湿法刻蚀装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种湿法刻蚀装置，包括：反应腔，用于对晶圆进行湿法刻蚀，所述反应腔的底部开设有排气孔；盖板，盖合于所述反应腔的顶部以与反应腔形成密闭腔室，所述盖板上开设有呈均匀分布的进气孔；供气管路，通过所述进气孔与所述反应腔连通，以向所述反应腔内输送气体；排气管路，通过所述排气孔与所述反应腔连通，所述排气管路与所述供气管路通过所述反应腔形成气流通路，以将所述湿法刻蚀产生的废气抽走。具体的，通过设置供气管路和排气管路在反应腔内形成气流通路，能够快速将湿法刻蚀产生的废气抽走，提高湿法刻蚀的安全性，同时还能够避免气体在晶圆表面形成气泡后导致化学药剂与晶圆表面接触不充分的问题，进而保证刻蚀的均匀性。刻蚀的均匀性。刻蚀的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
湿法刻蚀装置


[0001]本专利技术涉及半导体生产
，尤其涉及一种湿法刻蚀装置。

技术介绍

[0002]湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用化学药剂与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。湿法刻蚀在半导体的磨片、抛光、清洗等工艺中有着广泛应用。
[0003]化学药剂与晶圆表面的刻蚀材料发生化学反应后会产生酸性或碱性的废气，由于湿法过程中伴有放热，如果不及时抽中废气的话存在爆炸的安全风险。此外，气体在晶圆表面形成气泡后也会导致化学药剂与晶圆表面接触不充分，进而导致刻蚀不均匀，容易影响后续的光刻制程，甚至影响晶圆的良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种湿法刻蚀装置，能够快速将湿法刻蚀产生的废气抽走，提高湿法刻蚀的安全性，同时还能够避免气体在晶圆表面形成气泡后导致化学药剂与晶圆表面接触不充分的问题，进而保证刻蚀的均匀性。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种湿法刻蚀装置，包括：
[0006]反应腔，用于对晶圆进行湿法刻蚀，所述反应腔的底部开设有若干排气孔；
[0007]盖板，盖合于所述反应腔的顶部以与所述反应腔形成密闭腔室，所述盖板上开设有呈均匀分布的若干进气孔；
[0008]供气管路，通过所述进气孔与所述反应腔连通，以向所述反应腔内输送气体；
[0009]排气管路，通过所述排气孔与所述反应腔连通，所述排气管路与所述供气管路通过所述反应腔形成气流通路，以将所述湿法刻蚀产生的废气抽走。
[0010]可选的，所述反应腔内还设有旋转平台及喷嘴，所述旋转平台用于放置所述晶圆并带动所述晶圆旋转，所述喷嘴位于所述晶圆的上方并用于向所述晶圆喷射化学药剂。
[0011]可选的，所述化学药剂的温度介于70℃
‑
200℃。
[0012]可选的，所述化学药剂为氢氟酸。
[0013]可选的，所述进气孔在所述盖板上呈矩形阵列或环形阵列的方式分布。
[0014]可选的，所述供气管路通过所述进气孔向所述晶圆的表面垂直喷射所述气体。
[0015]可选的，所述气体为干燥的空气。
[0016]可选的，所述气体为氮气。
[0017]可选的，所述湿法刻蚀装置还包括送风机，所述送风机与供气管路相连通。
[0018]可选的，所述湿法刻蚀装置还包括抽气泵，所述抽气泵与排气管路相连通。
[0019]本专利技术提供了一种湿法刻蚀装置，包括：反应腔，用于对晶圆进行湿法刻蚀，所述反应腔的底部开设有排气孔；盖板，盖合于所述反应腔的顶部以与反应腔形成密闭腔室，所
述盖板上开设有呈均匀分布的进气孔；供气管路，通过所述进气孔与所述反应腔连通，以向所述反应腔内输送气体；排气管路，通过所述排气孔与所述反应腔连通，所述排气管路与所述供气管路通过所述反应腔形成气流通路，以将所述湿法刻蚀产生的废气抽走。本专利技术提供湿法刻蚀装置至少具有以下有益效果之一：
[0020]1)通过设置供气管路和排气管路在反应腔内形成气流通路，能够快速将湿法刻蚀产生的废气抽走，提高湿法刻蚀的安全性；
[0021]2)能够避免湿法刻蚀产生的废气在晶圆表面形成气泡后导致化学药剂与晶圆表面接触不充分的问题，进而提高刻蚀的均匀性；
