用于发光芯片制程的基板制造技术

本实用新型专利技术公开一种用于发光芯片制程的基板，包括生长衬底、生长在生长衬底上的缓冲层以及生长在缓冲层背离生长衬底的一面上的外延层，缓冲层的厚度大于或等于100nm，外延层的厚度小于或等于8um，通过增加缓冲层的厚度，同时控制外延层的厚度较小，使得基板的Bow值较低，在后续的制程，如研磨抛光生长衬底以减薄生长衬底的过程中，基板不容易发生裂片。基板不容易发生裂片。基板不容易发生裂片。

【技术实现步骤摘要】
用于发光芯片制程的基板


[0001]本技术涉及显示
，具体涉及一种用于发光芯片制程的基板。

技术介绍

[0002]在发光芯片的一些生产制程中，会先在生长衬底上生长出缓冲层，然后再在缓冲层背离生长衬底的一面外延生长出外延层，获得用于制作发光芯片的基板。为了减小所制成的发光芯片的厚度，往往是通过研磨、抛光生长衬底背离外延层的一面，将生长衬底的厚度减小至目标厚度。
[0003]基板的Bow值(衬底弯曲度)大小会影响研磨抛光过程，Bow值越大，在研磨抛光过程中基板越容易发生裂片，因此，需要控制基板的Bow值，来降低研磨抛光过程基板裂片的风险。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种Bow值低的用于发光芯片制程的基板。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了一种用于发光芯片制程的基板，包括生长衬底、生长在所述生长衬底上的缓冲层以及生长在所述缓冲层背离所述生长衬底的一面上的外延层，所述缓冲层的厚度大于或等于100nm，所述外延层的厚度小于或等于8um。
[0006]在一些实施例中，所述基板的Bow值小于或等于35um。
[0007]在一些实施例中，所述外延层设有多个用于容纳色转换材料的孔洞。
[0008]在一些实施例中，所述外延层可与电解液发生电化学反应，以通过电化学腐蚀法形成所述孔洞。
[0009]在一些实施例中，所述生长衬底的厚度大于或等于800um；或，所述生长衬底的厚度小于或等于200um。
[0010]在一些实施例中，所述生长衬底为蓝宝石衬底，所述缓冲层为AlN层，所述外延层为GaN层。
[0011]在一些实施例中，所述缓冲层包括交替层叠的AlN层和GaN层。
[0012]在一些实施例中，所述缓冲层的AlN层的层数比所述缓冲层的GaN层的层数多一层。
[0013]在一些实施例中，所述缓冲层包括依次生长在所述生长衬底上的AlN层、GaN层、AlN层、GaN层及AlN层。
[0014]在一些实施例中，所述缓冲层为采用物理气相沉积法和/或氢化物气相外延法生长在所述生长衬底上，所述外延层为采用氢化物气相外延法生长在所述缓冲层背离所述生长衬底的一面上。
[0015]本技术提供的用于发光芯片制程的基板，缓冲层的厚度大于或等于100nm，外延层的厚度小于或等于8um，通过增加缓冲层的厚度，同时控制外延层的厚度较小，使得基板的Bow值较低，在后续的制程，基板不容易发生裂片。
附图说明
[0016]图1是本技术一实施例用于发光芯片制程的基板的结构示意图；
[0017]图2是本技术另一实施例用于发光芯片制程的基板的结构示意图；
[0018]图3是本技术又一实施例用于发光芯片制程的基板的结构示意图。
具体实施方式
[0019]为详细说明本技术的内容、构造特征、所实现目的及效果，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1，如图1所示，本技术的用于发光芯片制程的基板100包括生长衬底1、生长在生长衬底1上的缓冲层2以及生长在缓冲层2背离生长衬底1的一面上的外延层3，缓冲层2的厚度大于或等于100nm，外延层3的厚度小于或等于8um。通过增加缓冲层2的厚度，同时控制外延层3的厚度较小，使得基板100的Bow值较低，最终，基板100的Bow值小于或等于35um。
[0021]以下，结合附图对本技术实施例的技术方案进行详细说明：
[0022]在一些实施例中，外延层3用于在后续制程中形成孔洞，以用于容纳色转换材料，如量子点、荧光粉等，从而利用色转换材料将发光结构发出的第一光色转换成目标光色发出。当然，外延层3也可以是应用于后续制程无需设置孔洞的情形。
