一种有机化合物、有机电致发光器件及其应用制造技术

本发明专利技术提供一种有机化合物、有机电致发光器件及其应用，所述有机化合物具有如式I所示结构，其含有特殊的稠环母核结构，通过分子结构的设计，使所述有机化合物具有适宜的HOMO能级和LUMO能级，单线态能级较高，光电性能优异，而且玻璃化转变温度适宜，热稳定性和成膜性优异，易形成稳定均一的薄膜，保持器件的稳定性。所述有机化合物用于OLED器件，能够与相邻层材料的能级相匹配，具有较高的载流子传输速率以及平衡的载流子传输性能，能够获得较宽的载流子复合区域，从而提升器件发光效率和寿命，降低器件的电压，使OLED器件具有更加优异的综合性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
一种有机化合物、有机电致发光器件及其应用


[0001]本专利技术属于有机电致发光材料
，具体涉及一种有机化合物、有机电致发光器件及其应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(Organic Light Emitting Diode，OLED)作为新一代显示技术，具有超薄、自发光、视角宽、响应快、发光效率高、温度适应性好、生产工艺简单、驱动电压低、能耗低等优点，近年来获得长足发展，已广泛应用于平板显示、柔性显示、固态照明和车载显示等行业。
[0003]OLED器件通常包括阴极、阳极以及位于两电极之间的有机层。有机层是OLED器件的核心部分，包括发光层，以及电子传输层、空穴传输层、空穴注入层和电子注入层等辅助传输的功能层。通电时，电子和空穴被分别注入、传输到发光区域并复合，从而产生激子并发光。
[0004]OLED器件中的发光材料按发光机理可分为电致荧光和电致磷光两种，电致荧光是单重态激子的辐射衰减跃迁，电致磷光则是三重态激子辐射衰减到基态所发射的光。根据自旋量子统计理论，单重态激子和三重态激子的形成概率比例是1:3，因此荧光材料的内量子效率不超过25％的限制，外量子效率普遍低于5％。电致磷光材料的内量子效率理论上可以达到100％，外量子效率可以达到20％。1998年，吉林大学的马於光教授和美国普林斯顿大学的Forrest教授分别报道了采用锇配合物和铂配合物作为发光染料掺杂入发光层，第一次成功得到并解释了磷光电致发光现象，并开创性地将所制备磷光材料应用于电致发光器件。
[0005]由于磷光重金属材料有较长的寿命，可以达到μs的级别，其在高电流密度下，可能导致三线态
‑
三线态湮灭和浓度淬灭，造成器件性能衰减，因此通常将重金属磷光材料掺杂到合适的主体材料中，形成一种主客体掺杂体系，使得能量传递最优化，发光效率和寿命最大化。在目前的研究现状中，重金属掺杂材料商业化已成熟，很难开发可替代的掺杂材料。因此，把重心放在研发磷光主体材料是研究者们共通的思路。
[0006]随着显示技术的发展，人们对OLED器件的显示性能和光电性质提出了更高的要求。但是，目前使用的主体材料在发光效率、驱动电压、稳定性、工作寿命、加工性能等方面的表现还难以满足OLED器件的性能要求。因此，开发更多种类、更高性能的有机电致发光材料，是本领域亟待解决的问题。

