发绿光的发光器件、发光基板和发光装置制造方法及图纸

本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发绿光的发光器件、发光基板和发光装置。可以提高器件的发光效率、寿命和稳定性。一种发绿光的发光器件，包括：层叠设置的第一电极和第二电极，设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；所述发光层包括第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料和所述第二主体材料形成激基复合物；所述第一主体材料的LUMO能级与所述第二主体材料的LUMO能级之间的能级差大于或等于0.5eV，且在同等的测试条件下，所述第一主体材料的空穴迁移率的数值的数量级，与所述第二主体材料的电子迁移率的数值的数量级之差大于或等于1。值的数量级之差大于或等于1。值的数量级之差大于或等于1。

【技术实现步骤摘要】
发绿光的发光器件、发光基板和发光装置


[0001]本公开涉及照明和显示
，尤其涉及一种发绿光的发光器件、发光基板和发光装置。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)具有自发光、广视角、反应时间快、发光效率高、工作电压低、基板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式基板及制程简单等特性，被誉为下一代的“明星”显示技术。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于，提供一种发绿光的发光器件、发光基板和发光装置。可以提高器件的发光效率、寿命和稳定性。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]一方面，提供一种发绿光的发光器件，包括：层叠设置的第一电极和第二电极，设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；所述发光层包括第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料和所述第二主体材料形成激基复合物；所述第一主体材料的LUMO能级与所述第二主体材料的LUMO能级之间的能级差大于或等于0.5eV，且在同等的测试条件下，所述第一主体材料的空穴迁移率的数值的数量级，与所述第二主体材料的电子迁移率的数值的数量级之差大于或等于1。
[0006]在一些实施例中，在电场强度为5000V
1/2
/m
1/2
的测试条件下，所述第一主体材料的空穴迁移率为1
×
10
‑8cm2V
‑1s
‑1～1
×/>10
‑6cm2V
‑1s
‑1，所述第二主体材料的电子迁移率为1
×
10
‑9cm2V
‑1s
‑1～1
×
10
‑6cm2V
‑1s
‑1。
[0007]在一些实施例中，所述第一主体材料的LUMO能级为
‑
2.4eV～
‑
2.0eV；所述第二主体材料的LUMO能级为
‑
3.0eV～
‑
2.7eV。
[0008]在一些实施例中，所述激基复合物的发射光谱的半峰宽度大于或等于90nm。
[0009]在一些实施例中，所述激基复合物的发射光谱的半峰宽度为100nm～110nm。
[0010]在一些实施例中，所述第一主体材料选自双咔唑的结构。
[0011]在一些实施例中，所述第一主体材料选自如下通式(I)或通式(II)所示结构：
[0012][0013]其中，X1和X2相同或不同，分别独立地选自单键、取代或未取代的环碳原子数为6～30个的亚芳基和取代或未取代的环碳原子数为2～30个的亚杂芳基中的任一种；每个Ar1相同或不同，分别独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、氨基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为3～60个的环烷基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的芳基和取代或未取代的含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～60个的杂芳基中的任一种；每个Ar2相同或不同，分别独立地选自氟、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷氧基、取代或未取代的环碳原子数为6～30个的芳基和取代或为取代的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；X1和X2中的取代基选自碳原子数为1～10个的烷基、环碳原子数为3～20个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；Ar1中的取代基选自碳原子数为4～6个的烷基、环碳原子数为3～10个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；Ar2中的取代基选自碳原子数为4～20个的烷基、环碳原子数为3～10个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；m选自0、1或2中的任一个。
[0014]在一些实施例中，所述第一主体材料选自如下结构中的任一种：
[0015][0016][0017]在一些实施例中，所述第二主体材料选自如下通式(III)所示结构：
[0018][0019]其中，X3、X4和X5分别独立地选自N或CR3，且X3～X5中至少一者为N，L选自单键、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为6～30个的亚芳基、取代或未取代的含有O、S、N和Si中的至少一者中碳原子数为2～60个的亚杂芳基中的任一种；A和B分别独立地选自环碳原子数为6～30个的芳环和环碳原子数为2～30个的杂芳环中的任一种；Ar3和Ar4分别独立地选自取代或未取代的碳原子数为2～20个的烷基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的芳基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的杂芳基中的任一种；R1、R2和R3分别独立地选自氢、取代或未取代的碳原子数为2～20个的烷基，取代或未取代的碳原子数为6～60个的芳基，和取代或未取代的含有O、N、S和Si中的至少一者中碳原子数为6～60个的杂芳基中的任一种；L、Ar3、Ar4、R1、R2和R3中的取代基分别独立地选自卤素、氰基、烷基、芳基和杂芳基中的任一种或多种组合。
