一种新型太阳能电池正面减反射膜结构及新型太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型太阳能电池正面减反射膜结构及电池，所述减反射膜结构包括依次叠加设置于电池片正面上的第一氮化硅薄膜层、第二氮化硅薄膜层、第三氮化硅薄膜层、第四氮化硅薄膜层、第五氮化硅薄膜层、第一氮氧化硅薄膜层、第二氮氧化硅薄膜层以及氧化硅薄膜层；第一氮化硅薄膜层至所述氧化硅薄膜层的折射率依次递减。本实用新型专利技术提供了一种结构设计简单的新型太阳能电池正面减反射膜结构，本实用新型专利技术的这种正面减反射膜结构，其具有良好的表面钝化效果和抗PID能力，可以提高正面光利用率，从而提升电池片转换效率，满足当前高效电池对高品质正膜的要求。本实用新型专利技术设计的新型太阳能电池正面减反射膜结构，转换效率能够稳定提升0.04％以上。够稳定提升0.04％以上。够稳定提升0.04％以上。

【技术实现步骤摘要】
一种新型太阳能电池正面减反射膜结构及新型太阳能电池


[0001]本技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种新型太阳能电池正面减反射膜结构及新型太阳能电池。

技术介绍

[0002]太阳能是一种绿色、清洁的能源，可以被视为取之不尽用之不竭。随着光伏行业的发展，太阳能电池的广泛应用，能够在一定程度上缓解社会面料的能源压力。目前，太阳能电池中以晶硅太阳能电池为主，在晶硅太阳能电池生产过程中，其正面制备的减反射膜对于电池效率的提升有着至关重要的作用。
[0003]目前，晶硅太阳能电池其正面减反射膜的制备主要是通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，是指离子体增强化学气相沉积)方法在硅片正面镀三层膜或四层膜，即在太阳电池的前表面镀制一层薄膜，这层薄膜兼有表面钝化和减反射作用。钝化的目的就是要尽量减少这些表面陷阱所引起的非平衡载流子(少子)的复合，其通常的做法是在半导体表面制备一层薄膜，依靠薄膜中的各种原子(如氢原子、氧原子、氮原子等)与半导体表面悬挂键结合，将这些陷阱能级饱和，或者通过调制表面势场使载流子远离表面，从而降低表面陷阱对载流子寿命的影响。目前，太阳能电池大规模生产中，太阳能电池车间正面镀膜使用三层膜或四层膜工艺，此类膜层结构设计导致膜层单一，且调整范围较小从而损失效率。可见，目前晶硅太阳能电池正面减反射膜的设计并没有达到优化的极限，其并不利于光的吸收且表面钝化效果较差。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于，针对现有晶硅太阳能电池中正面减反射膜结构设计的缺陷，而提供一种新型太阳能电池正面减反射膜结构，本技术提供的这种正面减反射膜结构，其具有良好的表面钝化效果和抗PID能力，可以提高正面光利用率，从而提升电池片转换效率，满足当前高效电池对高品质正膜的要求。
[0005]上述的PID(Potential Induced Degradation)是指电势诱导衰减，对于晶硅电池片而言，表面的减反射膜层的质量会影响PID效应的发生，减反射层的折射率较低时，更容易发生PID效应。
[0006]为解决上述技术问题，本技术是通过如下技术方案实现的：
[0007]一种新型太阳能电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述的减反射膜结构包括依次叠加设置于电池片正面上的第一氮化硅薄膜层、第二氮化硅薄膜层、第三氮化硅薄膜层、第四氮化硅薄膜层、第五氮化硅薄膜层、第一氮氧化硅薄膜层、第二氮氧化硅薄膜层以及氧化硅薄膜层；所述的第一氮化硅薄膜层至所述氧化硅薄膜层的折射率依次递减；所述减反射膜的整体厚度为72
±
5nm。
[0008]具体的，目前传统的正面减反射膜层之间跨度较大，不利于光的吸收，而本技术将正面减反射膜设计为8层膜的结构，增加了氮化硅薄膜层和氮氧化硅薄膜层，达到了提
高光利用率和表面钝化效果的目的，有效提升了电池片的转换效率。
[0009]进一步的，一种新型太阳能电池正面减反射膜结构：所述第一氮化硅薄膜层的折射率为2.3
‑
2.4。
[0010]进一步的，一种新型太阳能电池正面减反射膜结构：所述第二氮化硅薄膜层的折射率为2.24
‑
2.3。
[0011]进一步的，一种新型太阳能电池正面减反射膜结构：所述第三氮化硅薄膜层的折射率为2.15
‑
2.25。
[0012]进一步的，一种新型太阳能电池正面减反射膜结构：所述第四氮化硅薄膜层的折射率为2.05
‑
2.15。
[0013]进一步的，一种新型太阳能电池正面减反射膜结构：所述第五氮化硅薄膜层的折射率为1.95
‑
2.05。
[0014]进一步的，一种新型太阳能电池正面减反射膜结构：所述第一氮氧化硅薄膜层的折射率为1.7
‑
1.9。
[0015]进一步的，一种新型太阳能电池正面减反射膜结构：所述第二氮氧化硅薄膜层的折射率为1.7
‑
1.8。
[0016]进一步的，一种新型太阳能电池正面减反射膜结构：所述氧化硅薄膜层的折射率为1.4
‑
1.5。
[0017]一种新型太阳能电池，其特征在于，包含上所述的太阳能电池正面减反射膜结构。
[0018]本技术的有益效果：
[0019](1)本技术提供了一种结构设计简单的新型太阳能电池正面减反射膜结构，本技术提供的这种正面减反射膜结构，其具有良好的表面钝化效果和抗PID能力，可以提高正面光利用率，从而提升电池片转换效率，满足当前高效电池对高品质正膜的要求。
[0020](2)本技术通过优化设计的氧化硅薄膜层(折射率为1.4
‑
1.5)，进一步增加了钝化效果和抗PID能力。
[0021](3)本技术设计的新型太阳能电池正面减反射膜结构，其转换效率能够稳定提升达到0.04％以上。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
[0023]图1为本技术实施例1提供的太阳能电池正面减反射膜结构的示意图；
[0024]图2为对比例1提供的太阳能电池正面减反射膜结构的示意图。
[0025]图中标记：1电池片、2第一氮化硅薄膜层、3第二氮化硅薄膜层、4第三氮化硅薄膜层、5第四氮化硅薄膜层、6第五氮化硅薄膜层、7第一氮氧化硅薄膜层、8第二氮氧化硅薄膜层、9氧化硅薄膜层。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含的包括一个或者更多个该特征。而且，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型太阳能电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述的减反射膜结构包括依次叠加设置于电池片(1)正面上的第一氮化硅薄膜层(2)、第二氮化硅薄膜层(3)、第三氮化硅薄膜层(4)、第四氮化硅薄膜层(5)、第五氮化硅薄膜层(6)、第一氮氧化硅薄膜层(7)、第二氮氧化硅薄膜层(8)以及氧化硅薄膜层(9)；所述的第一氮化硅薄膜层(2)至所述氧化硅薄膜层(9)的折射率依次递减；所述减反射膜的整体厚度为72
±
5nm。2.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述第一氮化硅薄膜层(2)的折射率为2.3
‑
2.4。3.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述第二氮化硅薄膜层(3)的折射率为2.24
‑
2.3。4.根据权利要求1所述的一种新型太阳能电池正面减反射膜结构，其特征在于，所述第三氮化硅薄膜层(4)的折射率为2.15
‑
2.25。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：公祥运，钞智权，李军勇，陶龙忠，
申请(专利权)人：江苏润阳光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：