控制装置、成膜装置、控制方法及电子器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及控制装置、成膜装置、控制方法及电子器件的制造方法，提供一种防止由基板的吸附不良及剥离不良导致的成膜处理的失败的技术。成膜装置的控制装置是具备静电吸盘、电压供给部件及测定部件的成膜装置的控制装置，所述静电吸盘包含多个吸附部并吸附基板，所述电压供给部件按各吸附部设置并对吸附部所具备的电极施加电压，所述测定部件按各吸附部设置并对吸附部所具备的电极与导体之间的静电电容进行测定，其特征在于，所述成膜装置的控制装置具备控制部件，所述控制部件基于测定部件的测定结果来控制由电压供给部件对多个吸附部的电极施加的电压。附部的电极施加的电压。附部的电极施加的电压。

【技术实现步骤摘要】
控制装置、成膜装置、控制方法及电子器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及控制装置、成膜装置、控制方法及电子器件的制造方法。

技术介绍

[0002]在有机EL显示面板等的制造中，经由掩模在基板上对蒸镀物质进行成膜。成膜处理有时在使基板吸附于静电吸盘的状态下进行。已知在利用静电吸盘的吸附中配置用于判定基板是否正常地吸附于静电吸盘的静电电容传感器(专利文献1、2)。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
195351号公报
[0006]专利文献2：日本特开2020
‑
070493号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]若在由静电吸盘进行的对基板的吸附不充分的状态下执行成膜处理，则有时会使成膜精度降低。作为一例，有时会产生未按照设置于掩模的开口部的形状及尺寸那样进行成膜的所谓的“膜模糊”。另外，若在静电吸盘与基板的剥离不充分的状态下为了进行以后的处理而搬运基板，则基板有时会由于与搬运设备、静电吸盘等接触而破损。
[0009]本专利技术提供一种防止在静电吸盘与基板的吸附或剥离不充分的状态下进行对基板的处理所导致的问题的技术。
[0010]用于解决课题的手段
[0011]根据本专利技术的一侧面，提供一种控制装置，其是具备静电吸盘、电压供给部件及测定部件的成膜装置的控制装置，所述静电吸盘包含多个吸附部并吸附基板，所述电压供给部件按各所述吸附部设置并对所述吸附部所具备的电极施加电压，所述测定部件按各所述吸附部设置并对所述吸附部所具备的所述电极与导体之间的静电电容进行测定，其特征在于，所述控制装置具备控制部件，所述控制部件基于所述测定部件的测定结果来控制由所述电压供给部件施加于所述多个吸附部的所述电极的电压。
[0012]另外，根据本专利技术的一侧面，提供一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：静电吸盘，所述静电吸盘包含多个吸附部，并吸附基板；成膜部件，所述成膜部件在吸附于所述静电吸盘的基板上进行成膜；电压供给部件，所述电压供给部件按各所述吸附部设置，并对所述吸附部所具备的电极施加电压；测定部件，所述测定部件按各所述吸附部设置，并对所述吸附部所具备的所述电极的静电电容进行测定；以及控制部件，所述控制部件基于所述测定部件的测定结果来控制由所述电压供给部件施加于所述多个吸附部的所述电极的电压。
[0013]另外，根据本专利技术的一侧面，提供一种控制方法，其是具备静电吸盘、电压供给部件及测定部件的成膜装置的控制装置的控制方法，所述静电吸盘包含多个吸附部并吸附基
板，所述电压供给部件按各所述吸附部设置并对所述吸附部所具备的电极施加电压，所述测定部件按各所述吸附部设置并对所述吸附部所具备的所述电极的静电电容进行测定，其特征在于，所述控制方法包括控制工序，在所述控制工序中，基于所述测定部件的测定结果来控制由所述电压供给部件施加于所述多个吸附部的所述电极的电压。
[0014]专利技术的效果
[0015]根据本专利技术，能够防止在静电吸盘与基板的吸附或剥离不充分的状态下进行对基板的处理所导致的错误。
附图说明
[0016]图1是电子器件的生产线的一部分的示意图。
[0017]图2是一实施方式的成膜装置的概略图。
[0018]图3是基板支承单元及吸附板的说明图。
[0019]图4是示出成膜装置的硬件的结构例的图。
[0020]图5是示出成膜装置的制造工序的例子的流程图。
[0021]图6是图5的流程图的各工序中的成膜装置的状态的说明图。
[0022]图7(A)是示出静电吸盘吸附基板时的静电吸盘及基板的关系的示意图，(B)是示出形成于基板的导电膜图案的例子的图。
[0023]图8是示出吸附工序中的处理部的处理例的流程图。
[0024]图9是示出吸附工序中的施加电压与静电电容的关系的图。
[0025]图10是示出剥离工序中的处理部的处理例的流程图。
[0026]图11是示出剥离工序中的施加电压与静电电容的关系的图。
[0027]图12是示出反向电压除电中的施加电压的图。
[0028]图13(A)是示出有机EL显示装置的整体图，(B)是示出一个像素的截面构造的图。
[0029]附图标记说明
[0030]1成膜装置、5掩模台、6基板支承单元、141处理部、15静电吸盘、151电极部、16检测单元、100基板、101掩模。
具体实施方式
