一种低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃及其制作方法，其中，该低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，还包括从内向外依次层叠在玻璃基片表面上的第一电介质层、第一阻挡层、第一功能层、第二功能层、第二阻挡层、第二电介质层、第三功能层、第三阻挡层和第三电介质层；所述第一功能层和/或所述第三功能层为银和氮化银的复合层。本发明专利技术技术方案通过采用上述膜层结构，减少了低辐射镀膜玻璃对周围的光污染，可见光室外反射率15

【技术实现步骤摘要】
一种低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃及其制作方法


[0001]本专利技术涉及镀膜玻璃
，具体为一种低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃及其制作方法。

技术介绍

[0002]玻璃由于其良好的热学性能被广泛的应用。其中金色幕墙玻璃在整个幕墙颜色选色中也占有一席之地。金色幕墙普遍是高反低透，一般用于酒店或者地表等需要宣传的建筑上。但是越来越严格的节能政策的颁布，普通的低辐射镀膜玻璃已经不能满足许多地区对玻璃节能方面的需求，特别是为了减少光污染，按照最新的国家标准，现在所有的墙窗玻璃反射率必须控制在30％以下。目前市场上很多高反低透金色LOW
‑
E玻璃已不满足目前国家政策要求。
[0003]现有技术的镀膜玻璃大多为高反射率低透过率，反射高不符合政策要求。镀膜玻璃的反射和透过往往成反比，也就是说反射高时透过低，反射低时透过高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的是提供一种低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃，旨在解决现有技术中的镀膜玻璃高反射率低透过率的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提出的低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片；还包括从内向外依次层叠在所述玻璃基片表面上的第一电介质层、第一阻挡层、第一功能层、第二功能层、第二阻挡层、第二电介质层、第三功能层、第三阻挡层和第三电介质层；所述第一功能层和/或所述第三功能层为银和氮化银的复合层。
[0006]可选地，所述第一电介质层、所述第二电介质层或所述第三电介质层选自氮化硅层、氮化锆层、氧化锆层、氧化钛层、氧化锡层、氧化铋层或氧化锌层中的至少一种。
[0007]可选地，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层或所述第三阻挡层选自镍铬合金层、铬层、不锈钢层、氮化镍铬合金层或氮化铬层中的至少一种。
[0008]可选地，所述第二功能层选自铜层、氮化铜层或铜与氮化铜的复合层中的至少一种。
[0009]可选地，所述第一电介质层和所述第二电介质层均包括第一氮化硅层和氧化锌层；
[0010]或，所述第一电介质层和所述第二电介质层均包括第一氮化硅层和氧化锡层。
[0011]可选地，所述第三电介质层包括第二氮化硅层和氧化锆层。
[0012]可选地，所述第一功能层的厚度为7nm
‑
9nm；
[0013]和/或，所述第二功能层的厚度为1.5nm
‑
3nm；
[0014]和/或，所述第三功能层的厚度为8nm
‑
10nm；
[0015]和/或，所述第一电介质层的厚度为20nm
‑
25nm；
[0016]和/或，所述第二电介质层的厚度为48nm
‑
55nm；
[0017]和/或，所述第三电介质层的厚度为40nm
‑
46nm；
[0018]和/或，所述第一阻挡层的厚度为1nm
‑
2nm；
[0019]和/或，所述第二阻挡层的厚度为2nm
‑
3nm；
[0020]和/或，所述第三阻挡层的厚度为10nm
‑
13nm。
[0021]本专利技术还提出一种低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃的制作方法，包括以下步骤：提供玻璃基片，在所述玻璃基片上真空溅射所述第一电介质层；在所述第一电介质层上真空溅射第一阻挡层；在所述第一阻挡层上真空溅射第一功能层；在所述第一功能层上真空溅射第二功能层；在所述第二功能层上真空溅射第二阻挡层；在所述第二阻挡层上真空溅射第二电介质层；在所述第二电介质层上真空溅射第三功能层；在所述第三功能层上真空溅射第三阻挡层；在所述第三阻挡层上真空溅射第三电介质层；在所述第一阻挡层上真空溅射第一功能层步骤和在所述第二电介质层上真空溅射第三功能层步骤包括以下步骤：溅射银和氮化银的复合层，采用第一氩氮混合气体作为工作气体。
[0022]可选地，在所述第一功能层上真空溅射第二功能层步骤中包括以下步骤：真空溅射铜层、氮化铜层或铜与氮化铜的复合层，采用氩气或第二氩氮混合气体作为工作气体。
