一种镀膜系统技术方案

本发明专利技术涉及PECVD纳米防水镀膜技术领域，具体公开了一种镀膜系统，该镀膜系统包括工艺腔室、射频极、料框和料框架，料框包括框体和第一网孔板，第一网孔板设置在框体的四周，产品放置在框体上的卡槽内，射频极连接电源后与接地的工艺腔室的内壁之间形成的电场空间能够将前驱物激发形成等离子体，等离子体在工艺腔室内部空间进行扩散，并通过料框的第一网孔板扩散至产品所在位置，由于第一网孔板的设置，避免了等离子体直接冲击产品，同时第一网孔板也能够起到匀流的作用，使得框体上各个位置的产品附近的等离子体浓度均匀，从而使得各个位置的产品的成膜速率相近，成膜厚度一致，镀膜后的产品表面各处色差较小。后的产品表面各处色差较小。后的产品表面各处色差较小。

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜系统


[0001]本专利技术涉及PECVD纳米防水镀膜
，尤其涉及一种镀膜系统。

技术介绍

[0002]在现有的镀膜系统对产品进行PECVD纳米防水镀膜的过程中，由于前驱物被激发形成的等离子体在空间内的浓度分布不均，位于边缘位置的产品周围的等离子体的浓度高于中间位置的产品周围的等离子体的浓度，另外，位于边缘位置的产品受到的等离子体的冲击力也较中间位置的产品大，从而导致位于边缘位置的产品的成膜厚度和成膜速率高于中间位置的产品，造成不同位置的产品之间的具有较大的膜厚差值，进而导致同批次处理的产品之间存在较大的色差，产品质量不佳。
[0003]因此，亟需一种镀膜系统，来解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种镀膜系统，其料框中的产品成膜厚度和成膜速率的一致性较高，且料框中不同位置的产品表面成膜后的色差较小。
[0005]为达上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]本专利技术提供一种镀膜系统，该镀膜系统包括：
[0007]工艺腔室，所述工艺腔室内设有射频极、料框和料框架，所述料框设置在所述料框架上，所述料框包括框体和第一网孔板，所述第一网孔板设置在所述框体的四周，所述框体上设有多个放置产品的卡槽，每个所述内放置一个所述产品，所述射频极设置在所述料框架与所述工艺腔室的内壁之间，所述射频极与所述工艺腔室的内壁之间形成电场空间，所述工艺腔室内部形成等离子体扩散空间。
[0008]可选地，所述框体包括底板、固定框和立柱，所述立柱固定在所述底板上，所述固定框固定在所述立柱上，所述固定框上设有多个放置所述产品的所述卡槽，所述产品放置在所述固定框的所述卡槽内。
[0009]可选地，所述第一网孔板设置在所述底板的四周，且与所述底板固定连接。
[0010]可选地，所述第一网孔板上的网孔为方形孔，所述第一网孔板上的所述方形孔的尺寸为0.5mm
×
0.5mm～30mm
×
30mm。
[0011]可选地，所述底板和所述固定框呈方形或圆形。
[0012]可选地，所述料框包括第二网孔板，所述第二网孔板设置在所述框体的上方，且与所述第一网孔板的边缘连接。
[0013]可选地，所述第二网孔板上的网孔为方形孔，所述第二网孔板上的所述方形孔的尺寸为0.5mm
×
0.5mm～30mm
×
30mm。
[0014]可选地，所述射频极与所述料框架之间设有匀流网板，所述匀流网板上设有方形孔，所述匀流网板上的所述方形孔的尺寸为0.5mm
×
0.5mm～50mm
×
50mm，所述匀流网板固定在所述工艺腔室上。
为两个不同的位置，而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0031]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0032]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0033]实施例一
