硫化检测传感器和硫化检测传感器的制造方法技术

本发明专利技术提供可正确地检测硫化程度的硫化检测传感器。硫化检测传感器包括：长方体形状的绝缘基板(2)；形成在绝缘基板(2)的表面的长度方向两端部的一对表电极(3)；形成在一对表电极(3)的中间位置的硫化检测导体(4)；在两表电极(3)之间通过硫化检测导体(4)而串联连接的一对电阻器(5)；覆盖硫化检测导体(4)的一部分和两电阻器(5)的全体的绝缘性保护膜(6)，硫化检测导体(4)具有从绝缘性保护膜(6)突出到外部的露出部(4a)。外部的露出部(4a)。外部的露出部(4a)。

【技术实现步骤摘要】
硫化检测传感器和硫化检测传感器的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种用于检测腐蚀环境的累积硫化量的硫化检测传感器和那种硫化检测传感器的制造方法。

技术介绍

[0002]一般而言，作为芯片电阻器等的电子部件的内部电极，虽使用比电阻低的Ag(银)系电极材料，但银暴露于硫化气体时，会成为硫化银，由于硫化银导电率低(提高比电阻)，因此有发生电子部件断线的不良状况。因此，近年来，采取在Ag中添加Pd(钯)、Au(金)而形成难以硫化的电极，或将电极做成硫化气体难以到达的构造等的硫化对策。
[0003]然而，即使将这些硫化对策采用于电子部件，在该电子部件长期暴露于硫化气体中的情况、或暴露于高浓度硫化气体的情况，仍难以完全防止断线，因而预先检测断线以防止未预期的时点的故障发生则成为必要。因此，迄今为止，如专利文献1(公开号为JP202112068)所记载，已提出一种硫化检测传感器，其能够检测电子部件的累积硫化的程度，并在电子部件在硫化断线等而发生故障之前检测出危险性。
[0004]在上述专利文献1中，揭露一种如以下构成的硫化检测传感器：在绝缘基板的主面中的两端部形成一对电极，在这些电极之间串联连接以Ag为主体的硫化检测导体和电阻器的状态下形成，同时从覆盖电阻器的绝缘性保护膜使硫化检测导体露出。
[0005]将这样构成的硫化检测传感器与其他电子部件一起安装在电路板上后，将该电路板在含有硫化气体的环境大气中使用时，根据硫化气体的浓度和经过时间，构成硫化检测导体的Ag会变为硫化银，而导电率会下降，随之一对电极间的电阻值逐渐增大，最终导致电子部件(硫化检测传感器)的断线。因此，可以通过检测硫化检测导体的电阻值变化和导通状态，而检测硫化程度。

