一种射频滤波器被提供并且包括介电层和第一电感器。该第一电感器包括输入端；第一线圈，其设置于所述介电层的第一侧上并且连接至所述输入端；以及第二线圈，其设置于所述介电层的与所述第一侧相对的第二侧上。所述第一线圈与所述第二线圈是平面型的，使得所述第一线圈的绕组在第一层，而所述第二线圈的绕组在第二层。所述第一线圈与所述第二线圈重叠且串联连接。所述第一线圈、所述介电层以及所述第二线圈共同地提供所述射频滤波器的电容。所述第一电感器还包括：第一通孔，其延伸穿过所述介电层并且连接至所述第一线圈和所述第二线圈；以及第一输出端，其连接至所述第二线圈。其连接至所述第二线圈。其连接至所述第二线圈。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有结构电容的包含堆叠线圈的平面型多层射频滤波器
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求于2020年2月21日申请的美国申请No.62/979,770的权益。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
[0002]本公开涉及储能电路(tank circuits)以及对衬底支撑件加热元件进行滤波。
技术介绍
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底支撑件(例如，基座或静电卡盘)包括主体。静电夹持与射频(RF)电极以及一或更多加热元件设置在主体内。功率通过位于衬底支撑件外部的滤波器盒供应至加热元件。滤波器盒包括RF滤波器，其通过电缆连接至衬底支撑件的支撑柱中的引线。引线连接至加热元件。
[0005]滤波器盒中的RF滤波器用于防止RF从RF电极通过加热元件泄漏至地。由于加热元件紧邻RF电极以及加热元件与RF电极之间的RF耦合，因此会发生RF泄漏。
技术实现思路
[0006]一种射频滤波器被提供并且包括介电层和第一电感器。该第一电感器包括第一输入端；第一线圈，其设置于所述介电层的第一侧上并且连接至所述第一输入端；以及第二线圈，其设置于所述介电层的与所述第一侧相对的第二侧上。所述第一线圈与所述第二线圈是平面型的，使得所述第一线圈的绕组在第一层，而所述第二线圈的绕组在第二层。所述第一线圈与所述第二线圈重叠且串联连接。所述第一线圈、所述介电层以及所述第二线圈共同地提供所述射频滤波器的电容。所述第一电感器还包括：第一通孔，其延伸穿过所述介电层并且连接至所述第一线圈和所述第二线圈；以及第一输出端，其连接至所述第二线圈。
[0007]在其他特征中，所述射频滤波器的所述电容等于以下两者的乘积：(i)所述介电层的介电常数与(ii)所述第一线圈与所述第二线圈之间重叠面积除以所述介电层的厚度。在其他特征中，所述第一线圈和所述第二线圈沿相同方向卷绕。在其他特征中，所述输入端被设置在所述输出端对面并在所述射频滤波器的与所述输出端相对的一端上。在其他特征中，所述第一输入端设置于邻近所述输出端并与所述输出端在所述射频滤波器的相同端上。
[0008]在其他特征中，所述射频滤波器还包括：第一电容贴片，其连接至所述第一线圈；以及第二电容贴片，其连接至所述第二线圈，其中所述第二电容贴片设置为与所述第一电容贴片相对以增大所述第一线圈与所述第二线圈间的电容。
[0009]在其他特征中，一种衬底处理系统被提供并且包括：衬底支撑件，其包括加热元
件；所述射频滤波器，其设置于所述衬底支撑件外侧并通过第一导电元件连接至所述衬底支撑件的输入端或输出端中的一者；以及所述第二射频滤波器，其设置于所述衬底支撑件外侧并通过第二导电元件连接至所述衬底支撑件的所述输入端或所述输出端中的另一者。
[0010]在其他特征中，上文所述的射频滤波器的所述介电层是支撑层的一部分；以及所述第二射频滤波器的电感器被实施于所述介电层上。在其他特征中，上文所述的射频滤波器的所述介电层是第一支撑层的一部分；以及所述第二射频滤波器的电感器被实施于不同于所述第一支撑层的第二支撑层上。在其他特征中，所述第二射频滤波器包括：第三线圈，其邻近所述第一线圈卷绕并设置于所述介电层的所述第一侧上；以及第四线圈，其邻近所述第二线圈卷绕并设置于所述介电层的所述第二侧上。
[0011]在其他特征中，一种衬底处理系统被提供并且包括衬底支撑件和功率源。所述衬底支撑件包括加热元件；所述射频滤波器，其连接至所述加热元件的输入端或输出端中的一者，其中所述介电层为所述衬底支撑件的层，以及第二射频滤波器，其连接至所述加热元件的所述输入端或所述输出端中的另一者。所述功率源通过所述射频滤波器或所述第二射频滤波器中的一者将功率供应至所述加热元件的所述输入端。
[0012]在其他特征中，一种射频滤波器组件被提供并且包括所述射频滤波器以及第二射频滤波器。所述第二射频滤波器包括第二电感器，该第二电感器包括第二输入端，第三线圈，其设置于所述介电层的所述第一侧上并且连接至所述第二输入端，以及第四线圈，其设置于所述介电层的与所述第一侧相对的所述第二侧上。所述第三线圈与所述第四线圈是平面型的，使得所述第三线圈的绕组在所述第一层中，而所述第四线圈的绕组在所述第二层中。所述第三线圈与所述第四线圈重叠并串联连接。所述第三线圈、所述介电层与所述第四线圈共同地提供所述射频滤波器的第二电容。所述第二射频滤波器还包括：第一通孔，其延伸穿过所述介电层并且连接至所述第一线圈和所述第二线圈，第二通孔，其延伸穿过所述介电层并且连接至所述第三线圈和所述第四线圈，以及第二输出，其连接至所述第二线圈。