[0022]3)通过在所述盖板上开设有呈均匀分布的若干进气孔，能够进一步提高气流的均匀性，从而提高化学药剂在晶圆表面的刻蚀均匀性。
附图说明
[0023]本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本专利技术，而不对本专利技术的范围构成任何限定。其中：
[0024]图1为本专利技术实施例提供的湿法刻蚀装置的结构示意图；
[0025]图2为本专利技术实施例提供的盖板的结构示意图。
[0026]附图中：
[0027]1‑
反应腔；2
‑
晶圆；3
‑
盖板；4
‑
进气孔；5
‑
供气管路；6
‑
排气管路；7
‑
旋转平台；8
‑
喷嘴；9
‑
送风机；10
‑
抽气泵。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
[0029]如在本专利技术中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，除非内容另外明确指出外。如在本专利技术中所使用的，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。如在本专利技术中所使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。如在本专利技术中所使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，除非内容另外明确指出外。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征。
[0030]请参照图1
‑
图2，图1为本专利技术实施例提供的湿法刻蚀装置的结构示意图；
[0031]图2为本专利技术实施例提供的盖板的结构示意图。本实施例提供了一种湿法刻蚀装置，包括：
[0032]反应腔1，用于对晶圆2进行湿法刻蚀，所述反应腔1的底部开设有若干排气孔；
[0033]盖板3，盖合于所述反应腔1的顶部以与所述反应腔1形成密闭腔室，所述盖板3上开设有呈均匀分布的若干进气孔4；
[0034]供气管路5，通过所述进气孔4与所述反应腔1连通，以向所述反应腔1内输送气体；
[0035]排气管路6，通过所述排气孔与所述反应腔1连通，所述排气管路6与所述供气管路5通过所述反应腔1形成气流通路，以将所述湿法刻蚀产生的废气抽走。
[0036]具体的，通过设置供气管路5和排气管路6在所述反应腔1内形成气流通路，能够快速将湿法刻蚀产生的废气抽走，提高湿法刻蚀的安全性，同时还能够避免气体在晶圆2表面形成气泡后导致化学药剂与晶圆2表面接触不充分的问题，进而保证刻蚀的均匀性。此外，所述盖板3上开设有呈均匀分布的若干进气孔4，能够进一步提高气流的均匀性，从而提高化学药剂在晶圆2表面的刻蚀均匀性。
[0037]具体的，本实施例中，所述反应腔1内还设有旋转平台7及喷嘴8，所述旋转平台7用于放置所述晶圆2并带动所述晶圆2旋转，所述喷嘴8位于所述晶圆2的上方并用于向所述晶圆2喷射化学药剂。所述旋转平台7能够沿顺时针或逆时针旋转，使得喷射到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀装置，其特征在于，包括：反应腔，用于对晶圆进行湿法刻蚀，所述反应腔的底部开设有若干排气孔；盖板，盖合于所述反应腔的顶部以与所述反应腔形成密闭腔室，所述盖板上开设有呈均匀分布的若干进气孔；供气管路，通过所述进气孔与所述反应腔连通，以向所述反应腔内输送气体；排气管路，通过所述排气孔与所述反应腔连通，所述排气管路与所述供气管路通过所述反应腔形成气流通路，以将所述湿法刻蚀产生的废气抽走。2.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述反应腔内还设有旋转平台及喷嘴，所述旋转平台用于放置所述晶圆并带动所述晶圆旋转，所述喷嘴位于所述晶圆的上方并用于向所述晶圆喷射化学药剂。3.如权利要求2所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，所述化学药剂的温度介于70℃
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【专利技术属性】
技术研发人员：贾丽丽，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：