声表面波器件、多工器及射频前端模组制造技术

本实用新型专利技术涉及一种声表面波器件、多工器及射频前端模组，该声表面波器件包括衬底、布拉格反射层、压电基底以及IDT电极；其中，所述布拉格反射层设置在所述衬底的上表面，所述压电基底设置在所述布拉格反射层的上表面；所述压电基底的上表面设有凹槽，所述IDT电极形成在所述凹槽内。在本实用新型专利技术中，将IDT电极形成在凹槽内(即IDT电极下沉)，可以减少声波在传播过程中的反射途径，进而减少声波间的模态耦合(也即减小杂波)，提高声表面波器件的Q值。提高声表面波器件的Q值。提高声表面波器件的Q值。

【技术实现步骤摘要】
声表面波器件、多工器及射频前端模组


[0001]本技术属于射频滤波
，涉及一种声表面波器件、多工器及射频前端模组。

技术介绍

[0002]声表面波器件(即SAW器件)是通信设备的关键器件，其中，SAW器件主要包括压电基底和IDT电极，但是，IDT电极通常设置在压电基底的上表面，这种设置方式会降低SAW器件的Q值。

技术实现思路

[0003]本技术提供一种声表面波器件、多工器及射频前端模组，旨在解决现有技术中因IDT电极通常设置在压电基底的上表面，而导致声表面波器件的Q值降低的问题。
[0004]本技术实施例提供一种声表面波器件，包括衬底、布拉格反射层、压电基底以及IDT电极；所述布拉格反射层设置在所述衬底的上表面；所述压电基底设置在所述布拉格反射层的上表面；其中，所述压电基底的上表面设有凹槽，所述IDT电极形成在所述凹槽内；所述IDT电极的厚度小于或等于所述凹槽的深度。
[0005]可选的，所述IDT电极的厚度为H，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为L，其中，L/H的范围为0.5
‑
2.167。
[0006]可选的，所述IDT电极的厚度H为0.06λ
‑
0.12λ，λ为IDT电极的电极周期。
[0007]可选的，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距L为0.06λ
‑
0.13λ，λ为IDT电极的电极周期。
[0008]可选的，所述压电基底的材质为钽酸锂；所述压电基底的YX切角为40
°‑
55
°
。
[0009]可选的，所述压电基底的材质为铌酸锂；所述压电基底的YX切角为22
°‑
38
°
。
[0010]可选的，所述IDT电极的密度小于或等于铜的密度。
[0011]可选的，所述压电基底的厚度为0.2λ
‑
0.7λ，λ为IDT电极的电极周期。
[0012]可选的，所述布拉格反射层的厚度为0.2λ
‑
1λ；其中，λ为IDT电极的电极周期。
[0013]本技术实施例还提供一种声表面波器件，其特征在于，包括压电基底以及IDT电极；其中，所述压电基底的上表面设有凹槽；所述IDT电极形成在所述凹槽内；所述IDT电极的厚度小于所述凹槽的深度。
[0014]可选的，所述IDT电极的厚度为H，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为L，其中，L/H的范围为0.2
‑
1.2。
[0015]可选的，所述IDT电极的厚度为H，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为L，其中，L/H的范围为0.7
‑
1.1。
[0016]可选的，所述IDT电极的厚度H为0.06λ
‑
0.11λ，λ为IDT电极的电极周期。
[0017]可选的，所述压电基底的材质为铌酸锂；所述压电基底的YX切角为22
°‑
38
°
。
[0018]可选的，所述IDT电极的密度小于或等于铜的密度。
[0019]可选的，所述IDT电极指的宽度与λ/2的比值在0.35
‑
0.7之间，λ为IDT电极的电极周期。
[0020]可选的，所述压电基底的厚度为0.2λ
‑
0.7λ，λ为IDT电极的电极周期。
[0021]本技术实施例还提供一种多工器，包括上述任意一项所述的声表面波器件。
[0022]本技术实施例还提供一种射频前端模组，包括上述任意一项所述的声表面波器件。
[0023]在本技术实施例提供的声表面波器件、多工器及射频前端模组中，将IDT电极形成在凹槽内(即IDT电极下沉)，可以减少声波在传播过程中的反射途径，进而减少声波间的模态耦合(即减小杂波)，提高声表面波器件的Q值。
附图说明
[0024]图1是本技术一实施例提供的一种声表面波器件的剖面示意图；
[0025]图2是本技术一实施例提供的另一种声表面波器件的剖面示意图；
[0026]图3是本技术一实施例提供的声表面波器件的IDT电极的示意图；
[0027]图4是本技术一实施例提供的一种声表面波器件的阻抗曲线图；
