一种真空镀膜设备制造技术

技术编号:35138986 阅读:37 留言:0更新日期:2022-10-05 10:14
本发明专利技术公开了一种真空镀膜设备,包括加热装置、载板装置、特气喷淋装置和工艺腔体,载板装置装载硅片,工艺腔体包括镀膜真空腔体一、镀膜真空腔体二和载板转换真空腔体,载板转换真空腔体连接在镀膜真空腔体一和镀膜真空腔体二之间,载板转换真空腔体用于硅片镀膜面的转换,工艺腔体的各真空腔体之间通过阀腔连接,本发明专利技术通过可双面镀膜的载板装置和载板转换真空腔体,实现了在一条密闭生产线上硅片双面镀膜的功能,并在镀膜过程中,硅片载板转换真空腔体实现硅片镀膜面的转换,硅片不再与大气接触,杜绝了空气中水蒸气、氧气、灰尘等因素对硅片性能的不良影响,提高了硅片的生产质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
一种真空镀膜设备


[0001]本专利技术属于光伏设备领域,涉及一种真空镀膜设备。

技术介绍

[0002]异质结太阳能电池制造工序的核心工艺包括薄膜沉积工艺,薄膜沉积工艺包括I型本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜等多道镀膜工艺。每一道镀膜工艺在工艺镀膜腔体中进行。
[0003]目前设备工艺镀膜生产线普遍采用单面镀膜的工艺,在硅片镀膜面和未镀膜面转换时,通过自动化翻面机构将硅片从载板上取出,对硅片翻面后再装载在载板上,进入后续镀膜工序。翻面时硅片与空气接触,空气中水蒸气、氧气、灰尘等会导致硅片后续性能下降。
[0004]另外目前设备工艺镀膜生产线通过多条生产线配合生产,并在生产线外增加自动化翻面机构对硅片进行翻面,因而出现设备占地空间大的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术为了克服现有技术的不足,提供一种真空镀膜设备。
[0006]为了实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案:一种真空镀膜设备,包括加热装置、载板装置、特气喷淋装置和工艺腔体,载板装置装载硅片,工艺腔体包括镀膜真空腔体一、镀膜真空腔体二和载板转换真空腔体,载板转换真空腔体连接在镀膜真空腔体一和镀膜真空腔体二之间,载板转换真空腔体用于硅片镀膜面的转换,工艺腔体的各真空腔体之间通过阀腔连接,镀膜真空腔体一、镀膜真空腔体二、载板转换真空腔体和阀腔形成硅片镀膜生产线。
[0007]进一步的,至少所述镀膜真空腔体一、镀膜真空腔体二和载板转换真空腔体其中之一由真空腔体构成,真空腔体包括腔体框架、前腔门组件和后腔门组件,前腔门组件和后腔门组件通过连接机构与腔体框架连接,前腔门组件和后腔门组件设置于腔体框架两侧,前腔门组件或/和后腔门组件设置为多腔门结构。
[0008]进一步的,所述腔体框架两侧设有隔板,隔板上设置有梁架,梁架设置有若干干泵对接法兰,前腔门组件和后腔门组件与腔体框架之间铰接。
[0009]进一步的,还包括传动结构,所述传动结构包括定位支撑机构、动力机构和定位机构,定位支撑机构包括齿条,齿条设置于载板装置,动力机构包括动力齿轮,齿条与动力齿轮啮合连接。
[0010]进一步的,还包括变距结构,所述变距结构包括变距动力组件、变距传动组件、伸缩组件和对接组件,变距动力组件与变距传动组件连接,变距传动组件与伸缩组件连接,伸缩组件与对接组件连接,变距动力组件通过变距传动组件、伸缩组件和对接组件控制载板装置移动。
[0011]进一步的,所述镀膜真空腔体一包括第一镀膜真空腔体和第二镀膜真空腔体,镀膜真空腔体二包括第三镀膜真空腔体和第四镀膜真空腔体,第一镀膜真空腔体和第二镀膜
真空腔体用于硅片一侧的镀膜,第三镀膜真空腔体和第四镀膜真空腔体用于硅片另一侧的镀膜。
[0012]进一步的,所述第一镀膜真空腔体、阀腔、第二镀膜真空腔体、阀腔、载板转换真空腔体、阀腔、第三镀膜真空腔体、阀腔、第四镀膜真空腔体依次连接形成载板装置的运行路径。
[0013]进一步的,所述定位支撑机构包括支架、支撑组件和支撑板,支撑板与载板装置连接,支撑组件设有若干,沿载板装置移动方向的若干支撑组件设置于支架,动力机构设有若干,沿载板装置移动方向的若干动力机构设置于真空腔体。
[0014]进一步的,所述动力机构包括电机组件、磁流体、联轴器、轴承座和动力转轴,轴承座设置于真空腔室,动力齿轮设置于动力转轴外表面,动力转轴通过联轴器与磁流体连接,磁流体与电机组件通过紧固机构连接,联轴器、动力齿轮、轴承座和动力转轴位于真空腔体内部,电机组件和磁流体位于真空腔体外部,磁流体的安装面与真空腔体的外表面连接。
[0015]进一步的,所述加热装置包括加热器和热源,工艺腔体还包括装载预热真空腔体和卸料散热真空腔体,装载预热真空腔体通过阀腔与第一镀膜真空腔体连接,卸料散热真空腔体通过阀腔与第四镀膜真空腔体连接,装载预热真空腔体、镀膜真空腔体一、镀膜真空腔体二和载板转换真空腔体设有一对加热器,一对加热器相对于设备中心线对称设置,热源设置于镀膜真空腔体一和镀膜真空腔体二的中心线,镀膜真空腔体一和镀膜真空腔体二内设置一对特气喷淋装置,一对特气喷淋装置相对于热源对称设置,装载预热真空腔体以及载板转换真空腔体沿真空腔体的中心线到真空腔体的腔外方向依次分布传动结构和加热器,镀膜真空腔体一和镀膜真空腔体二沿真空腔体的中心线到真空腔体的腔外方向依次分布热源、特气喷淋装置、传动结构和加热器。
