冷却方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种实现缩短针对处理后的基板进行冷却的冷却时间的冷却方法。在对处于由基板保持件保持的状态下的处理后的基板进行冷却的方法中，包括：第1冷却工序，朝向配置于基准位置的所述基板保持件供给气体，来冷却基板；停止所述气体的供给的停止工序；以及第2冷却工序，对由所述基板保持件的下部保持的处理后的所述基板进行冷却。后的所述基板进行冷却。后的所述基板进行冷却。

【技术实现步骤摘要】
冷却方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质


[0001]本公开涉及对基板进行冷却的冷却方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质。

技术介绍

[0002]通常，在半导体器件的制造工序中使用的纵型基板处理装置，与对基板进行处理的处理室相邻地配设有移载室。在处理室中处理的基板在移载室中在由基板保持件保持的状态下被降温至规定的温度。
[0003]例如，在专利文献1中记载有被处理的基板在移载室中在由基板保持件保持的状态下被冷却。
[0004]然而，有时利用来自周边部件的辐射热将由基板保持件的下部保持的基板再加热。因此，需要增加用于使基板降温至规定的温度的冷却时间，有时会导致基板的搬运迟延。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：WO2017/163376号公报

技术实现思路

[0008]本公开提供一种缩短针对处理后的基板进行冷却的冷却时间的技术。
[0009]根据本公开的一方面，提供一种对处于由基板保持件保持的状态下的处理后的基板进行冷却的技术，包括：朝向配置于规定的基准位置的所述基板保持件供给气体来冷却所述基板的第1冷却工序；停止所述气体的供给的停止工序；以及冷却由所述基板保持件的下部保持的所述基板的第2冷却工序。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本公开，能够使针对处理完毕的基板进行冷却的冷却时间缩短。
附图说明
[0012]图1是示出本公开的实施方式的处理装置的概略构成的纵向剖视图。
[0013]图2是示出本公开的实施方式的移载室的概略构成的横向剖视图。
[0014]图3的(A)是示出在舟皿位于基准位置的情况下的移载室的纵向剖视图，(B)是示出在舟皿位于上升位置的情况下的移载室的纵向剖视图。
[0015]图4是说明本公开的实施方式的在移载室中的针对处理完毕晶片的冷却工序的流程图。
[0016]图5是示出本公开的实施方式的第一变形例的移载室的概略构成的纵向剖视图，(A)示出舟皿位于基准位置的情况，(B)示出舟皿位于上升位置的情况。
[0017]图6是示出本公开的实施方式的第二变形例的移载室的概略构成的纵向剖视图，
(A)示出舟皿位于基准位置的情况，(B)示出舟皿位于上升位置的情况。
[0018]图7是示出本公开的实施方式的第三变形例的移载室的概略构成的纵向剖视图，(A)示出舟皿位于基准位置的情况，(B)示出舟皿位于上升位置的情况。
[0019]图8是示出本公开的实施方式的第四变形例的移载室的概略构成的纵向剖视图，(A)示出舟皿位于基准位置的情况，(B)示出舟皿位于上升位置的情况。
[0020]图9是示出本公开的实施方式的第五变形例的移载室的概略构成的纵向剖视图。
[0021]图10是说明本公开的实施方式的第五变形例的在移载室中的针对处理完毕晶片的冷却工序的流程图。
[0022]其中，附图标记说明如下：
[0023]1处理装置
[0024]2移载室
[0025]13舟皿
[0026]17基板移载机
[0027]39冷却气体喷嘴
[0028]41移载室气体供给机构
[0029]42控制器
[0030]59温度计
具体实施方式
[0031]以下，参照附图说明本公开的实施方式。此外，在以下的说明中使用的附图均为示意性的，在附图中示出的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等并非必须与现实中一致。另外，多个附图相互之间的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也并非必须一致。另外，在所有附图中，对相同或者对应的构成要素标注相同或者对应的附图标记，有时省略重复的说明。
[0032]在本实施方式中，基板处理装置构成为作为半导体器件(device)的制造方法中的制造工序的一工序而实施热处理等的基板处理工序的纵型基板处理装置(以下，称为处理装置)1。如图1所示，处理装置1具有移载室2、和配置在移载室2的上方的处理炉3。
[0033]处理炉3具备圆筒形状的反应管4、以及设于反应管4的外周的作为第1加热手段(加热机构)的加热器5。反应管4例如通过石英或SiC(碳化硅)来形成。在反应管4的内部形成有对作为基板的晶片W进行处理的处理室6。在反应管4设置有作为温度检测器的温度检测部7。
[0034]圆筒形的歧管8经由O形环等的密封部件连结于反应管4的下端开口部，支承反应管4的下端。歧管8例如由不锈钢等的金属形成。歧管8的下端开口部通过圆盘状的闸门9或者盖部11来开闭。盖部11例如由金属以圆盘状形成。在闸门9以及盖部11的上表面设置有O形环等的密封部件，由此，将反应管4内和外部气体气密性地密封。