[0028]图5是本技术一实施例提供的另一种声表面波器件的阻抗曲线图；
[0029]图6是本技术一实施例提供的一种声表面波器件的压电基底的厚度与Q值的关系图；
[0030]图7是本技术一实施例提供的另一种声表面波器件的压电基底的厚度与Q值的关系图；
[0031]图8是本技术一实施例提供的声表面波器件的压电基底的厚度与声速的关系图；
[0032]图9是本技术一实施例提供的声表面波器件的压电基底的厚度与机电耦合系数的关系图；
[0033]图10是本技术一实施例提供的一种声表面波器件的压电基底的YX切角与Q值的关系图；
[0034]图11是本技术一实施例提供的另一种声表面波器件的压电基底的YX切角与Q值的关系图；
[0035]图12是本技术实施例提供的一种声表面波器件的制备方法的流程示意图；
[0036]图13是本技术另一实施例提供的声表面波器件的剖面示意图；
[0037]图14是本技术另一实施例提供的声表面波器件的导纳曲线图；
[0038]图15是现有技术中的一种的声表面波器件的导纳曲线图；
[0039]图16是现有技术中的另一种的声表面波器件的导纳曲线图；
[0040]图17是本技术另一实施例提供的声表面波器件的IDT电极与机电耦合系数的关系图；
[0041]图18是本技术另一实施例提供的声表面波器件的IDT电极与声速的关系图；
[0042]图19是本技术另一实施例提供的声表面波器件的IDT电极与Q值的关系图；
[0043]图20是本技术实施例提供的另一种声表面波器件的制备方法的流程示意图一；
[0044]图21是本技术实施例提供的另一种声表面波器件的制备方法的流程示意图二。
[0045]说明书中的附图标记如下：
[0046]10、声表面波器件；1、衬底；2、布拉格反射层；3、压电基底；31、凹槽；4、IDT电极；41、电极指；42、汇流条；5、光刻胶层。
具体实施方式
[0047]为了使本技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0048]实施例一
[0049]如图1和图2所示，在实施例一中，声表面波器件10包括衬底1、布拉格反射层2、压电基底3以及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波器件，其特征在于，包括衬底、布拉格反射层、压电基底以及IDT电极；所述布拉格反射层设置在所述衬底的上表面；所述压电基底设置在所述布拉格反射层的上表面；其中，所述压电基底的上表面设有凹槽，所述IDT电极形成在所述凹槽内；所述IDT电极的厚度小于或等于所述凹槽的深度。2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的厚度为H，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为L，其中，L/H的范围为0.5
‑
2.167。3.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的厚度H为0.06λ
‑
0.12λ，λ为IDT电极的电极周期。4.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距L为0.06λ
‑
0.13λ，λ为IDT电极的电极周期。5.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的材质为钽酸锂；所述压电基底的YX切角为40
°‑
55
°
。6.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的材质为铌酸锂；所述压电基底的YX切角为22
°‑
38
°
。7.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述IDT电极的密度小于或等于铜的密度。8.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的厚度为0.2λ
‑
0.7λ，λ为IDT电极的电极周期。9.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述布拉格反射层的厚度为0.2λ
‑
1λ；其中，λ为IDT电极的电极周期。10.一种声表面波器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王华磊，刘旻俊，杜波，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯重庆科技有限公司，
类型：新型
国别省市：