有机发光显示器及其制造方法技术

提供一种有机发光显示器及其制造方法，特别是一种由薄膜晶体管驱动的有机发光显示器及其制造方法。有机发光显示器包含基板、被提供于基板上的薄膜晶体管、被提供于薄膜晶体管上的有机发光部、由化学气相沉积制程被提供于有机发光部上的第一钝化层，以及藉由原子层沉积制程被提供于第一钝化层的至少一表面上且包含氮化硅的氢气阻挡层。包含氮化硅的氢气阻挡层。包含氮化硅的氢气阻挡层。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示器及其制造方法


[0001]本专利技术关于一种有机发光显示器及其制造方法，特别系关于一种被提供有钝化层的有机发光显示器及其制造方法。

技术介绍

[0002]有机发光显示器(organic light emitting display，OLED)为自发光型显示器，且不像是液晶显示器(liquid crystal display，LCD)，有机发光显示器因不需要独立光源而有轻薄的优点。此外，有机发光显示器可在低电压被驱动，且因此有机发光显示器可在功耗方面具有优势且也具有优异的响应速度(response speed)、观看角度(viewing angle)以及对比度(contrast ratio)。因此，有机发光显示器正积极地被作为下一世代的显示器研究。
[0003]有机发光显示器中会形成包含钝化层以保护有机发光部免于受可能在制造过程中产生的如水气、物理冲击及异物的外部环境的影响的封装层。
[0004]根据相关技术，有机发光显示器的钝化层主要使用氧化硅层。然而，当钝化层使用氧化硅层时，氧化硅层会藉由与大气中的水气反应而被改变，而造成有机发光部没有被充分保护的缺陷。此外，为了解决上述缺陷，已提出使用氮化硅层作为钝化层的方法。然而，于此情况中，含在氮化硅层中的大量氢气可能会渗透到薄膜晶体管中而增加薄膜晶体管的漏出电流，进而劣化电性特性，如高临界电压。
[0005][公知技术文件][0006][专利文件][0007](专利文件0001)KR 10
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2014
‑/>0064136A

