴合于非图形区域220的一侧的晶圆吸附面12，抽真空腔11的另一侧设有用于密封的封接板17。封接板17可用真空密封胶粘接在吸盘10的背面，封住抽真空腔11。晶圆吸附面12为平面且呈扇环形，与晶圆200的非图形区域220中大缺角对面完整弧形段的形状相匹配。与之对应地，抽真空腔11为圆弧形槽。
[0033]晶圆吸附面12的外侧直径略大于晶圆200的外径，晶圆吸附面12的内侧直径略大于晶圆200的图形区域210的外径，从而可正好贴附在晶圆200的非图形区域220。晶圆吸附面12上开设有多个晶圆吸附孔13，晶圆吸附孔13连通抽真空腔11与晶圆吸附面12的外侧，从而对贴合在晶圆吸附面12的与晶圆200的非图形区域220进行吸附。
[0034]在一些实施例中，晶圆吸附面12为扇环形，其对应的圆心角为125
°
～ 150
°
，相邻的晶圆吸附孔13之间的设置间隔为2.5
°
～3
°
。
[0035]晶圆吸附面12的外侧边缘垂直延伸形成晶圆限位槽14，晶圆限位槽14 的深度小于晶圆200的厚度。晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆吸附装置(100)，其特征在于，包括：吸盘(10)，用于吸附晶圆(200)的非图形区域(220)，所述吸盘(10)中设有抽真空腔(11)，所述抽真空腔(11)的一侧形成有晶圆吸附面(12)，所述晶圆吸附面(12)上开设有多个晶圆吸附孔(13)，所述晶圆吸附孔(13)连通所述抽真空腔(11)与所述晶圆吸附面(12)的外侧；及转接部(20)，用于将所述抽真空腔(11)与真空装置连接；其中，所述晶圆吸附面(12)与晶圆(200)的边缘的非图形区域(220)的形状匹配。2.根据权利要求1所述的晶圆吸附装置，其特征在于：所述晶圆吸附面(12)为呈扇环形的平面，且与非图形区域(220)的弧形段的形状相匹配。3.根据权利要求2所述的晶圆吸附装置，其特征在于：所述晶圆吸附面(12)的外侧直径大于晶圆(200)的外径，所述晶圆吸附面(12)的内侧直径大于晶圆(200)的图形区域(210)的外径。4.根据权利要求2所述的晶圆吸附装置，其特征在于：所述晶圆吸附面(12)对应的圆心角为125
°
～150
°
，所述晶圆吸附孔(13)在所述晶圆吸附面(12)上间隔2.5
...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤乔银，梁琦，王鹏，詹雯慧，赵旭，朱梦琴，
申请(专利权)人：睿创微纳无锡技术有限公司，
类型：新型
国别省市：