本申请公开了一种粉末处理装置及粉末处理方法，该及粉末处理装置包括第一筒体、第二筒体和进气部；其中，所述第一筒体和所述第二筒体之间形成第一腔室，且所述第一腔室能绕第一轴线旋转；所述第一腔室内部设置有多个肋板，将所述第一腔室分隔为多个相互连通的第一子腔室，所述第一子腔室用于放置粉末；所述进气部和每个所述第一子腔室相连通。本申请提供的粉末处理装置及粉末处理方法，能够提高镀膜效率、镀膜均匀性和镀膜良率。镀膜均匀性和镀膜良率。镀膜均匀性和镀膜良率。
【技术实现步骤摘要】
粉末处理装置及粉末处理方法
[0001]本申请涉及真空镀膜
，特别是涉及一种粉末处理装置及粉末处理方法。
技术介绍
[0002]本部分的描述仅提供与本说明书公开相关的背景信息，而不构成现有技术。
[0003]粉体颗粒表面功能化是材料表面工程技术的重要组成部分，尤其对提高颗粒的原有性能具有重要意义。通过在粉体颗粒表面包覆层，即镀膜，可实现对粉体颗粒的表面功能化。现有技术中，一般采用机械搅拌融合法、化学溶液反应法、或气相反应法进行粉体镀膜。其中气相反应法主要包括原子层沉积法ALD、化学气相沉积法CVD、以及分子层沉积法MLD。
[0004]其中，采用原子层沉积法ALD的粉末表面包覆设备的膜厚均匀性及工艺可控性较好，性能优越，且膜厚可控制在纳米级别，在微粉行业优势尤为突出。目前采用原子层沉积法ALD的粉末表面包覆设备普遍采用固定腔体结构或可旋转腔体结构。
[0005]然而现有采用原子层沉积法ALD的粉末表面包覆设备的腔体结构设计较为简洁，大多数采用时间型控制结构，即在不同的时间段内向腔体内通入不同的气体，在同一时间段内向腔体内通入同一种气体。该设备的量产产能低、效率低，粉末镀膜均匀性较差。
[0006]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本说明书的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本说明书的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
[0007]本申请主要解决的技术问题是提供一种粉末处理装置及粉末处理方法，能够提高镀膜效率、镀膜均匀性和镀膜良率。
[0008]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种粉末处理装置，包括第一筒体、第二筒体和进气部；
[0009]其中，所述第一筒体和所述第二筒体之间形成第一腔室，且所述第一腔室能绕第一轴线旋转；所述第一腔室内部设置有多个肋板，将所述第一腔室分隔为多个相互连通的第一子腔室，所述第一子腔室用于放置粉末；所述进气部和每个所述第一子腔室相连通。
[0010]进一步地，所述第一筒体和所述第二筒体的中心轴线重合，均为所述第一轴线，所述第一轴线沿水平方向延伸。
[0011]进一步地，所述肋板的延伸方向与所述第一筒体的径向具有预定夹角；在所述第一筒体的周向上，所述第一腔室的旋转方向和所述肋板的延伸方向相反。
[0012]进一步地，所述粉末处理装置还包括：
[0013]第三筒体，所述第三筒体和所述第二筒体之间形成第二腔室，所述第二腔室能和所述第一腔室绕所述第一轴线同步旋转；所述第二腔室内部设置有多个隔板，将所述第二腔室分隔为多个独立的第二子腔室；所述进气部和每个所述第二子腔室相连通，所述进气部输送的气体通过所述第二子腔室和所述第二筒体进入所述第一子腔室。
[0014]进一步地，所述肋板与所述第一筒体的外壁相连，且所述肋板与所述第二筒体的内壁之间具有间隙，所述隔板的两端分别与所述第三筒体的内壁、所述第二筒体的外壁相连。
[0015]进一步地，所述第一子腔室与所述第二子腔室一一对应；所述进气部包括多个进气口，每个所述第二子腔室对应一个所述进气口，相邻所述进气口向所述第二子腔室内通入的气体不同。
[0016]进一步地，所述第二筒体和所述第一筒体均设有滤网，所述滤网的滤孔直径小于所述粉末的直径。
[0017]进一步地，所述第一筒体内形成第三腔室；所述粉末处理装置还包括：
[0018]抽气机构，所述抽气机构与所述第三腔室相连通，用于抽出所述第三腔室内的气体。
[0019]进一步地，所述粉末处理装置还包括：
[0020]转轴，所述第三筒体、所述第二筒体和所述第一筒体均和所述转轴固定相连，所述转轴能带动所述第三筒体、所述第二筒体和所述第一筒体一同绕所述转轴的中心轴线旋转；
[0021]机架，包括固定相连的底座和安装部，所述安装部用于安装所述转轴；
[0022]轴承，位于所述安装部和所述转轴之间。
[0023]进一步地，所述粉末处理装置还包括旋转接头，所述旋转接头沿所述转轴的轴向设置在所述转轴相对的两端。
