上电复位电路制造技术

本申请提供了一种上电复位电路，应用于集成电路领域，包括：延时模块和第一反相器。延时模块的第一端和第一反相器的第一端分别与电源电连接；延时模块的第二端和第一反相器的第二端接地；延时模块的第三端与第一反相器的第三端电连接；第一反相器的第四端与数字电路电连接；延时模块在电源传输的电信号由低电平变化为高电平时，生成控制充电时长的电流，并利用电流进行充电，并在充电完成时将生成的输出电信号传输至第一反相器。第一反相器在输出电信号的电压达到预设反向电压阈值时，将输出电信号进行反相，得到上电复位信号并传输至数字电路，能够对电源传输的电信号进行分压生成区别于传统POR电路消耗μA级电流的nA级电流，降低功耗。低功耗。低功耗。

【技术实现步骤摘要】
上电复位电路


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种上电复位电路。

技术介绍

[0002]在集成电路设计领域中，各种集成电路都可以包括上电复位(Power On Reset，POR)电路。POR电路通常是用于给集成电路中的数字电路发送复位信号，以使数字电路复位启动并初始化至设计者所期望的初始状态。
[0003]传统的上电复位电路为了消除上电初始时的不稳定态，通常是采用接入低通滤波电路实现信号的延迟。并利用比较器对接入的带隙基准(Bandgap)电压与电源电压的电阻分压信号进行比较，当电阻分压信号大于该带隙基准电压时，产生复位信号。
[0004]然而，现有技术的POR电路在运行过程中存在功耗高的问题。