[0020]在一些实施例中，所述第二主体材料选自如下结构中的任一种：
[0021][0022][0023]在一些实施例中，还包括：设置于所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输层，以及设置于所述第二电极和所述发光层之间的电子传输层；其中，所述空穴传输层的材料选自咔唑类化合物、六氰基六氮杂三亚苯基、2,3,5,6
‑
四氟
‑
7,7',8,8'
‑
四氰二甲基对苯醌和1,2,3
‑
三[(氰基)(4
‑
氰基
‑
2,3,5,6
‑
四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任一种或几种组合；所述电子传输层的材料选自包含有三嗪、吡啶、吖嗪和苯并咪唑中任一种或多种基团的化合物。
[0024]在一些实施例中，所述发光层还包括客体材料，所述客体材料选自如下结构中的一种或几种的组合：
[0025][0026]另一方面，提供一种发光基板，包括：衬底；以及设置于所述衬底上的多个发光器件；其中，至少一个发光器件为如上所述的发绿光的发光器件。
[0027]再一方面，提供一种发光装置，包括：如上所述的发光基板。
[0028]本专利技术实施例提供一种发绿光的发光器件、发光基板和发光装置。通过使第一主体材料的LUMO能级与第二主体材料的LUMO能级之间的能级差大于或等于0.5eV，在上述电子和空穴传输过程中，可以在第二主体材料的LUMO能级和第一主体材料的LUMO能级之间形成较大的势垒(电子陷阱)，与相关技术中第一主体材料的LUMO能级和第二主体材料的LUMO能级之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发绿光的发光器件，其特征在于，包括：层叠设置的第一电极和第二电极；设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；所述发光层包括第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料和所述第二主体材料形成激基复合物；所述第一主体材料的LUMO能级与所述第二主体材料的LUMO能级之间的能级差大于或等于0.5eV，且在同等的测试条件下，所述第一主体材料的空穴迁移率的数值的数量级，与所述第二主体材料的电子迁移率的数值的数量级之差大于或等于1。2.根据权利要求1所述的发绿光的发光器件，其特征在于，在电场强度为5000V
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/m
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的测试条件下，所述第一主体材料的空穴迁移率为1
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‑1～1
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‑6cm2V
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‑1，所述第二主体材料的空穴迁移率为1
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‑9cm2V
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‑6cm2V
‑1s
‑1。3.根据权利要求1所述的发绿光的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料的LUMO能级为
‑
2.4eV～
‑
2.0eV；所述第二主体材料的LUMO能级为
‑
3.0eV～
‑
2.7eV。4.根据权利要求1所述的发绿光的发光器件，其特征在于，所述激基复合物的发射光谱的半峰宽度大于或等于90nm。5.根据权利要求4所述的发绿光的发光器件，其特征在于，所述激基复合物的发射光谱的半峰宽度为100nm～110nm。6.根据权利要求1～5任一项所述的发绿光的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料选自双咔唑的结构。7.根据权利要求6所述的发绿光的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料选自如下通式(I)或通式(II)所示结构：所述第一主体材料选自如下通式(I)或通式(II)所示结构：
其中，X1和X2相同或不同，分别独立地选自单键、取代或未取代的环碳原子数为6～30个的亚芳基和取代或未取代的环碳原子数为2～30个的亚杂芳基中的任一种；每个Ar1相同或不同，分别独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、氨基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为3～60个的环烷基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的芳基和取代或未取代的含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～60个的杂芳基中的任一种；每个Ar2相同或不同，分别独立地选自氟、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷氧基、取代或未取代的环碳原子数为6～30个的芳基和取代或为取代的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；X1和X2中的取代基选自碳原子数为1～10个的烷基、环碳原子数为3～20个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马坤，高荣荣，王丹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：