保护膜形成用膜制造技术

技术编号:35091851 阅读:11 留言:0更新日期:2022-10-01 16:50
本发明专利技术提供一种保护膜形成用膜,其即使在激光印字的线宽较窄时,也能够得到充分的印字可见性。所述保护膜形成用膜为在其表面进行激光印字的保护膜形成用膜,其中,将印字部的颜色设为以CIE1976L

【技术实现步骤摘要】
保护膜形成用膜


[0001]本专利技术涉及保护膜形成用膜及含有该保护膜形成用膜的保护膜形成用片,所述保护膜形成用膜贴附在半导体晶圆或半导体芯片的背面,且用于形成保护膜。

技术介绍

[0002]近年来,人们一直通过被称作倒装(face down)方式的安装方法进行半导体装置的制造。在该方法中,在对具有形成有凸点等电极的电路面的半导体芯片进行安装时,将半导体芯片的电路面侧与引线框架等芯片搭载部进行接合。因此,成为半导体芯片的未形成电路的背面侧露出的结构。
[0003]因此,很多情况下会在半导体芯片的背面侧形成由硬质的有机材料构成的保护膜,以保护半导体芯片。该保护膜通过使用例如专利文献1中所示的半导体背面用膜或切割胶带一体型晶圆背面保护膜而形成。
[0004]保护膜有时也会被用作用于显示具备该保护膜的工件(例如半导体晶圆)或加工物(例如半导体芯片)的信息的构件。即,有时会进行印字加工,该印字加工通过在保护膜的表面形成凹凸、明暗,使工件或加工物的相关信息以可识认的方式而显示。该印字加工通常通过对保护膜的表面照射激光来进行。为半导体芯片时,会印出芯片的制造商名称或商标、产品名称、产品编号、规格等芯片的属性。
[0005]关于这一点,对于专利文献1中的半导体背面用膜,其在波长532nm或1064nm下的透光率为20%以下。由此,能够通过照射激光进行印字加工,且防止了因激光造成的不良影响波及半导体元件。需要提高基于通过印字加工而形成在保护膜的表面的凹凸的信息的可见度(在本说明书中,也称为“印字可见性”)。专利文献2给出了通过将掺合在保护膜形成用膜中的填料的平均粒径设为0.4μm以下以提高印字可见性的启示。然而,近年来,伴随着半导体装置小型化的发展,印字可见性下降的倾向愈发显著。现有技术文献专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2012

