双MOS管的负载保护警报电路制造技术

本发明专利技术提供一种双MOS管的负载保护警报电路，包括MCU单片机和负载控制电路，所述负载控制电路包括负载电源、负载、NMOS管、PMOS管和第五电阻；所述负载电源、所述负载、所述NMOS管、所述PMOS管和所述第五电阻依次串联接地，所述NMOS管和所述PMOS管由所述MCU单片机的不同控制端不同的电平控制，所述MCU单片机还检测所述NMOS管和所述PMOS管中间的电平和所述第五电阻的电压值。本发明专利技术可以准确检测出产品故障，通过三重保护警报，防止在负载非工作状态下，对用户造成安全方面的风险和隐患。对用户造成安全方面的风险和隐患。对用户造成安全方面的风险和隐患。

【技术实现步骤摘要】
双MOS管的负载保护警报电路


[0001]本专利技术涉及一种负载保护警报电路，尤其涉及一种适用于家电类产品的双MOS管的负载保护警报电路。

技术介绍

[0002]目前家电类产品(手持式果汁杯，智能小碗，电饭煲等)，负载为阻性加热负载或感性转动负载，通过一个三极管或者MOS管控制负载开与关。通常情况下，家电类产品负载只有一个三极管或者MOS管控制，若三极管或MOS管失效或损坏，一直导通不受控，导致负载一直工作，就会产生安全隐患和风险。

