一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风制造技术

本实用新型专利技术涉及硅麦克风技术领域，具体涉及一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风；包括麦克风主体，麦克风主体上设置有屏蔽罩，屏蔽罩上设置有长条形的进声口，进声口相对的两侧边向屏蔽罩内部延伸形成引导舌板，引导舌板的头部与屏蔽罩主体形成圆滑过渡结构，两个引导舌板之间形成进声缝隙。本实用新型专利技术对进声口处的结构进行优化改进，通过进声缝隙减弱外部光噪和风噪的影响，同时保障声音传播；在屏蔽罩内的麦克风主体能够更加稳定的运行，避免在外部干扰下导致硅麦克风运行差错，提高了硅麦克风在实际应用中的可靠性，提高了使用硅麦克风的体验度。的体验度。的体验度。

【技术实现步骤摘要】
一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风


[0001]本技术涉及硅麦克风
，具体涉及一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风。

技术介绍

[0002]目前在消费类电子产品中广泛使用的前进声硅麦克风(包括模拟和数字输出的硅麦克风)，其外贴的屏蔽罩均设置有一个比较大的圆形进声孔，声音则通过圆形进声孔到达硅麦克风内部的MEMS和ASIC芯片从而实现声电转换。但是由于屏蔽罩整体尺寸较小，很难手动或自动化外加任何保护材料，即使增加上保护材料其成本也是大幅度上升。所以在使用过程中硅麦克风内部的MEMS芯片特别容易受到高亮光源和风噪的干扰，以及灰尘、水或液体的覆盖和侵蚀的影响，这些不利因素最终会导致MEMS芯片性能下降，严重的会影响到整个产品的使用和客户的体验感。
[0003]关于高亮光源的影响，如果高亮光源照射到MEMS芯片，MEMS芯片内部的电子被光子激发出来，会形成一种无规律运动的电流，即产生一种电子噪声信号，最后通过ASIC芯片输出音频噪声信号。尤其在高亮光源“一闪一闪”时，硅麦会产生同节奏“哒哒”的干扰噪声信号，这不是我们乐意听到的声音，所以需要加以规避。从能量转化的角度来看，这是一个光生电，光能转化为电能的过程，也就是所谓的半导体光学效应，只是这种光电信号是一种无用的干扰噪声信号，所以可以定义为“光噪”。
[0004]关于风噪的影响，当环境风声较大或使用硅麦者处于高速运动时，强大的风压会影响到MEMS芯片中振膜的运动，同样硅麦会产生对应的噪声音频信号。这种因风压而产生的音频信号是一种无用的干扰噪声信号，所以可以定义为“风噪”。
[0005]因此，现有的硅麦克风还存在亟待改进的空间，其应对高亮光源干扰和风噪干扰的能力还有待提升，需要对当前的硅麦克风结构进行优化改进，在高亮光源和风噪的干扰下正常工作，且MEMS芯片不会被干扰导致异常。故需要提出更为合理的技术方案，解决现有技术中存在的技术问题。