[0013]在其他特征中，所述第三线圈和所述第四线圈沿与所述第一线圈和所述第二线圈相同的方向卷绕。在其他特征中，所述第一输入端邻近于所述第二输入端；以及所述第一输出端邻近于所述第二输出端。在其他特征中，所述第一输入端和所述第二输入端邻近所述第一输出端和所述第二输出端并且与所述第一输出端和所述第二输出端在所述射频滤波器组件的相同端上。
[0014]在其他特征中，所述射频滤波器组件还包括：第一电容贴片，其连接至所述第一线圈或所述第三线圈并增加所述第一线圈或所述第三线圈的电容；以及第二电容贴片，其连接至所述第二线圈或所述第四线圈并增加所述第二线圈或所述第四线圈的电容。在一些实施方案中，所述第二电容贴片被设置为与所述第一电容贴片相对。
[0015]在其他特征中，一种衬底处理系统被提供并且包括：衬底支撑件，其包括加热元件；以及所述射频滤波器组件，其被设置于所述衬底支撑件外侧并通过导电元件连接至所述衬底支撑件的输入端和输出端。在其他特征中，所述介电层为设置于所述衬底支撑件外侧的支撑层的至少一部分。
[0016]在其他特征中，一种衬底处理系统被提供并且包括衬底支撑件和功率源。所述衬底支撑件包括加热元件，以及所述射频滤波器组件，其连接至所述加热元件的输入端和输出端。所述介电层是所述衬底支撑件的层。所述功率源通过所述第一射频滤波器或第二射
频滤波器中的一者将功率供应至所述加热元件的所述输入端。
[0017]根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
[0018]根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
[0019]图1为根据本公开的示例的多层RF滤波器的电感器示例的透视图，多层RF滤波器包括单绕线圈，其输入端设置在输出端对面；
[0020]图2为图1的电感器的顶视图；
[0021]图3为根据本公开的示例的RF滤波器部件的电感器示例的透视图，RF滤波器部件包括多层RF滤波器，多层RF滤波器包括成对的双绕线圈，其输入端设置在输出端对面；...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种射频滤波器，其包括：介电层；以及第一电感器，其包括第一输入端，第一线圈，其设置于所述介电层的第一侧上并且连接至所述第一输入端，第二线圈，其设置于所述介电层的与所述第一侧相对的第二侧上，其中所述第一线圈与所述第二线圈是平面型的，使得所述第一线圈的绕组在第一层，而所述第二线圈的绕组在第二层，其中所述第一线圈与所述第二线圈重叠且串联连接，其中所述第一线圈、所述介电层以及所述第二线圈共同地提供所述射频滤波器的电容，第一通孔，其延伸穿过所述介电层并且连接至所述第一线圈和所述第二线圈，以及第一输出端，其连接至所述第二线圈。2.根据权利要求1所述的射频滤波器，其中所述射频滤波器的所述电容等于以下两者的乘积：(i)所述介电层的介电常数与(ii)所述第一线圈与所述第二线圈之间重叠面积除以所述介电层的厚度。3.根据权利要求1所述的射频滤波器，其中：所述第一线圈沿顺时针方向或逆时针方向中的一者从所述第一线圈的输入端卷绕至所述第一线圈的输出端；以及所述第二线圈沿所述顺时针方向或所述逆时针方向中的与所述第一线圈相同的一者从所述第二线圈的输入端卷绕至所述第二线圈的输出端。4.根据权利要求1所述的射频滤波器，其中所述输入端被设置在所述输出端对面并在所述射频滤波器的与所述输出端相对的一端上。5.根据权利要求1所述的射频滤波器，其中所述输入端设置于邻近所述输出端并与所述输出端在所述射频滤波器的相同端上。6.根据权利要求1所述的射频滤波器，其还包括：第一电容贴片，其连接至所述第一线圈；以及第二电容贴片，其连接至所述第二线圈，其中所述第二电容贴片设置为与所述第一电容贴片相对以增大所述第一线圈与所述第二线圈间的电容。7.一种衬底处理系统，其包括：衬底支撑件，其包括加热元件；根据权利要求1所述的射频滤波器，其设置于所述衬底支撑件外侧并通过第一导电元件连接至所述衬底支撑件的输入端或输出端中的一者；以及根据权利要求1所述的第二射频滤波器，其设置于所述衬底支撑件外侧并通过第二导电元件连接至所述衬底支撑件的所述输入端或所述输出端中的另一者。8.根据权利要求7所述的衬底处理系统，其中：根据权利要求1所述的射频滤波器的所述介电层是支撑层的一部分；以及所述第二射频滤波器的电感器被实施于所述介电层上。9.根据权利要求7所述的衬底处理系统，其中：根据权利要求1所述的射频滤波器的所述介电层是第一支撑层的一部分；以及所述第二射频滤波器的电感器被实施于不同于所述第一支撑层的第二支撑层上。
10.根据权利要求7所述的衬底处理系统，其中所述第二射频滤波器包括：第三线圈，其邻近所述第一线圈卷绕并设置于所述介电层的所述第一侧上；以及第四线圈，其邻近所述第二线圈卷绕并设置于所述介电层的所述第二侧上。11.一种衬底处理系统，其包...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏尼尔，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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