技术实现思路

[0006]在这种硫化检测传感器中，作为硫化检测导体的材料，有使用Ag(银)、Cu(铜)等的金属，在电极材料也有使用Ag、Cu等的金属，因金属的TCR(电阻温度系数)非常高，硫化检测导体的电阻值占制品全体的电阻值的比例变大到某种程度时，硫化检测时的电阻值会根据周围温度而波动，有难以准确检测的问题。
[0007]在上述专利文献1中记载的硫化检测传感器中，硫化检测导体和电阻器串联连接在一对电极之间，因此将电阻器的电阻值设定为例如1KΩ时，电阻器的电阻值占制品全体的电阻值的比例变大，反之，硫化检测导体的电阻值占制品全体的电阻值的比例变小，而可提高TCR。然而，硫化检测导体的电阻值占制品全体的电阻值的比例降低的情况，即使硫化检测导体的硫化加重，制品全体的电阻值大体上不会变化，因为在硫化检测导体几乎不导通的时点(在下文中，在本申请中，硫化检测导体的导电率由于硫化而降低和电子部件由于硫化而断线也一并被称为断线)判定硫化，因而不可能检测电子部件的断线征兆。
[0008]本专利技术是鉴于这种现有技术的实际情况而完成，其第一目的在于提供可正确地检
测硫化程度的硫化检测传感器，其第二目的在于提供那种硫化检测传感器的制造方法。
[0009]为达成上述第一目的，本专利技术的硫化检测传感器，包括：长方体形状的绝缘基板；形成在所述绝缘基板的主面的长度方向两端部的一对表电极；形成在一对所述表电极之间，由含有以硫化气体硫化的金属的材料而成的硫化检测导体；通过所述硫化检测导体而与一对所述表电极连接的方式形成的电阻器；覆盖所述硫化检测导体的一部分和所述电阻器的全体的方式形成的硫化气体不透过性的绝缘性保护膜；所述电阻器和所述硫化检测导体以通过所述硫化检测导体的电流成为最短路径的方式连接，所述硫化检测导体具有从所述绝缘性保护膜露出到外部的露出部。
[0010]在这样构成的硫化检测传感器中，在一对表电极之间串联连接的电阻器和硫化检测导体中，因硫化检测导体具有从硫化气体不透过性的绝缘性保护膜露出到外部的露出部，故被设置在包含硫化气体的环境大气中时，硫化从硫化检测导体的露出部开始，并向以绝缘性保护膜覆盖的部分的硫化检测导体进行硫化。构成硫化检测导体的银、铜等的金属因硫化而变化为硫化银、硫化铜，这些硫化物的电阻值上升到数MΩ以上，因而随着硫化的进行，流过一对表电极间的电流路径会变化，随之，制品全体的电阻值逐渐增大。据此，即使硫化检测导体的电阻值占制品全体的电阻值的比例降低的情况，也可基于随着硫化的进行的电阻值的连续的变化，而正确地检测断线的征兆。
[0011]在上述构成的硫化检测传感器中，电阻器形成为具有通道形状(
コ
字形状)的蛇行部的带状图案，硫化检测导体形成在由此蛇行部包围的区域中并与电阻器连接时，随着硫化的进行而电流路径大幅变化，从而可正确且容易地检测硫化程度。
[0012]在这种情况，硫化检测导体具有沿绝缘基板的横向方向延伸的联结导体部；和沿绝缘基板的长度方向延伸而与联结导体部交叉的同时两端部与电阻器的蛇行部连接的多个连接导体部；联结导体部的一端侧成为露出部的构成时，随着硫化的进行，从靠近露出部的侧的连接导体部开始依次断線(電流变得难以流动)，从而可以逐步检测硫化程度。
[0013]又，在上述构成的硫化检测传感器，如果电阻器在远离蛇行部的位置具有调整部，在该调整部形成电阻值调整用的修整沟槽时，可高精度地设定制品全体的初期电阻值。
[0014]又，在上述构成的硫化检测传感器中，电阻器由与任一个表电极连接的第一电阻器和与任另一个表电极连接的第二电阻器而成，这些第一电阻器和第二电阻器之间形成硫化检测导体时，第一电阻器和第二电阻器之间存在的电流通路会随着硫化的进行而逐渐变窄，从而可检测硫化的进行程度，且可正确地检测电子部件的断线征兆。
[0015]在这种情况，第一电阻器和第二电阻器形成为相对于硫化检测导体的中央部沿所述绝缘基板的横向方向通过的直线呈线对称的L字状图案时，由于随着硫化的进行而电流路径大幅变化，可正确且容易地检测硫化的程度。
[0016]又，为了达成上述第二目的，根据本专利技术的硫化检测传感器的制造方法，包含：由绝缘材料而成的大尺寸基板的主面上形成具有预定间隔的一对表电极的步骤；在与所述大尺寸基板的主面相反面上形成具有预定间隔的一对背电极的步骤；在一对所述表电极之间，形成由含有以硫化气体硫化的金属的材料而成的硫化检测导体和通过该硫化检测导体而与一对所述表电极连接的电阻器的步骤；以覆盖所述硫化检测导体的一部分和所述电阻器的全体的方式，形成硫化气体不透过性的绝缘性保护膜的步骤；形成覆盖从所述绝缘性保护膜露出的所述硫化检测导体的露出部的掩蔽树脂层的步骤；在所述掩蔽树脂层形成
后，将所述大尺寸基板进行第一次分割而成为条状基板的步骤；在所述条状基板的两个分割面上形成导通所述表电极和所述背电极之间的一对端面电极的步骤；在所述端面电极形成后，将所述条状基板进行第二次分割而成为多个芯片基板的步骤；对所述芯片基板施加电镀而形成覆盖所述端面电极的一对外部电极的步骤；在所述外部电极形成后，去除所述掩蔽树脂层而使所述露出部露出到外部的步骤；其中在所述绝缘性保护膜的外缘部形成平面视凹状的切口部，在所述切口部的内部配置所述硫化检测导体的所述露出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硫化检测传感器，其特征在于，包括:长方体形状的绝缘基板；形成在所述绝缘基板的主面的长度方向两端部的一对表电极；形成在一对所述表电极之间，由含有以硫化气体硫化的金属的材料而成的硫化检测导体；通过所述硫化检测导体而与一对所述表电极连接的方式形成的电阻器；覆盖所述硫化检测导体的一部分和所述电阻器的全体的方式形成的硫化气体不透过性的绝缘性保护膜；所述电阻器和所述硫化检测导体以通过所述硫化检测导体的电流成为最短路径的方式连接，所述硫化检测导体具有从所述绝缘性保护膜露出到外部的露出部。2.根据权利要求1所述的硫化检测传感器，其特征在于，所述电阻器形成为具有通道形状的蛇行部的带状图案，所述硫化检测导体形成在由所述蛇行部包围的区域中并与所述电阻器连接。3.根据权利要求2所述的硫化检测传感器，其特征在于，所述硫化检测导体包括：沿所述绝缘基板的横向方向延伸的联结导体部；沿所述绝缘基板的长度方向延伸而与所述联结导体部交叉的同时，两端部与所述蛇行部连接的多个连接导体部，所述联结导体部的一端侧成为所述露出部。4.根据权利要求2或3所述的硫化检测传感器，其特征在于，所述电阻器在远离所述蛇行部的位置具有调整部，在所述调整部形成电阻值调整用的修整沟槽。5.根据权利要求1所述的硫化检测传感器，其特征在于，所述电阻器由任一个所述表电极连接的第一电阻器和与任另一个所述表电极连接的第二电阻器而成，所述硫化检测导体形成于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村太郎，
申请(专利权)人：KOA株式会社，
类型：发明
国别省市：