[0035]在盖部11上设置有作为基板保持件的舟皿13。在舟皿13的下部设有隔热部12。隔热部12例如由石英来形成。在隔热部12的上方设有舟皿13的基板保持区域。舟皿13由顶板13a、底板13c、以及在顶板13a与底板13c之间设有多根柱13b来构成。舟皿13由在柱13b形成的多层槽垂直且多层地支承晶片W。舟皿13例如利用石英或SiC来形成。在进行基板处理时，
舟皿13收纳于处理室6。此外，隔热部12形成隔热区域，舟皿13和隔热部12可以为分体。
[0036]如图3的(A)、图3的(B)所示，舟皿13的基板保持区域能够被划分为上部基板保持区域13d、以及与上部基板保持区域13d在上下方向上相邻的下部基板保持区域13e这两个区域，在上部基板保持区域13d和下部基板保持区域13e分别装填有晶片W且保持该晶片W。
[0037]隔热部12连接于贯穿盖部11的旋转轴15。旋转轴15连接于设于盖部11的下方的旋转机构16。通过利用旋转机构16使旋转轴15旋转，能够使隔热部12以及舟皿13旋转。
[0038]在移载室2配置有基板移载机17、舟皿13和作为升降机构的舟皿升降机18。基板移载机17例如具有能够取出5张晶片W的臂部(镊钳)17a。基板移载机17构成为通过利用未图示的驱动手段使17a进行上下旋转动作，能够在位于晶片盒开启器19的位置的晶片盒21与舟皿13之间搬运晶片W。另外，基板移载机17构成为能够进行晶片映射。在此，晶片映射是指，确认晶片的有无或载置状态。特别是，由于在基板移载机17的镊钳17a前端的左右设有传感器(投光部、受光部)，所以能够根据晶片W的圆弧从传感器间通过来检测有无晶片。另外，通过以三个阶段使传感器接近晶片W来进行测定，能够检测晶片W的载置状态(姿势)。
[0039]舟皿升降机18通过使盖部11上下升降，来相对于反应管4使舟皿13搬入搬出。另外，舟皿升降机18构成为能够以在移载室2内能够在后述的基准位置(第1冷却位置)、上升位置(第2冷却位置)保持舟皿13的方式使舟皿13升降。在后面说明移载室2的详细内容。此外，上升位置是指，在利用基板移载机17取出由舟皿13保持的晶片W的情况下在利用基板移载机17开始搬运晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种冷却方法，对处于由基板保持件保持的状态下的处理后的基板进行冷却，所述冷却方法的特征在于，包括：第1冷却工序，朝向配置于规定的基准位置的所述基板保持件供给气体，来冷却所述基板；停止所述气体的供给的停止工序；以及第2冷却工序，冷却由所述基板保持件的下部保持的所述基板。2.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，构成为在所述停止工序中，进行对由所述基板保持件保持的所述基板的温度测定以及对载置状态的确认中的至少某一方。3.根据权利要求2所述的冷却方法，其特征在于，构成为在所述基板的温度比事先设定的温度小时，省略所述第2冷却工序。4.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，在所述第1冷却工序中，向所述基板保持件的顶板、所述基板保持件的装填有所述基板的基板保持区域、以及所述基板保持件的所述基板保持区域的边界供给所述气体。5.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，到由所述基板保持件的中心部保持的基板的温度成为100℃以下为止进行所述第1冷却工序。6.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，所述停止工序还具备将所述基板保持件从基准位置移动至能够搬运所述基板的位置为止的移动工序。7.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，构成为在所述移动工序中，进行对由所述基板保持件保持的所述基板的温度测定以及对移载状态的确认中的至少某一方。8.根据权利要求6所述的冷却方法，其特征在于，构成为在所述移动工序中，进行对由所述基板保持件的下部保持的所述基板的温度测定以及对移载状态的确认中的至少某一方。9.根据权利要求6所述的冷却方法，其特征在于，构成为在所述移动工序中，进行对至少由所述基板保持件的下端保持的所述基板的温度测定以及对移载状态的确认中的至少某一方。10.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，构成为在所述第2冷却工序中供给的气体的流量比在所述第1冷却工序中供给的所述气体的流量小。11.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，构成为在所述第2冷却工序中的气体的供给时间比在所述第1冷却工序中的所述气体的供给时间短。12.根据权利要求1所述的冷却方法，其特征在于，构成为在所述第2冷却工序中，向基板保持区域、所述基板保持件的隔热区域、所述基板保持区域与所述隔热区...

【专利技术属性】
技术研发人员：嶋田宽哲，上村大义，谷山智志，松永友树，江尻靖则，坂田雅和，大石护，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：