技术实现思路

[0008]本专利技术提供一种耐用度及可靠度受到提升的有机发光显示器及其制造方法。
[0009]根据一示例性实施例，有机发光显示器，包含：一基板、被提供于基板上的一薄膜晶体管、被提供于薄膜晶体管上的一有机发光部、被提供于有机发光部上且藉由一化学气相沉积制程被提供的一第一钝化层，以及被提供于第一钝化层的至少一表面上，包含氮化硅且藉由一原子层沉积制程被提供的一氢气阻挡层。
[0010]氢气阻挡层相对氢气阻挡层的整体氢含量可具有等于或小于20at％的氢含量。
[0011]氢气阻挡层的厚度可小于第一钝化层的厚度。
[0012]有机发光显示器可更包含：被提供于第一钝化层上的微粒遮蔽层以及被提供于微粒遮蔽层上的一第二钝化层，其中氢气阻挡层可被提供于有机发光部以及第一钝化层之间及/或被提供于第一钝化层以及微粒遮蔽层之间。
[0013]微粒遮蔽层可包含一有机材料，且第一钝化层以及第二钝化层的每一者可包含氧化硅、氮化硅或氮氧化硅其中至少一者。
[0014]氢气阻挡层的氢含量可小于微粒遮蔽层以及第二钝化层的每一者的氢含量。
[0015]薄膜晶体管可包含包含氧化物的一主动层。
[0016]根据另一示例性实施例，有机发光显示器的制造方法包含：将形成有一有机发光部的一基板提供到一薄膜晶体管上，通过一原子层沉积制程形成包含氮化硅的一氢气阻挡层以遮蔽有机发光部，以及通过一化学气相沉积制程在氢气阻挡层上形成一第一钝化层。
[0017]根据再另一示例性实施例，有机发光显示器的制造方法包含：将形成有一有机发光部的一基板提供到一薄膜晶体管上，通过一化学气相沉积制程在有机发光部上形成一第一钝化层，以及通过一原子层沉积制程在第一钝化层上形成包含氮化硅的一氢气阻挡层。
[0018]形成氢气阻挡层可包含：将含有硅的一原始材料气体供应至一制程空间中以形成氢气阻挡层，以及将一反应气体供应至制程空间中，其中供应反应气体可包含：将射频功率施加至制程空间以激发反应气体。
[0019]原始材料气体可包含一氨基含硅气体或一卤化物基含硅气体其中至少一者。
[0020]氨基含硅气体可包含三甲硅烷基胺(trisilylamine，TSA)气体、双(第三丁胺基)硅烷(bis(tertiary
‑
butylamino)silane，BTBAS)气体、双(二甲胺基)硅烷(bis(dimethylamino)silane，BDMAS)气体、双二乙基胺基硅烷(bis(diethylamino)silane，BDEAS)气体、二甲基胺基硅烷(dimethylaminosilane，DMAS)气体、二乙基胺基硅烷(diethylamino silane，DEAS)气体、二丙基胺基硅烷(dipropylamino silane，DPAS)气体、丁胺基硅烷(butylaminosilane，BAS)气体、二异丙基胺基硅烷(diisopropylaminosilane，DIPAS)气体、双(乙基甲基氨基)硅烷(bis(ethylmethylamino)silane，BEMAS)气体或三(二甲胺基)硅烷(tris(dimethylamino)silane，TDMAS)气体其中至少一者。
[0021]卤化物基含硅气体可包含一氯甲硅烷(monochlorosilane，MCS)气体、二氯硅烷(dichlorosilane，DCS)气体、三氯硅烷(trichlorosilane，TCS)气体、四氯硅烷(tetrachlorosilane，STC)气体、六氯二硅烷(hexachlorodisilane，HCDS)气体、八氯三硅烷(octachlorotrisilane，OCTS)气体或二碘硅烷(diiodosilane)气体其中至少一者。
[0022]反应气体可包含一含氮气体或一含氢气体其中至少一者。
[0023]氢气阻挡层的形成可在120℃或更低的温度进行。
附图说明
[0024]能基于以下叙述以及相关附图更详细地理解示例性实施例，在附图中：
[0025]图1为绘示根据一示例性实施例的有机发光显示器的结构的附图。
[0026]图2为绘示根据另一示例性实施例的有机发光显示器的结构的附图。
[0027]图3为绘示根据一示例性实施例的有机发光显示器的制造方法的示意图。
[0028]图4为绘示根据另一示例性实施例的有机发光显示器的制造方法的示意图。
[0029]【附图标记说明】
[0030]100:有机发光显示器
[0031]110:基板
[0032]120:薄膜晶体管
[0033]130:绝缘层
[0034]140:平坦化层
[0035]150:有机发光部
[0036]152:阳极层
[0037]154:有机发光层
[0038]156:阴极层
[0039]158:堤部层
[0040]160:第一钝化层
[0041]170:氢气阻挡层
[0042]180:微粒遮蔽层
[0043]190:第二钝化层
[0044]S110,S120,S130,S140,S210,S220,S230,S240:制程
具体实施方式
[0045]以下，将参照相关附图详细说明本专利技术的示例性实施例。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示器，其特征在于，包含：一基板；一薄膜晶体管，被提供于该基板上；一有机发光部，被提供于该薄膜晶体管上；一第一钝化层，被提供于该有机发光部上且藉由一化学气相沉积制程被提供；以及一氢气阻挡层，被提供于该第一钝化层的至少一表面上，该氢气阻挡层包含氮化硅且藉由一原子层沉积制程被提供。2.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，该氢气阻挡层相对该氢气阻挡层的整体氢含量具有等于或小于20原子百分比的氢含量。3.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，该氢气阻挡层的厚度小于该第一钝化层的厚度。4.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，更包含：一微粒遮蔽层，被提供于该第一钝化层上；以及一第二钝化层，被提供于该微粒遮蔽层上，其中该氢气阻挡层被提供于该有机发光部以及该第一钝化层之间及/或被提供于该第一钝化层以及该微粒遮蔽层之间。5.如权利要求4所述的有机发光显示器，其特征在于，该微粒遮蔽层包含一有机材料，并且该第一钝化层以及该第二钝化层的每一者包含氧化硅、氮化硅或氮氧化硅其中至少一者。6.如权利要求4所述的有机发光显示器，其特征在于，该氢气阻挡层的氢含量小于该微粒遮蔽层以及该第二钝化层的每一者的氢含量。7.如权利要求1所述的有机发光显示器，其特征在于，该薄膜晶体管包含包含氧化物的一主动层。8.一种有机发光显示器的制造方法，其特征在于，该方法包含：将形成有一有机发光部的一基板提供到一薄膜晶体管上；通过一原子层沉积制程形成包含氮化硅的一氢气阻挡层以遮蔽该有机发光部；以及通过一化学气相沉积制程...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹源泰，金锋植，崔民瑛，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：