[0024]进一步地，所述粉末处理装置还包括端面法兰，所述端面法兰沿所述第一筒体的轴向设置在所述第一筒体相对的两端，所述端面法兰分别和所述第一筒体、所述第二筒体和所述第三筒体固定相连。
[0025]本申请采用的另一个技术方案是：提供一种粉末处理方法，所述粉末处理方法采用如上任一实施方式所述的粉末处理装置，所述粉末处理方法包括：
[0026]将粉末放置于所述第一子腔室内；
[0027]所述第一腔室绕第一轴线旋转，同时所述粉末落入不同的所述第一子腔室内，所述粉末在不同的所述第一子腔室内分别与气体反应。
[0028]进一步地，所述气体通过第二子腔室和第二筒体进入所述第一子腔室，相邻所述第一子腔室内通入的气体不同，在相邻所述第一子腔室内的所述粉末分别与不同的气体反应。
[0029]区别于现有技术的情况，本申请的有益效果是：本申请实施方式提供的粉末处理装置，通过设置第一筒体和第二筒体形成第一腔室，第一腔室被肋板分隔成多个相互连通的第一子腔室，粉末放置在第一子腔室，且第一腔室能够绕第一轴线旋转，从而粉末可以落入不同的第一子腔室内，可以优化镀膜效果，提高镀膜均匀性。该粉末处理装置还设有和每个第一子腔室相连通的进气部，从而气体可以从进气部进入各个第一子腔室和粉末反应，能够提高镀膜效率、镀膜均匀性和镀膜良率。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使
用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
[0031]图1为本实施方式中所提供的一种粉末处理装置的结构示意图；
[0032]图2为图1中A
‑
A面的剖面示意图。
[0033]附图标记说明：
[0034]1、第一筒体；2、第二筒体；3、第三筒体；4、隔板；5、肋板；6、滤网；7、端面法兰；8、转轴；9、旋转接头；10、机架；11、底座；12、安装部；13、轴承；14、第二腔室；141、第二子腔室；15、第一腔室；151、第一子腔室；16、第三腔室；17、第一轴线；18、进气部；18a、第一进气口；18b、第二进气口；18c、第三进气口；18d、第四进气口；19、粉末。
具体实施方式
[0035]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0036]需要说明的是，当元件被称为“设置于”另本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种粉末处理装置，其特征在于，包括第一筒体、第二筒体和进气部；其中，所述第一筒体和所述第二筒体之间形成第一腔室，且所述第一腔室能绕第一轴线旋转；所述第一腔室内部设置有多个肋板，将所述第一腔室分隔为多个相互连通的第一子腔室，所述第一子腔室用于放置粉末；所述进气部和每个所述第一子腔室相连通。2.根据权利要求1所述的粉末处理装置，其特征在于，所述第一筒体和所述第二筒体的中心轴线重合，均为所述第一轴线，所述第一轴线沿水平方向延伸。3.根据权利要求1所述的粉末处理装置，其特征在于，所述肋板的延伸方向与所述第一筒体的径向具有预定夹角；在所述第一筒体的周向上，所述第一腔室的旋转方向和所述肋板的延伸方向相反。4.根据权利要求1所述的粉末处理装置，其特征在于，还包括：第三筒体，所述第三筒体和所述第二筒体之间形成第二腔室，所述第二腔室能和所述第一腔室绕所述第一轴线同步旋转；所述第二腔室内部设置有多个隔板，将所述第二腔室分隔为多个独立的第二子腔室；所述进气部和每个所述第二子腔室相连通，所述进气部输送的气体通过所述第二子腔室和所述第二筒体进入所述第一子腔室。5.根据权利要求4所述的粉末处理装置，其特征在于，所述肋板与所述第一筒体的外壁相连，且所述肋板与所述第二筒体的内壁之间具有间隙，所述隔板的两端分别与所述第三筒体的内壁、所述第二筒体的外壁相连。6.根据权利要求4所述的粉末处理装置，其特征在于，所述第一子腔室与所述第二子腔室一一对应；所述进气部包括多个进气口，每个所述第二子腔室对应一个所述进气口，相邻所述进气口向所述第二子腔室内通入的气体不同。7.根据权利要求4所述的粉末处理装置，其特征在于，所述第二筒体和所述第一筒体...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志嵩，左敏，李翔，赵昂璧，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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