技术实现思路

[0003]本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中家电类产品负载控制的上述缺陷，提供一种双MOS管的负载保护警报电路。
[0004]本专利技术是通过以下技术方案解决上述技术问题的：
[0005]一种双MOS管的负载保护警报电路，包括MCU单片机和负载控制电路，所述负载控制电路包括负载电源、负载、NMOS管、PMOS管和第五电阻；
[0006]所述负载电源、所述负载、所述NMOS管、所述PMOS管和所述第五电阻依次串联接地，所述NMOS管和所述PMOS管由所述MCU单片机的不同控制端不同的电平控制，所述MCU单片机还检测所述NMOS管和所述PMOS管中间的电平和所述第五电阻的电压值。
[0007]较佳地，所述NMOS管在所述MCU单片机的第一控制端为高电平时导通，所述PMOS管在所述MCU单片机的第二控制端为低电平时导通，所述负载在所述NMOS管和所述PMOS管同时导通时导通工作。
[0008]较佳地，所述负载控制电路还包括NPN三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻；
[0009]所述NPN三极管的基极通过第六电阻连接所述第一控制端，还通过所述第一电阻接地；所述NPN三极管的发射极连接所述第NMOS管的栅极，还通过所述第二电阻接地；所述NPN三极管的集电极连接VCC；
[0010]所述PMOS管的栅极通过第七电阻连接所述第二控制端，还通过所述第三电阻连接VCC。
[0011]较佳地，所述MCU单片机还通过电平检测端检测在所述负载非工作状态下，所述NMOS管是否失效导通，所述PMOS管是否失效导通。
[0012]较佳地，所述NMOS管的源极连接所述PMOS管的源极，所述PMOS管的漏极通过所述第五电阻接地；
[0013]所述NMOS管的源极通过第八电阻连接所述电平检测端，还通过第九电阻连接所述MCU单片机的检测控制端，所述检测控制端被设为输出高电平、输出低电平或输入。
[0014]较佳地，所述MCU单片机还通过电压检测端检测所述负载是否导通工作。
[0015]较佳地，所述负载控制电路还包括第四电阻，所述第五电阻的非接地端通过所述
第四电阻连接所述电压检测端，所述电压检测端还通过电容接地。
[0016]较佳地，所述MCU单片机的第三控制端通过第十电阻连接警报器。
[0017]较佳地，所述第三控制端发生在以下任意一种情况时控制所述警报器发出警报：
[0018]在所述负载非工作状态下，所述NMOS管失效导通；
[0019]在所述负载非工作状态下，所述PMOS管失效导通；
[0020]在所述负载非工作状态下，所述MCU单片机检测到所述第五电阻的电压不为0。
[0021]较佳地，所述负载为阻性加热负载或感性转动负载。
[0022]在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本专利技术各较佳实例。
[0023]本专利技术的积极进步效果在于：本专利技术通过运用所述NMOS管和所述PMOS管串联且所述NMOS管和所述PMOS管由不同控制端不同电平控制；针对串联的所述NMOS管和所述PMOS管，通过检测所述NMOS管和所述PMOS管中间的电平，判断所述NMOS管和所述PMOS管是否失效导通；针对负载，通过检测所述第五电阻的电压值，判断负载是否导通。本专利技术可以准确检测出产品故障，通过三重保护警报，防止在负载非工作状态下，对用户造成安全方面的风险和隐患。
附图说明
[0024]图1为本专利技术实施例1的双MOS管的负载保护警报电路的电路图。
具体实施方式
[0025]下面举个较佳实施例，并结合附图来更清楚完整地说明本专利技术。
[0026]实施例1
[0027]图1示出了本实施例的一种双MOS管的负载保护警报电路。所述负载保护警报电路包括MCU单片机U1和负载控制电路，所述负载控制电路包括负载电源VLOAD、负载L1、PMOS管Q1、NMOS管Q2和第五电阻R5；所述负载电源VLOAD、所述负载L1、所述NMOS管Q2、所述PMOS管Q1和所述第五电阻R5依次串联接地，所述NMOS管Q2和所述PMOS管Q1由所述MCU单片机U1的不同控制端不同的电平控制，所述MCU单片机U1还检测所述NMOS管Q2和所述PMOS管Q1中间的电平和所述第五电阻R5的电压值。
[0028]其中，所述第五电阻R5可以为高精度小阻值的电阻。所述控制端可以为所述MCU单片机U1的I/O口。所述负载L1可以为阻性加热负载或感性转动负载。
[0029]在一种可选的实施方式中，所述NMOS管Q2在所述MCU单片机U1的第一控制端为高电平时导通，所述PMOS管Q1在所述MCU单片机U1的第二控制端为低电平时导通，所述负载L1在所述NMOS管Q2和所述PMOS管Q1同时导通时导通工作。其中，所述第一控制端和所述第二控制端可以为不同的I/O口，例如分别为所述MCU单片机U1的3脚和4脚。
[0030]进一步地，所述负载控制电路还包括NPN三极管Q3、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3；所述NPN三极管Q3的基极通过第六电阻R6连接所述第一控制端，还通过所述第一电阻R1接地；所述NPN三极管Q3的发射极连接所述第NMOS管Q2的栅极，还通过所述第二电阻R2接地；所述NPN三极管Q3的集电极连接VCC；所述PMOS管Q1的栅极通过第七电阻R7连接所述第二控制端，还通过所述第三电阻R3连接VCC。
[0031]本实施例中，所述NMOS管Q2和所述PMOS管Q1串联且所述NMOS管Q2和所述PMOS管Q1由不同控制端不同电平控制：所述NMOS管Q2和所述PMOS管Q1串联，其中一个MOS管失效导通，另一个MOS管可以控制所述负载L1开关，两个不同控制端不同的电平分别控制所述NMOS管Q2和所述PMOS管Q1，若MCU死机或失控(如两个控制端电平相同)，负载L1也不会导通。
[0032]在一种可选的实施方式中，所述MCU单片机U1还通过电平检测端检测在所述负载L1非工作状态下，所述NMOS管Q2是否失效导通，所述PMOS管Q1是否失效导通。其中，所述电平检测端可以为另一个I/O口，例如，为所述MCU单片机U1的5脚。
[0033]进一步地，所述NMOS管Q2的源极连接所述PMOS管Q1的源极，所述PMOS管Q1的漏极通过所述第五电阻R5接地；所述NMOS管Q2的源极通过第八电阻R8连接所述电平检测端，还通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双MOS管的负载保护警报电路，其特征在于，包括MCU单片机和负载控制电路，所述负载控制电路包括负载电源、负载、NMOS管、PMOS管和第五电阻；所述负载电源、所述负载、所述NMOS管、所述PMOS管和所述第五电阻依次串联接地，所述NMOS管和所述PMOS管由所述MCU单片机的不同控制端不同的电平控制，所述MCU单片机还检测所述NMOS管和所述PMOS管中间的电平和所述第五电阻的电压值。2.如权利要求1所述的双MOS管的负载保护警报电路，其特征在于，所述NMOS管在所述MCU单片机的第一控制端为高电平时导通，所述PMOS管在所述MCU单片机的第二控制端为低电平时导通，所述负载在所述NMOS管和所述PMOS管同时导通时导通工作。3.如权利要求2所述的双MOS管的负载保护警报电路，其特征在于，所述负载控制电路还包括NPN三极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻；所述NPN三极管的基极通过第六电阻连接所述第一控制端，还通过所述第一电阻接地；所述NPN三极管的发射极连接所述第NMOS管的栅极，还通过所述第二电阻接地；所述NPN三极管的集电极连接VCC；所述PMOS管的栅极通过第七电阻连接所述第二控制端，还通过所述第三电阻连接VCC。4.如权利要求1所述的双MOS管的负载保护警报电路，其特征在于，所述MCU单片机还通过电平检测端检测在所述负载非工作状态下，所述NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨路路，茅俊虎，杨建邦，戴忠伟，
申请(专利权)人：广达创芯电子技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：