28396号公报专利文献2:国际公开WO2015/146936

技术实现思路

本专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的专利技术人对印字可见性下降的主要原因进行了研究。保护膜形成用膜通常含有热固性或能量射线固化性的树脂、固化剂等添加剂、着色剂及填充剂。激光印字可在保护膜形成用膜固化前进行,也可对保护膜形成用膜进行固化而得到的已固化的保护膜进行激光印字。然后,逐次确认印出的信息,在各工序之间移动,最终移送至安装工序。此时,若印字可见性不充分,则有时会无法辨识芯片的属性或发生误认,在工序之间的移动或安装工序中发生不良情况。
[0008]此外,具有经过激光印字的保护膜的半导体芯片会在安装工序中暴露于回流工序。回流工序为使设置在用于搭载芯片的基板上的突起状焊料或设置在半导体芯片上的突起状焊料熔融,将基板与半导体芯片连接的工序。此时,半导体芯片会被加热至260℃左右。通过回流工序,半导体芯片与基板连接,从而制成产品。然而,印字的可见性有时会在回流工序后下降。印在芯片上的信息不仅用于半导体装置的组装工序中,其还显示半导体装置的品质,且具有提高设计性的功能。因此,对于已产品化的半导体装置而言,也要求维持印字可见性。
[0009]另一方面,对于半导体装置,一直不断追求小型化、高性能化。其结果,半导体芯片的尺寸不断小型化,由数mm见方进一步发展至1mm见方以下。伴随着小型化,能够进行激光印字的区域也逐渐窄小化,印字也变小,印出的文字、图形的线宽为有时为30μm或30μm以下。
[0010]根据这些事实,本专利技术的专利技术人认为,印字的线宽窄小化会使线宽因将保护膜形成用膜固化时的加热或回流时的加热而进一步变窄,进而导致印字可见性下降。由于将保护膜形成用膜固化时,保护膜形成用膜中所含有的树脂成分的流动性暂时提高,因此存在激光印字部的线宽变窄的可能。此外,即使是固化后的保护膜,在暴露在260℃左右的高温下时,保护膜部分软化,激光印字部变形,进而导致印字可见性下降。
[0011]因此,本专利技术的目的在于提供一种即使在印字的线宽较窄时,也能够得到充分的印字可见性的保护膜形成用膜。解决技术问题的技术手段
[0012]为了解决上述技术问题,本专利技术的专利技术人进行了认真研究,结果发现通过将印字部与非印字部的色差设为规定值以上,即使印字的线宽变窄也能够得到充分的印字可见性,从而完成了本专利技术。即,解决上述技术问题的本专利技术的主旨如下。
[0013](1)一种保护膜形成用膜,其为在表面进行激光印字的保护膜形成用膜,其中,将印字部的颜色设为以CIE1976L
*
a
*
b
*
表色系规定的坐标中的明度L
*p
、色度a
*p
、色度b
*p
,并将非印字部的颜色设为以CIE1976L
*
a
*
b
*
表色系规定的坐标中的明度L
*N
、色度a
*N
、色度b
*N
时,以下述式(A)定义的印字部与非印字部的色差ΔE
*ab
为8以上。ΔE
*ab
=[(L
*p

L
*N
)2+(a
*p

a
*N
)2+(b
*p

b
*N
)2]1/2
···
(A)
[0014](2)根据(1)所述的保护膜形成用膜,其中,以下述式(B)定义的印字部与非印字部的明度差ΔL
*
为8以上。ΔL
*
=[(L
*p

L
*N
)2]1/2
···
(B)
[0015](3)根据(1)或(2)所述的保护膜形成用膜,其中,所述印字部的明度L
*p
与非印字部的明度L
*N
满足L
*p
>L
*N

[0016](4)根据(1)~(3)中任一项所述的保护膜形成用膜,其中,所述印字部的颜色及非印字部的颜色为:进行激光印字后将保护膜形成用膜加热至130℃而使其固化后所测定的颜色。
[0017](5)根据(1)~(3)中任一项所述的保护膜形成用膜,其中,所述印字部的颜色及非印字部的颜色为:进行激光印字后将保护膜形成用膜加热至180℃而使其固化后,进一步进行三次260℃的10.8分钟的加热后所测定的颜色。
[0018](6)根据(1)~(5)中任一项所述的保护膜形成用膜,其中,所述印字部包含线宽为50μm以下的部分。
[0019](7)一种保护膜形成用片,其具备上述(1)~(6)中任一项所述的保护膜形成用膜与支撑片。专利技术效果
[0020]通过本专利技术,能够提供一种即便在保护膜形成用膜固化时或回流工序中印字的线宽较窄时,也能够得到充分的印字可见性的保护膜形成用膜。
附图说明
[0021]图1为示出本实本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种保护膜形成用膜,其为在其表面进行激光印字的保护膜形成用膜,其中,将印字部的颜色设为以CIE1976L
*
a
*
b
*
表色系规定的坐标中的明度L
*p
、色度a
*p
、色度b
*p
,并将非印字部的颜色设为以CIE1976L
*
a
*
b
*
表色系规定的坐标中的明度L
*N
、色度a
*N
、色度b
*N
时,以下述式(A)定义的印字部与非印字部的色差ΔE
*ab
为8以上,ΔE
*ab
=[(L
*p

L
*N
)2+(a
*p

a
*N
)2+(b
*p

b
*N
)2]
1/2
···
(A)。2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:山下茂之山本大辅中石康喜
申请(专利权)人:琳得科株式会社
类型:发明
国别省市:

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