技术实现思路

[0007]为了开发更多种类、更高性能的有机电致发光材料，本专利技术的目的之一在于提供一种有机化合物，所述有机化合物具有如式I所示结构：
[0008][0009]式I中，L1、L2各自独立地选自单键、C6
‑
C30亚芳基或C3
‑
C30亚杂芳基中的任意一种。
[0010]式I中，R1、R2、R3各自独立地选自卤素、氰基、取代或未取代的C1
‑
C30直链或支链烷基、取代或未取代的C3
‑
C30环烷基、取代或未取代的C1
‑
C30烷氧基、取代或未取代的C6
‑
C30芳基、取代或未取代的C3
‑
C30杂芳基、取代或未取代的C6
‑
C30芳胺基、取代或未取代的C6
‑
C30芳基酮基、取代或未取代的C3
‑
C30杂芳基酮基、取代或未取代的C6
‑
C30芳基砜基、取代或未取代的C6
‑
C30芳基硼基中的任意一种。
[0011]式I中，n1、n2各自独立地选自0
‑
3的整数，例如可以为0、1、2或3；n3选自0
‑
2的整数，例如可以为0、1或2；n1、n2和n3不同时为0。
[0012]本专利技术提供的有机化合物具有式I所示的结构，其含有特殊的稠环母核，使化合物表现出适宜的HOMO能级和LUMO能级，单线态能级较高，光电性能优异，而且具有适宜的玻璃化转变温度和优异的热稳定性，易形成良好的无定形薄膜，适于OLED器件的加工和使用。所述有机化合物用于OLED器件(有机电致发光器件)，能够与相邻层材料的能级相匹配，有效地传输电荷，并将空穴和激子限制在发光区，利于扩宽发光区域，从而提升器件发光效率和寿命，降低器件的电压和能耗。
[0013]本专利技术中，所述C6
‑
C30均可以为C6、C8、C9、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26或C28等。
[0014]所述C3
‑
C30均可以为C3、C4、C5、C6、C8、C9、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26或C28等。
[0015]所述C1
‑
C30均可以为C1、C2、C3、C4、C5、C6、C8、C9、C10、C12、C13、C14、C15、C16、C18、C20、C22、C24、C26或C28等。
[0016]本专利技术中，所述卤素均可以为F、Cl、Br或I。
[0017]本专利技术的目的之二在于提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置于所述阳极和阴极之间的有机层，所述有机层包括至少一种目的之一所述的有机化合物。
[0018]本专利技术的目的之三在于提供一种显示面板，所述显示面板包括如目的之二所述的有机电致发光器件。
[0019]本专利技术的目的之四在于提供一种显示装置，所述显示装置包括如目的之三所述的显示面板。
[0020]相对于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：
[0021]本专利技术提供的有机化合物中含有特殊的稠环母核结构，通过分子结构的设计，使所述有机化合物具有适宜的HOMO能级和LUMO能级，单线态能级较高，光电性能优异，而且玻璃化转变温度适宜，热稳定性和成膜性优异，易形成稳定均一的薄膜，保持器件的稳定性。
所述有机化合物用于OLED器件，能够与相邻层材料的能级相匹配，具有较高的载流子传输速率和平衡的载流子传输性能，能够获得较宽的载流子复合区域，从而提升器件发光效率和寿命，降低器件的驱动电压，使OLED器件具有更加优异的综合性能。
附图说明
[0022]图1为本专利技术一个实施方式中提供的OLED器件的结构示意图；
[0023]图2为本专利技术另一实施方式中提供的OLED器件的结构示意图；
[0024]其中，110
‑
阳极，120
‑
第一有机薄膜层，121
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第一空穴传输层，122
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第二空穴传输层，130
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发光层，140
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第二有机薄膜层，141
‑
第一电子传输层，142
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第二电子传输层，150
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阴极，160
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基板，170
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盖帽层。
具体实施方式
[0025]下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机化合物，其特征在于，所述有机化合物具有如式I所示结构：其中，L1、L2各自独立地选自单键、C6
‑
C30亚芳基或C3
‑
C30亚杂芳基中的任意一种；R1、R2、R3各自独立地选自卤素、氰基、取代或未取代的C1
‑
C30直链或支链烷基、取代或未取代的C3
‑
C30环烷基、取代或未取代的C1
‑
C30烷氧基、取代或未取代的C6
‑
C30芳基、取代或未取代的C3
‑
C30杂芳基、取代或未取代的C6
‑
C30芳胺基、取代或未取代的C6
‑
C30芳基酮基、取代或未取代的C3
‑
C30杂芳基酮基、取代或未取代的C6
‑
C30芳基砜基、取代或未取代的C6
‑
C30芳基硼基中的任意一种；n1、n2各自独立地选自0
‑
3的整数，n3选自0
‑
2的整数；n1、n2和n3不同时为0。2.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，R1、R2、R3中所述取代的取代基各自独立地选自卤素、氰基、未取代或R'取代的C1
‑
C10直链或支链烷基、未取代或R'取代的C3
‑
C10环烷基、未取代或R'取代的C1
‑
C10烷氧基、未取代或R'取代的C6
‑
C20芳基、未取代或R'取代的C3
‑
C20杂芳基、未取代或R'取代的C6
‑
C20芳胺基中的至少一种；R'选自卤素、氰基、C1
‑
C10直链或支链烷基、C6
‑
C20芳基、C3
‑
C20杂芳基或C6
‑
C20芳胺基中的至少一种。3.根据权利要求1所述的有机化合物，其特征在于，所述有机化合物具有如式IA或式IB所示结构：其中，L1、L2、R1、R2、R3、n1、n2具有与式I中相同的限定范围。
4.根据权利要求1或3所述的有机化合物，其特征在于，所述L1、L2各自独立地选自单键、亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚吡啶基或亚嘧啶基中的任意一种。5.根据权利要求1或3所述的有机化合物，其特征在于，所述R1、R2、R3各自独立地选自卤素、氰基、未取代或卤代的C1
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C10直链或支链烷基、未取代或卤代的C1
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C10烷氧基、取代或未取代的C6
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C20芳基、取代或未取代的C3
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C20杂芳基、取代或未取代的C6
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C20芳胺基、C6
‑
C20芳基酮基、C6
‑
C20芳基砜基中的任意一种；R1、R2、R3中所述取代的取代基各自独立地选自卤素、氰基、未取代或卤代的C1
‑
C10直链或支链烷基、C3
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C10环烷基、未取代或卤代的C1
‑
C10烷氧基、C6
‑
C20芳基、C3
‑
C20杂芳基或C6
‑
C20芳胺基中的至少一种。6.根据权利要求5所述的有机化合物，其特征在于，所述R1、R2、R3各自独立地选自卤素、氰基、未取代或卤代的C1
‑
C6直链或支链烷基、未取代或卤代的C1
‑
C6烷氧基、
其中，X1、X3各自独...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓东阳，刘营，代文朋，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：