[0016]综上所述,本专利技术的有益之处在于:
[0017]1)本专利技术通过可双面镀膜的载板装置和载板转换真空腔体,实现了在一条密闭生产线上硅片双面镀膜的功能,并在镀膜过程中,硅片载板转换真空腔体实现硅片镀膜面的转换,硅片不再与大气接触,杜绝了空气中水蒸气、氧气、灰尘等因素对硅片性能的不良影响,提高了硅片的生产质量。
[0018]2)本专利技术整体真空腔体以流水线形式分布,缩短载板装置的运行路径,同时不再需要额外增加自动化翻面机构进行硅片镀膜面的转换,降低了设备成本,节省了设备的占地面积,提高了客户场地的使用效率,达到设备工艺集成度高、设备运转效率高以及设备成本低的效果。
[0019]3)本专利技术将干泵对接法兰设置于梁架,不再干涉腔门的开启,提高了维保效率。
[0020]4)本专利技术通过多腔门的结构降低了单个腔门的质量,减小对铰链的负载,提升了铰链的使用寿命;同时降低了腔门的尺寸,进而降低了生产加工难度,提升腔门的强度和寿命,并使腔门具备更优的密封性能,能有效保障真空腔体的真空度,而且腔门打开占用的面积为现有结构的一半或更少,减小了设备的占用面积。
[0021]5)本专利技术将前腔门组件和后腔门组件同步开启,增大了设备维保空间,便于工作人员操作,提高维修效率。
[0022]6)本专利技术通过变距传动组件和伸缩组件对载板装置承载的硅片与特气喷淋装置或/和热源间距进行调整,调节的区间范围广,可满足不同硅片、不同工艺的间距需求,同时
实现间距自动调整的技术效果,提高生产效率,满足自动化流水线式生产的需求。
[0023]7)本专利技术通过伸缩组件的固定法兰与真空腔体外侧面的对接法兰设置连接,并在固定法兰和对接法兰之间设置密封圈,保证波纹管与真空腔体的密封性,移动法兰与变距传动组件连接实现载板装置沿轴向的往复运动,实现对硅片与特气喷淋装置或/和热源间距调节的效果。
[0024]8)本专利技术通过动力齿轮与齿条的啮合连接将动力机构的动力传递至载板装置,不仅提高了传动效率,而且载板装置在腔体内的运行位置与理论值差异小,有利于设备整体的精细化管理,动力齿轮与齿条的啮合位置位于载板装置的顶部,针对量产机,载板装置的运行稳定性得到提升,有效降低硅片碎片的风险。
[0025]9)本专利技术中齿条与定位轮采用卡槽连接,实现对载板装置的定位和支撑,使载板装置的定位不再依靠外形定位,提高了载板装置运行的定位精度,降低了整体加工件的加工难度,降低了设备成本。
[0026]10)本专利技术中沿载板装置移动方向的若干动力机构设置于真空腔本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜设备,其特征在于:包括加热装置、载板装置、特气喷淋装置和工艺腔体,载板装置装载硅片,工艺腔体包括镀膜真空腔体一、镀膜真空腔体二和载板转换真空腔体,载板转换真空腔体连接在镀膜真空腔体一和镀膜真空腔体二之间,载板转换真空腔体用于硅片镀膜面的转换,工艺腔体的各真空腔体之间通过阀腔连接,镀膜真空腔体一、镀膜真空腔体二、载板转换真空腔体和阀腔形成硅片镀膜生产线。2.根据权利要求1所述的一种真空镀膜设备,其特征在于:至少所述镀膜真空腔体一、镀膜真空腔体二和载板转换真空腔体其中之一由真空腔体构成,真空腔体包括腔体框架、前腔门组件和后腔门组件,前腔门组件和后腔门组件通过连接机构与腔体框架连接,前腔门组件和后腔门组件设置于腔体框架两侧,前腔门组件或/和后腔门组件设置为多腔门结构。3.根据权利要求2所述的一种真空镀膜设备,其特征在于:所述腔体框架两侧设有隔板,隔板上设置有梁架,梁架设置有若干干泵对接法兰,前腔门组件和后腔门组件与腔体框架之间铰接。4.根据权利要求1所述的一种真空镀膜设备,其特征在于:还包括传动结构,所述传动结构包括定位支撑机构、动力机构和定位机构,定位支撑机构包括齿条,齿条设置于载板装置,动力机构包括动力齿轮,齿条与动力齿轮啮合连接。5.根据权利要求1所述的一种真空镀膜设备,其特征在于:还包括变距结构,所述变距结构包括变距动力组件、变距传动组件、伸缩组件和对接组件,变距动力组件与变距传动组件连接,变距传动组件与伸缩组件连接,伸缩组件与对接组件连接,变距动力组件通过变距传动组件、伸缩组件和对接组件控制载板装置移动。6.根据权利要求1所述的一种真空镀膜设备,其特征在于:所述镀膜真空腔体一包括第一镀膜真空腔体和第二镀膜真空腔体,镀膜真空腔体二包括第三镀膜真空腔体和第四镀膜真空腔体,第一镀膜真空腔体和第二镀膜真空腔体用于硅片一侧的镀膜,第三镀膜真空腔...

【专利技术属性】
技术研发人员:戴佳朱鹤囡董雪迪张武林佳继
申请(专利权)人:拉普拉斯无锡半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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