[0023]在一些外延层3用于形成孔洞的实施例中，外延层3可与电解液发生电化学反应，以通过电化学腐蚀法形成孔洞。在这些实施例中，所形成的孔洞为纳米级的孔洞，且孔洞为不规则结构，数目巨多。例如，外延层3为掺杂有例如硅(Si)等的N
‑
GaN层，可以在特定的通电电压下与电解液发生电化学反应，形成孔洞。
[0024]在一些实施例中，所述外延层3设有多个用于容纳色转换材料的孔洞4，孔洞4在缓冲层2处停止，并暴露在外延层3背离缓冲层2的一面，如图2所示，以便在孔洞4填充色转换材料。
[0025]在一些实施例中，本技术的基板100可以设置在发光结构的出光侧，例如，设置在包括有若干发光芯片的晶圆的一侧，在填充色转换材料之后，可以将发光芯片发出的第一光色转换成目标光色发出，例如，将发光芯片发出的蓝光转换成红光发出。在将本技术的基板100设置在发光结构的出光侧之后，可以沿发光芯片之间的间隙分割，获得包含有色转换材料的单颗芯片，也可以将设有基板100的发光结构整体使用。
[0026]在一些实施例中，生长衬底1已经过减薄，生长衬底1的厚度小于或等于200um，优选为小于100um，以使得基板100的整体厚度较薄。
[0027]在一些实施例中，生长衬底1未经过减薄，生长衬底1的厚度大于或等于800um。设置生长衬底1的厚度较大，使得生长缓冲层2、外延层3之后生长衬底1的翘曲度较小，获得的基板100的Bow值较低，在后续工序研磨抛光生长衬底1以减薄生长衬底1的过程中，基板100不容易发生裂片。
[0028]在一个实施例中，生长衬底1的厚度为800um，缓冲层2的厚度为200nm，外延层3的
厚度为5um。生长衬底1为蓝宝石衬底，缓冲层2为AlN(氮化铝)缓冲层，外延层3为GaN(氮化镓)层。最终，基板100的Bow值在20um以下。
[0029]其中，缓冲层2为采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)生长在生长衬底1上，通过PVD可以在生长衬底1上生长出足够厚度的缓冲层2，外延层3为采用氢化物气相外延法(Hydride Vapor Phase Epitaxy，HVPE)生长在缓冲层2背离生长衬底1的一面上。
[0030]在一个实施例中，生长衬底1的厚度为800um，缓冲层2的厚度为100nm，外延层3的厚度为8um。生长衬底1为蓝宝石衬底，缓冲层2为AlN缓冲层，外延层3为GaN层。最终，基板100的Bow值在35um以下。
[0031]其中，缓冲层2为采用PVD生长在生长衬底1上，通过PVD可以在生长衬底1上生长出足够厚度的缓冲层2，外延层3为采用氢化物气相外延法(Hydride Vapor Phase Epitaxy，HVPE)生长在缓冲层2背离生长衬底1的一面上。
[0032]在一个实施例中，缓冲层2包括交替本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于发光芯片制程的基板，其特征在于，包括：生长衬底；生长在所述生长衬底上的缓冲层，所述缓冲层的厚度大于或等于100nm；以及生长在所述缓冲层背离所述生长衬底的一面上的外延层，所述外延层的厚度小于或等于8um。2.如权利要求1所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述基板的Bow值小于或等于35um。3.如权利要求1所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述外延层设有多个用于容纳色转换材料的孔洞。4.如权利要求3所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述外延层可与电解液发生电化学反应，以通过电化学腐蚀法形成所述孔洞。5.如权利要求1所述的用于发光芯片制程的基板，其特征在于，所述生长衬底的厚度大于或等于800um；或，所述生长衬底的厚度小于或等于200um。6.如权利要求1所述的用...

【专利技术属性】
技术研发人员：王帅，任俊杰，李洛，
申请(专利权)人：东莞市中镓半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：