技术实现思路

[0005]为克服现有技术中存在的技术问题，提供一种能够在POR电路运行过程中降低功耗的上电复位电路。
[0006]本申请提供一种上电复位电路，包括：延时模块和第一反相器；延时模块的第一端和第一反相器的第一端分别用于与电源电连接；延时模块的第二端和第一反相器的第二端接地；延时模块的第三端与第一反相器的第三端电连接；第一反相器的第四端用于与数字电路电连接；
[0007]延时模块，用于在电源传输的电信号由低电平变化为高电平时，生成用于控制充电时长的电流，并利用电流进行充电，并在充电完成时将生成的输出电信号传输至第一反相器；
[0008]第一反相器，用于在输出电信号的电压达到预设反向电压阈值时，将输出电信号进行反相，得到上电复位信号并传输至数字电路。
[0009]在其中一个实施例中，延时模块包括电流生成单元和延时单元；电流生成单元的第一端电源电连接，电流生成单元的第二端接地，电流生成单元的第三端与延时单元一端电连接；延时单元的另一端接地；
[0010]电流生成单元，用于在电源传输的电信号由低电平变化为高电平时，生成控制充电时长的电流，并将电流传输至延时单元；
[0011]延时单元，用于利用电流进行充电；
[0012]电流生成单元，还用于在延时单元充电完成时，将生成的输出电信号传输至第一反相器。
[0013]在其中一个实施例中，电流生成单元包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；
[0014]第一MOS管的第一端和第三MOS管的第一端分别与电源电连接；第一MOS管的第三端与第三MOS管的第二端电连接；第一MOS管的第二端与第二MOS管的第一端电连接，第二MOS管的第二端接地；第三MOS管的第三端与延时单元的一端电连接；其中，第二MOS管为倒
比例管。
[0015]在其中一个实施例中，第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管均为PMOS管；第一MOS管的源级和第三MOS管的源级分别与电源电连接；第一MOS管的漏极与第二MOS管的源级电连接，第二MOS管的漏极接地；第一MOS管的漏极和第三MOS管的栅极分别与第一MOS管的栅极电连接；延时单元一端和第一反相器的第三端分别与第三MOS管的漏极电连接。
[0016]在其中一个实施例中，延时单元包括第四MOS管；第四MOS管为NMOS管；电流生成单元的第三端和第一反相器的第三端分别与第四MOS管的栅极电连接；第四MOS管的源级和漏极均接地。
[0017]在其中一个实施例中，第一反相器包括第五MOS管和第六MOS管；
[0018]第五MOS管为PMOS管；第六MOS管为NMOS管；第五MOS管的源级与电源电连接，第五MOS管的漏极与第六MOS管的漏极电连接，第六MOS管的源级接地；第五MOS管和第六MOS管的第一公共端和延时模块的第三端电连接。
[0019]在其中一个实施例中，上电复位电路还包括：泄电模块；
[0020]泄电模块的第一端与电源电连接；泄电模块的第二端接地；泄电模块的第三端与延时模块电连接；
[0021]泄电模块，用于在电源提供的电信号由高电平转向低电平时导通；
[0022]延时模块，用于在泄电模块导通时泄放存储的电荷。
[0023]在其中一个实施例中，泄电模块包括第七MOS管和第八MOS管；
[0024]第七MOS管和第八MOS管均为PMOS管；第七MOS管的源级与电源电连接，第七MOS管的栅极和漏极均与第八MOS管的栅极电连接；第八MOS管的漏极接地，第八MOS管的源级与延时模块电连接。
[0025]在其中一个实施例中，上电复位电路还包括：噪声去除模块；
[0026]噪声去除模块的第一端用于与电源电连接；噪声去除模块的第二端接地；噪声去除模块的第三端与第一反相器的第四端电连接；噪声去除模块的第四端与数字电路电连接；
[0027]噪声去除模块，用于将上电复位信号的噪声去除，并将去除噪声后的上电复位信号传输至数字电路。
[0028]在其中一个实施例中，噪声去除模块包括：施密特触发器、第二反相器和第三反相器；施密特触发器的输入端与第一反相器的第四端电连接，施密特触发器与第二反相器的输入端电连接；第三反相器的输入端和数字电路的输入端分别与第二反相器的输出端电连接；第三反相器的输出端与数字电路的输入端电连接。
[0029]由以上的技术方案可知，本申请提供了一种上电复位电路，包括延时模块和第一反相器。延时模块的第一端和第一反相器的第一端分别用于与电源电连接，延时模块的第二端和第一反相器的第二端接地，延时模块的第三端与第一反相器的第三端电连接，第一反相器的第四端用于与数字电路电连接。当电源传输的电信号由低电平变化为高电平时，通过延时模块生成控制充电时长的电流，并利用电流进行充电以达到信号延时的效果。在延时模块充电完成时将生成的输出电信号传输至第一反相器，进而第一反相器在输出电信号的电压达到预设反向电压阈值时，将输出电信号进行反相，得到上电复位信号并传输至数字电路。该上电复位电路的延时模块能够生成需要消耗功耗较小电流，同时，第一反相器
相较于传统POR电路无需外接带隙基准电路，利用自身的反相阈值则可以生成上电复位信号，消耗的功耗较低。
附图说明
[0030]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0031]图1为传统上电复位电路的结构示意图；
[0032]图2为本申请的第一实施例中上电复位电路的结构示意图；
[0033]图3为本申请的第二实施例中上电复位电路的结构示意图；
[0034]图4为本申请的第三实施例中上电复位电路的结构示意图；
[0035]图5为本申请的第四实施例中上电复位电路的结构示意图；
[0036]图6为本申请的第五实施例中上电复位电路的结构示意图；
[0037]图7为本申请的第六实施例中上电复位电路的结构示意图；
[0038]图8为本申请的第七实施例中上电复位电路的结构示意图；
[0039]图9为本申请的第八实施例中上电复位电路的结构示意图；
[0040]图10为本申本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括：延时模块和第一反相器；所述延时模块的第一端和所述第一反相器的第一端分别用于与电源电连接；所述延时模块的第二端和所述第一反相器的第二端接地；所述延时模块的第三端与所述第一反相器的第三端电连接；所述第一反相器的第四端用于与数字电路电连接；所述延时模块，用于在所述电源传输的电信号由低电平变化为高电平时，生成用于控制充电时长的电流，并利用所述电流进行充电，并在充电完成时将生成的输出电信号传输至所述第一反相器；所述第一反相器，用于在所述输出电信号的电压达到预设反向电压阈值时，将所述输出电信号进行反相，得到上电复位信号并传输至所述数字电路。2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述延时模块包括电流生成单元和延时单元；所述电流生成单元的第一端所述电源电连接，所述电流生成单元的第二端接地，所述电流生成单元的第三端与所述延时单元一端电连接；所述延时单元的另一端接地；所述电流生成单元，用于在所述电源传输的电信号由低电平变化为高电平时，生成控制充电时长的电流，并将所述电流传输至所述延时单元；所述延时单元，用于利用所述电流进行充电；所述电流生成单元，还用于在所述延时单元充电完成时，将生成的所述输出电信号传输至所述第一反相器。3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述电流生成单元包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；所述第一MOS管的第一端和所述第三MOS管的第一端分别与所述电源电连接；所述第一MOS管的第三端与所述第三MOS管的第二端电连接；所述第一MOS管的第二端与所述第二MOS管的第一端电连接，所述第二MOS管的第二端接地；所述第三MOS管的第三端与所述延时单元的一端电连接；其中，所述第二MOS管为倒比例管。4.根据权利要求3所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管均为PMOS管；所述第一MOS管的源级和所述第三MOS管的源级分别与所述电源电连接；所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的源级电连接，所述第二MOS管的漏极接地；所述第一MOS管的漏极和所述第三MOS管的栅极分别与所述第一MOS管的栅极电连接；所述延时单元一端和所述第一反相器的第三端分别与所述第三MOS管的漏极电连接。5.根据权利要求2
‑
4任一项所述上电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张学军，杨书山，
申请(专利权)人：北京泽声科技有限公司，
类型：发明
国别省市：