技术实现思路

[0006]为了克服上述内容中提到的现有技术存在的缺陷，本技术提出一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风，通过对麦克风屏蔽罩进声孔处结构的优化改进，能够在高亮光源的情况下和风噪影响下正常工作，避免出现硅麦克风性能异常。
[0007]为了实现上述目的，本技术具体采用的技术方案是：
[0008]一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风，包括麦克风主体，麦克风主体上设置有屏蔽罩，屏蔽罩上设置有长条形的进声口，进声口相对的两侧边向屏蔽罩内部延伸形成引导舌板，引导舌板的头部与屏蔽罩主体形成圆滑过渡结构，两个引导舌板之间形成进声缝隙。
[0009]上述公开的硅麦克风结构，麦克风主体为现有的技术，即也包括MEMS芯片和ASIC
芯片，通过将进声口处的结构进行改进，通过引导舌板形成小尺寸的进声缝隙，引导舌板的遮挡能够减弱进光量、遮挡光线直达MEMS芯片的路径，能够避免外部的高亮光源通过直射、反射或折射等影响到MEMS芯片的正常工作，而即使少量进入的光线会被ASIC表面黑胶吸收，造成的影响非常微弱，达到规避“光噪”的目的。同时，进声缝隙处结构能够减弱和遮挡风声直达MEMS芯片振膜的风压强度，达到减弱“风噪”的目的。因此，上述公开的硅麦克风结构，不仅能够极大地减少光噪和风噪，同时还不影响正常使用。
[0010]进一步的，进声口的尺寸可进行适当的限定，以增强减噪的效果，此处进行优化改进并举出其中一种可行的选择：所述的进声口的长度小于等于600微米，引导舌板的宽度与进声口的长度相等。采用如此方案时，进声口一般为长条的方形孔，其宽度远小于长度，结合引导舌板的结构，能够形成较大的进声空间，但光和风流不易从进声缝隙进入，从而降低了光噪和风噪。
[0011]进一步的，在进声缝隙的尺寸上进行限定，在满足声音传播的需求下，减少光由于直射、反射、折射和衍射等进入屏蔽罩内部的可能，同样减少外部风噪差生的影响；进声缝隙的宽度可被构造成多种尺寸，此处进行优化并举出其中一种可行的选择：所述的进声缝隙的宽度为40～100微米，且引导舌板向麦克风主体延伸的长度大于进声缝隙的宽度。采用如此方案时，保持了进声宽度的足够小，同时引导舌板的延伸长度大于进声宽度时，可遮挡照射角度大于等于45
°
的直射光，当延伸长度越长，可遮挡的照射角度范围越大，直射光只能以更加接近进声缝隙延伸方向的角度才有可能进入屏蔽罩内，因此能够更好的降低光噪带来的影响。
[0012]再进一步，引导舌板形成进声缝隙后，声音能够通过进声缝隙传播到屏蔽盖内部，进声缝隙的形状不影响声音的传播，因此其形状并不唯一限定，在一些方案中可被构造为相对单一的形状，在一些方案中可被构造为相对复杂的结构；此处进行优化并举出其中一种可行的选择：所述的引导舌板朝向麦克风主体延伸的部分平直，且两个引导舌板的平直部分相互平行。采用如此方案时，两个引导舌板为平板，平板之间形成单一的进声通道，外部的声波容易进入到屏蔽罩内部，且衰减较低。
[0013]再进一步，此处举出另一种可行的进声缝隙的结构：所述的进声缝隙内的宽度设置为固定相等。采用如此方案时，进声缝隙可以为弯折状结构、弧线形结构等，对外部的光噪和风噪能够起到更好的削弱，减少光噪和风噪的影响；同时声波需要通过更多次的反射才能到达屏蔽罩内部，衰减相对多一些。
[0014]上述内容中对硅麦克风的结构进行了描述说明，并解释了降低光噪和风噪的原理。在相同的原理下，本技术还公开了另外的硅麦克风结构，同样可实现对光噪和风噪的降低，下文中进行具体说明。
[0015]一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风，包括麦克风主体，麦克风主体上设置有屏蔽罩，屏蔽罩上设置有进声口，屏蔽罩上设置有连接部且连接部从进声口一侧连接至进声口对侧，连接部的边缘向屏蔽罩内部延伸形成引导舌板，引导舌板的头部与连接部形成圆滑过渡结构，引导舌板与屏蔽罩之间形成进声缝隙并形成进声口的内衬。
[0016]上述公开的硅麦克风，与前文公开的硅麦克风不同之处在于，将进声口的结构进行改进，同时对应设置了相匹配的引导舌板结构，同样形成可削弱光噪影响和风噪影响的进声缝隙结构，同时可提供更长的进声缝隙长度，对声音的采集效果更佳。
[0017]进一步的，由于设置了连接部，进声口的口径一般不为长条形，通过进声口的大口径，使进声口的边缘处均作为进声缝隙的入口，从而提供更长的进声缝隙。具体的，此处进行优化并举出其中一种可行的选择：所述的进声口为圆形或多边形，且进声口的内部最大口径小于等于600微米。采用如此方案时，圆形或多边形的进声口能够提供相对较长的进声缝隙，600微米的口径限制也使得屏蔽罩的整体强度更好，避免外部的光噪、风噪等对屏蔽罩内部形成影响。
[0018]进一步的，进声缝隙的宽度也会影响光噪和风噪，对进声缝隙的宽度控制可在保障声音传播的前提下，减少外部光源和风流进入造成影响；具体的，此处进行优化设置并举出其中一种可行的选择：所述的进声缝隙的宽度为40～100微米，且引导舌板的尾部超过进声口边缘的距离大于进声缝隙的宽度。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风，其特征在于：包括麦克风主体，麦克风主体上设置有屏蔽罩(1)，屏蔽罩(1)上设置有长条形的进声口(2)，进声口(2)相对的两侧边向屏蔽罩(1)内部延伸形成引导舌板(3)，引导舌板(3)的头部与屏蔽罩(1)主体形成圆滑过渡结构，两个引导舌板(3)之间形成进声缝隙。2.根据权利要求1所述的防高光源和防风噪干扰的硅麦克风，其特征在于：所述的进声口(2)的长度小于等于600微米，引导舌板(3)的宽度与进声口(2)的长度相等。3.根据权利要求1或2所述的防高光源和防风噪干扰的硅麦克风，其特征在于：所述的进声缝隙的宽度为40～100微米，且引导舌板(3)向麦克风主体延伸的长度大于进声缝隙的宽度。4.根据权利要求3所述的防高光源和防风噪干扰的硅麦克风，其特征在于：所述的引导舌板(3)朝向麦克风主体延伸的部分平直，且两个引导舌板(3)的平直部分相互平行。5.根据权利要求3所述的防高光源和防风噪干扰的硅麦克风，其特征在于：所述的进声缝隙内的宽度设置为固定相等。6.一种防高光源和防风噪干扰的硅麦克风，其特征在于：包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王云龙，陈小康，
申请(专利权)人：通用微深圳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：