[0023]可选地，在所述玻璃基片上真空溅射所述第一电介质层步骤、在所述第二阻挡层上真空溅射第二电介质层步骤和在所述第三阻挡层上真空溅射第三电介质层步骤中包括以下步骤：真空溅射沉积氮化硅层、氮化锆层、氧化锆层、氧化钛层、氧化锡层、氧化铋层或氧化锌层中的至少一种；所述氮化硅层、氮化锆层采用第三氩氮混合气体作为工作气体；所述氧化锆层、氧化钛层、氧化锡层、氧化铋层和氧化锌层采用氩氧混合气体作为工作气体。
[0024]可选地，在所述第一电介质层上真空溅射第一阻挡层步骤、在所述第二功能层上真空溅射第二阻挡层步骤和在所述第三功能层上真空溅射第三阻挡层步骤包括以下步骤：真空溅射沉积镍铬合金层、铬层、不锈钢层、氮化镍铬合金层或氮化铬层中的至少一种；所述镍铬合金层、所述铬层、所述不锈钢层、所述氮化镍铬合金层和所述氮化铬层采用氩气或第四氩氮混合气体作为工作气体。
[0025]本专利技术技术方案通过采用上述膜层结构，减少了低辐射镀膜玻璃对周围的光污染，可见光室外反射率15
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20％，辐射率在0.07
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0.09，有良好的节能性能。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0027]图1为本专利技术一种低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃一实施例的结构示意图。
[0028]附图标记说明：
[0029]1、玻璃基片；2、第一电介质层；3、第一阻挡层；4、第一功能层；5、第二功能层；6、第二阻挡层；7、第二电介质层；8、第三功能层；9、第三阻挡层；10、第三电介质层。
[0030]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0031]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0033]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片；其特征在于，还包括从内向外依次层叠在所述玻璃基片表面上的第一电介质层、第一阻挡层、第一功能层、第二功能层、第二阻挡层、第二电介质层、第三功能层、第三阻挡层和第三电介质层；所述第一功能层和/或所述第三功能层为银和氮化银的复合层。2.如权利要求1所述的低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一电介质层、所述第二电介质层或所述第三电介质层选自氮化硅层、氮化锆层、氧化锆层、氧化钛层、氧化锡层、氧化铋层或氧化锌层中的至少一种。3.如权利要求1所述的低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一阻挡层、所述第二阻挡层或所述第三阻挡层选自镍铬合金层、铬层、不锈钢层、氮化镍铬合金层或氮化铬层中的至少一种。4.如权利要求1所述的低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第二功能层选自铜层、氮化铜层或铜与氮化铜的复合层中的至少一种。5.如权利要求2所述的低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一电介质层和所述第二电介质层均包括第一氮化硅层和氧化锌层；或，所述第一电介质层和所述第二电介质层均包括第一氮化硅层和氧化锡层。6.如权利要求2所述的低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第三电介质层包括第二氮化硅层和氧化锆层。7.如权利要求1至6中任一项所述的低反射率低透过率低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一功能层的厚度为7nm
‑
9nm；和/或，所述第二功能层的厚度为1.5nm
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3nm；和/或，所述第三功能层的厚度为8nm
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10nm；和/或，所述第一电介质层的厚度为20nm
‑
25nm；和/或，所述第二电介质层的厚度为48nm
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55nm；和/或，所述第三电介质层的厚度为40nm
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46nm；和/或，所述第一阻挡层的厚度为1nm
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2nm；和/或，所述第二阻挡层的厚度为2nm
‑
3nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：史建国，
申请(专利权)人：天津旗滨节能玻璃有限公司，
类型：发明
国别省市：