[0034]如图1所示，本实施例提供一种镀膜系统，该镀膜系统包括工艺腔室100，工艺腔室100内设有料框架140、料框200和射频极110，工艺腔室100与电源的地极连接，射频极110与电源的输出端相连，射频极110设置在料框架140与工艺腔室100的内壁之间，料框200设置在料框架140上，料框200包括框体和第一网孔板240，第一网孔板240设置在框体的四周，框体上设有多个放置产品400的卡槽，每个卡槽内能够放置一个产品400，射频极110与工艺腔室100的内壁之间形成电场空间1102，射频电极通电后能够通过电场空间将前驱物激发形成等离子体，工艺腔室100内部形成等离子体扩散空间1101，在电场空间1102内形成的等离子体能够扩散到等离子体扩散空间1101内，并通过料框200的框体周围设置的第一网孔板240上的网孔扩散至产品400周围，由于第一网孔板240的设置，避免了在电场空间1102内形成的等离子体直接冲击靠近框体边缘设置的产品400表面，缓和了等离子体在等离子体扩散空间1101内的扩散速度，并且通过第一网孔板240上设置的大量网孔，能够对等离子体起到匀流的作用，使得料框200的框体上各处的产品400表面的等离子体浓度差较小，从而位于各个位置的产品400表面成膜速度相差不大，且成膜厚度均匀，镀膜完成后，产品400表面的色差较小，产品质量良好，并且此种料框200的结构简单，加工容易，成本较低。
[0035]参见图2，本实施例中的料框200为方形料框200，其框体包括底板210、固定框220和立柱230，底板210和固定框220均为方形，立柱230和固定框220均设置多个，多个立柱230在底板210的上端面间隔设置，多个固定框220在立柱230的高度方向上间隔设置，每个固定框220上设有多个放置产品400的卡槽，多个固定框220上的多个卡槽之间一一对应，沿立柱230的高度方向产品400依次插设在多个固定框220上的一一对应的卡槽内，从而保证产品400的固定良好，多个产品400之间均具有间隙，能够使等离子体顺利通过扩散至产品400表面。
[0036]进一步地，参见图3，第一网孔板240根据料框200的形状设置，第一网孔板240可以是一体成型的，也可以由多个第一网孔板240拼接而成，第一网孔板240与底板210固定连接，从而四个第一网孔板240能够围设在底板210的四周，将产品400包围，从而起到良好的缓和等离子体冲击的作用，以及匀流的作用。
[0037]在一些实施例中，第一网孔板240上的网孔可以设置为方形孔，第一网孔板240上
的方形孔的尺寸为0.5mm
×
0.5mm～30mm
×
30mm。当第一网孔板240的网孔尺寸过小时，不利于等离子体的扩散，导致产品400表面的成膜厚度较薄，当第一网孔板240的网孔尺寸过大时，则不利于缓和等离子体的冲击作用，改善产品400成膜后色差的效果不明显，因此，将第一网孔板240的网孔的尺寸设置在上述范围内最佳。示例性地，第一网孔板240的网孔的尺寸可以为0.5mm
×
0.5mm、1.0mm
×
1.0mm、2.0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜系统，其特征在于，包括：工艺腔室(100)，所述工艺腔室(100)内设有射频极(110)、料框(200)和料框架(140)，所述料框(200)设置在所述料框架(140)上，所述料框(200)包括框体和第一网孔板(240)，所述第一网孔板(240)设置在所述框体的四周，所述框体上设有多个放置产品(400)的卡槽，每个所述卡槽内放置一个所述产品(400)，所述射频极(110)设置在所述料框架(140)与所述工艺腔室(100)的内壁之间，所述射频极(110)与所述工艺腔室(100)的内壁之间形成电场空间(1102)，所述工艺腔室(100)内部形成等离子体扩散空间(1101)。2.根据权利要求1所述的镀膜系统，其特征在于，所述框体包括底板(210)、固定框(220)和立柱(230)，所述立柱(230)固定在所述底板(210)上，所述固定框(220)固定在所述立柱(230)上，所述固定框(220)上设有多个放置所述产品(400)的所述卡槽，所述产品(400)放置在所述固定框(220)的所述卡槽内。3.根据权利要求2所述的镀膜系统，其特征在于，所述第一网孔板(240)设置在所述底板(210)的四周，且与所述底板(210)固定连接。4.根据权利要求3所述的镀膜系统，其特征在于，所述第一网孔板(240)上的网孔为方形孔，所述第一网孔板(240)上的所述方形孔的尺寸为0.5mm
×
0.5mm～30mm
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30mm。5.根据权利要求2所述的镀膜系统，其特征在于，所述底板(210)和所述固定框...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓必龙，郑利勇，张向东，
申请(专利权)人：龙鳞深圳新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：