[0031]以下，参照附图，对实施方式进行详细说明。此外，以下的实施方式并不对权利要求书的技术方案进行限定。虽然在实施方式中记载了多个特征，但上述多个特征的全部未必都是专利技术所必需的特征，另外，多个特征也可以任意地组合。而且，在附图中，对相同或者同样的结构标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[0032]＜电子器件的生产线＞
[0033]图1是示出能够应用本专利技术的成膜装置的电子器件的生产线的结构的一部分的示意图。图1的生产线例如用于智能手机用的有机EL显示装置的显示面板的制造，基板100被依次搬运到成膜模块301，并在基板100上进行有机EL元件的成膜。
[0034]在成膜模块301中，在俯视时具有八边形的形状的搬运室302的周围配置有对基板100进行成膜处理的多个成膜室303a～303d和收纳使用前后的掩模的掩模保存室305。在搬运室302配置有搬运基板100的搬运机器人302a。搬运机器人302a包括保持基板100的手部
和使手部沿水平方向移动的多关节臂。换言之，成膜模块301是以包围搬运机器人302a的周围的方式配置有多个成膜室303a～303d的群集型的成膜单元。此外，在对成膜室303a～303d进行统称的情况下或者在不进行区别的情况下，记载为成膜室303。
[0035]在基板100的搬运方向(箭头方向)上，在成膜模块301的上游侧、下游侧分别配置有缓冲室306、回转室307、交接室308。在制造过程中，各室被维持为真空状态。此外，在图1中仅图示了一个成膜模块301，但本实施方式的生产线具有多个成膜模块301，多个成膜模块301具有利用由缓冲室306、回转室307、交接室308构成的连结装置连结而成的结构。此外，连结装置的结构并不被限定于此，例如也可以仅由缓冲室306或交接室308构成。
[0036]搬运机器人302a进行基板100从上游侧的交接室308向搬运室302的搬入、成膜室303间的基板100的搬运、掩模保存室305与成膜室303之间的掩模的搬运以及基板100从搬运室302向下游侧的缓冲室306的搬出。
[0037]缓冲室306是用于根据生产线的运转状况而暂时地保存基板100的室。在缓冲室306设置有也被称为盒的基板收纳搁板和升降机构。基板收纳搁板具有能够在保持着基板100的被处理面(被成膜面)朝向重力方向的下方的水平状态的情况下收纳多块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制装置，其是具备静电吸盘、电压供给部件及测定部件的成膜装置的控制装置，所述静电吸盘包含多个吸附部并吸附基板，所述电压供给部件按各所述吸附部设置并对所述吸附部所具备的电极施加电压，所述测定部件按各所述吸附部设置并对所述吸附部所具备的所述电极的静电电容进行测定，其特征在于，所述控制装置具备控制部件，所述控制部件基于所述测定部件的测定结果来控制由所述电压供给部件施加于所述多个吸附部的所述电极的电压。2.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述控制部件基于所述测定部件的测定结果，单独地控制多个所述电压供给部件施加的电压。3.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述控制部件在由所述电压供给部件施加规定的电压之后，在所述测定部件测定出的静电电容值比第一阈值小的情况下，以在停止电压的施加之后再次施加电压的方式控制所述电压供给部件。4.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述控制部件在由所述电压供给部件施加规定的电压之后，在所述测定部件测定出的静电电容值比第一阈值小的情况下，以在停止设置有该测定部件的所述吸附部的电压的施加之后再次施加电压的方式控制所述电压供给部件。5.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述控制部件在由所述电压供给部件施加规定的电压之后，在所述测定部件测定出的静电电容值比第一阈值小的情况下，以在停止全部的所述吸附部的电压的施加之后再次施加电压的方式控制所述电压供给部件。6.根据权利要求3所述的控制装置，其特征在于，所述控制部件在即使进行规定次数的电压的再次施加而所述测定部件测定出的静电电容值也比所述第一阈值小的情况下，在以停止电压的施加的方式控制所述电压供给部件之后，以将所述基板搬出的方式控制所述成膜装置。7.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述控制部件在由所述电压供给部件施加规定的电压之后，在所述测定部件测定出的静电电容值比第一阈值小的情况下，在以停止电压的施加的方式控制所述电压供给部件之后，以将所述基板搬出的方式控制所述成膜装置。8.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述控制部件在由所述电压供给部件施加规定的电压之后，在所述测定部件测定出的静电电容值比第一阈值小的情况下，在以停止电压的施加的方式控制所述电压供给部件之后，以停止制造工序的方式控制所述成膜装置。9.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述控制部件在所述测定部件测定出的静电电容值比第二阈值大的情况下，在以停止电压的施加的方式控制所述电压供给部件之后，以停止制造工序...

【专利技术属性】
技术研发人员：泷泽毅，川畑奉代，河合慈，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：